Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Подразделение Vishay Semiconductor Opto

Подразделение полупроводниковой оптики Vishay (8828)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Тип входа Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Пакет/кейс Длина Входной ток Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Утверждающее агентство ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Ведущая презентация Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Достичь кода соответствия Количество функций Максимальное входное напряжение Код JESD-609 Терминал отделки Напряжение Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Базовый номер детали Количество каналов Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Максимальная температура перехода (Tj) Диапазон температур окружающей среды: высокий Пакет устройств поставщика Скорость передачи данных Максимальный выходной ток Максимальное выходное напряжение Тип микросхемы интерфейса Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Прямое напряжение Тип выхода Ток нагрузки Максимальный входной ток Включить время задержки Среднеквадратичный ток (Irms) Тип оптоэлектронного устройства Время подъема Осень (тип.) Время задержки выключения Конфигурация Расстояние между строками Напряжение пробоя Напряжение – изоляция Обратное напряжение пробоя Обратное напряжение Прямое напряжение-Макс. Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) Макс. ток коллектора Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Время подъема/спада (типичное) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Обратное напряжение (постоянный ток) Выходной ток на канал Драйвер высокой стороны Текущий коэффициент передачи Ток — выход/канал Напряжение - Выход (Макс.) Темный ток-Макс. Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.)
CNY64A 64 юаня Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny64a-datasheets-6499.pdf 1,25 В 4-DIP (0,200, 5,08 мм) 50 мА Без свинца 8 недель УЛ, ВДЭ Неизвестный 4 EAR99 ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE Нет 250мВт 1 250мВт 1 32В 32В 75 мА Транзистор 75 мА 2,4 мкс 2,7 мкс ОДИНОКИЙ 8200 В (среднеквадратичное значение) 32В 300мВ 32В 50 мА 1,32 В 2,4 мкс 2,7 мкс 50 мА 200нА 63% при 10 мА 125% при 10 мА 5 мкс, 3 мкс 300мВ
IL300-EF-X007 IL300-EF-X007 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-il300defgx016-datasheets-4936.pdf 8-СМД, Крыло Чайки 28 недель 8 да Нет 1 е3 Матовый олово (Sn) 210мВт 1 210мВт 1 Оптопара — транзисторные выходы 500мВ 10 мА Фотоэлектрические, линеаризованные 60 мА ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО 1,75 мкс 1,75 мкс ДВОЙНАЯ ОДНОВРЕМЕННАЯ РАБОТА 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,25 В 1 мкс 1 мкс 1,1 % 70 мкА тип. 500мВ
VOM617A-7T ВОМ617А-7Т Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 1995 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vom617a8t-datasheets-7079.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 4,4 мм 60 мА 2 мм 3,85 мм Без свинца 11 недель 4 EAR99 УТВЕРЖДЕНО UL Нет 170 мВт 1 170 мВт 1 80В 80В 5мА Транзистор 60 мА 7 мкс 12 мкс ОДИНОКИЙ 3750 В (среднеквадратичное значение) 80В 400мВ 80В 100 мА 1,1 В 3 мкс 3 мкс 100 мА 50 мА 80% при 5 мА 160% при 5 мА 6 мкс, 4 мкс 400мВ
TCLT1002 TCLT1002 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 0,49 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Печатная плата, поверхностное крепление Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2004 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tclt1004-datasheets-4892.pdf 70В 4-СМД, Крыло Чайки 50 мА 7,5 мм Без свинца 6 недель BSI, CSA, ФИМКО, UL, VDE Нет СВХК 4 10,2 мм EAR99 UL ПРИЗНАЛ Олово Нет 250мВт 1 250мВт 1 70В 70В 60 мА Транзистор 60 мА 3 с 4,7 с ОДИНОКИЙ 2,54 мм 5000 В (среднеквадратичное значение) 70В 300мВ 70В 50 мА 1,25 В 3 мкс 4,7 мкс 50 мА 63% при 10 мА 125% при 10 мА 6 мкс, 5 мкс 300мВ
TCMT1117 ТКМТ1117 Подразделение Vishay Semiconductor Opto $3,13
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcmt1118-datasheets-7986.pdf 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) 5мА 6 недель Неизвестный 4 EAR99 ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE Нет 230мВт 1 230мВт 1 70В 70В 50 мА Транзистор 50 мА ОДИНОКИЙ 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 70В 50 мА 1,15 В 3 мкс 4 мкс 50 мА 80% при 5 мА 160% при 5 мА 5 мкс, 3 мкс
