Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Масса | Количество контактов | Достичь соответствия кода | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Время подъема | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MOC80303SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc8030m-datasheets-2481.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Дарлингтон | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 60 мА | 150 мА | 80В | 300% при 10 мА | 3,5 мкс, 95 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСТ2201300Вт | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct2m-datasheets-2729.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 100 мА | 50 мА | 30В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК8021300Вт | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc8021-datasheets-2489.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 60 мА | 150 мА | 50В | 1000% при 10 мА | 3,5 мкс, 95 мкс | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК1193С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc119m-datasheets-2509.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Дарлингтон | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 60 мА | 150 мА | 30В | 300% при 10 мА | 3,5 мкс, 95 мкс | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК80303С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc8030m-datasheets-2481.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Дарлингтон | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 60 мА | 150 мА | 80В | 300% при 10 мА | 3,5 мкс, 95 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCT2E300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct2200300-datasheets-2235.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 100 мА | 50 мА | 30В | 20% при 10 мА | 1,1 мкс, 50 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК80503С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc8030m-datasheets-2481.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Дарлингтон | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 60 мА | 150 мА | 80В | 500% при 10 мА | 3,5 мкс, 95 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MOC8020SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc8021-datasheets-2489.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Дарлингтон | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 60 мА | 150 мА | 50В | 500% при 10 мА | 3,5 мкс