SFH1690AT SFH1690AT Подразделение Vishay Semiconductor Opto 1,67 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 110°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh1690at-datasheets-8479.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 5мА 6 недель 4 Нет 150 мВт 1 150 мВт 1 4-СОП 70В 70В 50 мА 1,15 В Транзистор 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 70В 100 мА 1,15 В 3 мкс 4 мкс 50 мА 50 мА 50 мА 70В 50% при 5 мА 150% при 5 мА 5 мкс, 3 мкс 400мВ
VOS628AT ВОС628АТ Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) переменный ток, постоянный ток Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vos628at-datasheets-8823.pdf 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) 6 недель да EAR99 неизвестный 1 80В Транзистор 3750 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 1,1 В 5 мкс 7 мкс 50 мА 80В 50% при 1 мА 600% при 1 мА 5 мкс, 8 мкс
IL256AT ИЛ256АТ Подразделение Vishay Semiconductor Opto 0,98 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 100°С -55°С переменный ток, постоянный ток Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il256at-datasheets-9369.pdf 1,2 В 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 10 мА Без свинца 6 недель Неизвестный 8 Нет 240мВт 1 240мВт 1 8-СОИК 30В 30В 60 мА 1,2 В Транзистор с базой 60 мА 4000 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 30В 1,2 В 60 мА 30В 20% при 10 мА 400мВ
CNY66 66 юаней Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny64a-datasheets-6499.pdf 1,25 В 4-DIP (0,300, 7,62 мм) 50 мА Без свинца 6 недель UL Неизвестный 4 EAR99 Олово Нет 250мВт 1 250мВт 1 32В 32В 50 мА 75 мА Транзистор 75 мА 2,4 мкс 2,7 мкс ОДИНОКИЙ 13900 В постоянного тока 32В 300мВ 32В 50 мА 2,4 мкс 2,7 мкс 50 мА 200нА 50% при 10 мА 300% при 10 мА 5 мкс, 3 мкс 300мВ
TCMT1105 ТКМТ1105 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 0,33 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcmt1101-datasheets-4904.pdf 70В 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) 50 мА 6 недель 4 EAR99 Нет 250мВт 1 250мВт 1 70В 70В 50 мА Транзистор 60 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 70В 50 мА 1,35 В 5,5 мкс 7 мкс 50 мА 50% при 5 мА 150% при 5 мА 9,5 мкс, 8,5 мкс
VO617A-2 ВО617А-2 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~110°К Трубка 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 1995 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-vo617a4x016-datasheets-4811.pdf 4-DIP (0,300, 7,62 мм) 60 мА 11 недель Неизвестный 4 EAR99 UL ПРИЗНАЛ Нет е3 Матовый олово (Sn) 150 мВт 1 150 мВт 1 80В 80В 60 мА Транзистор 60 мА 4,6 мкс 15 мкс ОДИНОКИЙ 5300 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 80В 50 мА 1,35 В 2 мкс 2 мкс 50 мА 50нА 63% при 5 мА 125% при 5 мА 3 мкс, 2,3 мкс
SFH617A-2X006 SFH617A-2X006 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 0,74 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~110°К Трубка 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 1995 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh617a3x006-datasheets-4512.pdf 4-DIP (0,400, 10,16 мм) 60 мА Без свинца 11 недель Неизвестный 4 да EAR99 UL ПРИЗНАЛ Нет е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 150 мВт 1 400мВт 1 70В 70В 60 мА Транзистор 60 мА 3 мкс 14 мкс ОДИНОКИЙ 5300 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 70В 100 мА 1,35 В 2 мкс 2 мкс 50 мА 50нА 63% при 10 мА 125% при 10 мА 3 мкс, 2,3 мкс
VO1263AB ВО1263АБ Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Трубка 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo1263ab-datasheets-1623.pdf 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) 9 недель Неизвестный 50Ом 8 да Нет 2 е3 Матовый олово (Sn) 2 16,5 В 50 мА Фотоэлектрический 30 мА 50 мА 30 мА ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,3 В 3 мкА 16 мкс, 472 мкс
SFH618A-3 SFH618A-3 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 0,89 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без ограничений) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh618a3x017t-datasheets-5215.pdf 1,1 В 4-DIP (0,300, 7,62 мм) 5мА Без свинца 6 недель UL Неизвестный 4 Нет 150 мВт 1 150 мВт 1 4-ДИП 55В 55В 60 мА 1,5 В Транзистор 60 мА 3,5 мкс 5 мкс 5300 В (среднеквадратичное значение) 55В 400мВ 55В 100 мА 1,1 В 3,5 мкс 5 мкс 60 мА 50 мА 50 мА 55В 100% при 1 мА 200% при 1 мА 6 мкс, 5,5 мкс 400мВ
CNY75C 75 юаней Подразделение Vishay Semiconductor Opto 0,10 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~110°К Трубка 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2004 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny75a-datasheets-5330.pdf 1,25 В 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 50 мА 14 недель БСИ, ФИМКО, UL, VDE Неизвестный 6 ПРИЗНАН UL, ОДОБРЕН VDE, МИКРОПРОЦЕССОРНЫЙ СИСТЕМНЫЙ ИНТЕРФЕЙС Нет 200мВт 1 200мВт 1 70В 70В 60 мА Транзистор с базой 60 мА ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА 4,2 мкс 4,7 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 90В 300мВ 70В 50 мА 4,2 мкс 4,7 мкс 50 мА 160% при 10 мА 320% при 10 мА 7 мкс, 5 мкс
TCMT1106 ТКМТ1106 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 0,81 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Печатная плата, поверхностное крепление Поверхностный монтаж -40°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcmt1101-datasheets-4904.pdf 70В 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) 50 мА Без свинца 6 недель Неизвестный 4 EAR99 Нет 250мВт 1 250мВт 1 70В 70В 60 мА Транзистор 60 мА 3 с 4,7 с 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 70В 50 мА 1,35 В 5,5 мкс 7 мкс 50 мА 100% при 5 мА 300% при 5 мА 9,5 мкс, 8,5 мкс
4N36 4Н36 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 0,50 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Печатная плата, сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без ограничений) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-4n36-datasheets-5982.pdf 1,3 В 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 7,62 мм 10 мА 4 мм 7 мм Без свинца 14 недель БСИ, ФИМКО, УЛ Неизвестный 6 Нет 70мВт 4Н36 1 70мВт 1 6-ДИП 30В 30В 50 мА 1,3 В Транзистор с базой 50 мА 2 мкс 2 мкс 5000 В (среднеквадратичное значение) 30В 300мВ 30В 100 мА 1,3 В 50 мА 50 мА 50 % 50 мА 30В 100% при 10 мА 10 мкс, 10 мкс
SFH610A-3 SFH610A-3 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Печатная плата, сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без ограничений) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh61064-datasheets-4576.pdf 1,25 В 4-DIP (0,300, 7,62 мм) 60 мА 4,7 мм Без свинца 6 недель БСИ, CSA, МЭК Нет СВХК 4 Олово Нет 150 мВт 1 150 мВт 1 100°С 4-ДИП 70В 70В 60 мА 1,25 В Транзистор 60 мА 3 мкс 3 с 14 с 2,3 мкс 5300 В (среднеквадратичное значение) 70В 400мВ 70В 100 мА 1,25 В 2 мкс 2 мкс 60 мА 50 мА 50 мА 70В 100% при 10 мА 200% при 10 мА 3 мкс, 2,3 мкс 400мВ
VO610A-3X007T ВО610А-3X007T Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 1995 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-vo610a3-datasheets-5359.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 4,58 мм 60 мА 4,3 мм 6,5 мм 14 недель 4 EAR99 UL ПРИЗНАЛ Нет 100мВт 1 265мВт 1 70В 70В 60 мА Транзистор 60 мА 3 мкс 4,7 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 70В 100 мА 1,25 В 3 мкс 4,7 мкс 50 мА 100% при 10 мА 200% при 10 мА 6 мкс, 5 мкс
ILD213T ILD213T Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Печатная плата, поверхностное крепление Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2005 г. /files/vishaysemiconductoroptodivision-ild206t-datasheets-9636.pdf 1,2 В 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 10 мА 3,18 мм Без свинца 6 недель UL Неизвестный 8 Олово Нет 300мВт 2 300мВт 2 8-СОИК 70В 70В 30 мА 1,55 В Транзистор 30 мА 5 мкс 4000 В (среднеквадратичное значение) 70В 400мВ 70В 1,2 В 3 мкс 4,7 мкс 30 мА 70В 100% при 10 мА 6 мкс, 5 мкс 400мВ
SFH6136-X017T SFH6136-X017T Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 1995 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6136x001-datasheets-6290.pdf 8-СМД, Крыло Чайки 6 недель 8 да EAR99 ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНИЕ UL, ПРИЗНАНИЕ VDE Нет е3 Матовый олово (Sn) 100мВт 1 100мВт 1 1 Мбит/с 25В 25 мА Транзистор с базой 25 мА ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара ОДИНОКИЙ 5300 В (среднеквадратичное значение) 16 мА 1,6 В 8мА 35 % 19% при 16 мА 200 нс, 200 нс
SFH6326-X007T SFH6326-X007T Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6326x009-datasheets-6444.pdf 8-СМД, Крыло Чайки Без свинца 6 недель 8 EAR99 СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА UL неизвестный е3 Матовый олово (Sn) 50мВт 2 145 МВт 2 1 Мбит/с 25В 16 мА Транзистор 5300 В (среднеквадратичное значение) 4,5 В 1,9 В 1,33 В 25 мА 4,5 В 8мА 19 % 19% при 16 мА 200 нс, 500 нс
CNY65B 65 млрд юаней Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2009 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-cny64a-datasheets-6499.pdf 1,25 В 4-ЭДИП (0,300, 7,62 мм) 75 мА Без свинца 10 недель UL Неизвестный 4 EAR99 Олово Нет 250мВт 1 250мВт 32В 32В 75 мА Транзистор 75 мА 2,4 мкс 2,7 мкс 13900 В постоянного тока 32В 300мВ 32В 50 мА 2,4 мкс 2,7 мкс 50 мА 100% при 10 мА 200% при 10 мА 5 мкс, 3 мкс 300мВ
VOS627A-X001T VOS627A-X001T Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Разрезанная лента (CT) 1 (без ограничений) переменный ток, постоянный ток Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vos627a3t-datasheets-8673.pdf 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) 50 мА Без свинца 11 недель Неизвестный 4 да EAR99 150 мВт 1 170 мВт 80В 50 мА Транзистор 50 мА 3 мкс 3 мкс 3750 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 80В 50 мА 1,1 В 3 мкс 3 мкс 50% при 5 мА 600% при 5 мА 6 мкс, 4 мкс
4N25 4Н25 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Печатная плата, сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без ограничений) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-4n26-datasheets-5988.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 50 мА 4,8 мм Без свинца 14 недель УЛ, ВДЭ Неизвестный 6 Олово Нет 150 мВт 4Н25 1 150 мВт 1 125°С 6-ДИП 30В 30В 60 мА 1,3 В Транзистор с базой 60 мА 2 с 2 с 5000 В (среднеквадратичное значение) 30В 500мВ 30В 100 мА 1,3 В 2 мкс 2 мкс 60 мА 50 мА 50 % 50 мА 70В 20% при 10 мА 500мВ
SFH6186-3T SFH6186-3T Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 1995 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-sfh618a3x017t-datasheets-5215.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 60 мА 4,059 мм 6 недель 4 да EAR99 УТВЕРЖДЕНО UL е3 Матовый олово (Sn) 1 1 125°С 100°С 55В 5мА Транзистор 6 мкс 3,5 с 5,5 мкс ОДИНОКИЙ 5300 В (среднеквадратичное значение) 55В 1,1 В 3,5 мкс 5 мкс 50 мА 200нА 100% при 1 мА 200% при 1 мА 6 мкс, 5,5 мкс 400мВ
VOM1271T ВОМ1271Т Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~100°К Диги-Рил® 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2013 год /files/vishay-vom1271t-datasheets-7850.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 50 мА 2,42 мм Без свинца 4 6 недель Неизвестный 4 да EAR99 Олово Нет 1 1,6 В ДВОЙНОЙ 1 100°С 50 мА БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET 50 мА Фотоэлектрический 50 мА 53 мкс 24 мкс 4500 В (среднеквадратичное значение) 1,4 В НЕТ 53 мкс, 24 мкс
IL300-DEFG-X007T IL300-DEFG-X007T Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2012 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-il300defgx016-datasheets-4936.pdf 8-СМД, Крыло Чайки Без свинца 6 недель 8 да Олово Нет 1 е3 210мВт 1 210мВт 1 Оптопара — транзисторные выходы 500мВ 10 мА Фотоэлектрические, линеаризованные 60 мА ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО 1,75 мкс 1,75 мкс ДВОЙНАЯ ОДНОВРЕМЕННАЯ РАБОТА 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,25 В 1 мкс 1 мкс 1,1 % 70 мкА тип. 500мВ
CNY74-2H 74 юаня-2ч Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без ограничений) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny744h-datasheets-6709.pdf 1,25 В 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) 50 мА Без свинца 6 недель Неизвестный 8 Олово Нет 250мВт 2 250мВт 2 8-ДИП 70В 70В 60 мА 1,6 В Транзистор 60 мА 3 мкс 4,7 мкс 70В 5300 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 70В 50 мА 1,3 В 3 мкс 4,7 мкс 60 мА 70В 50% при 5 мА 600% при 5 мА 6 мкс, 5 мкс 500мВ
CNY64 64 юаня Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Печатная плата, сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny64a-datasheets-6499.pdf 4-DIP (0,200, 5,08 мм) 50 мА Без свинца 6 недель UL Неизвестный 4 EAR99 Олово Нет 250мВт 1 250мВт 1 32В 32В 75 мА Транзистор 75 мА 2,4 с 2,7 с ОДИНОКИЙ 8200 В (среднеквадратичное значение) 32В 300мВ 32В 50 мА 1,25 В 2,4 мкс 2,7 мкс 50 мА 200нА 50% при 10 мА 300% при 10 мА 5 мкс, 3 мкс 300мВ

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.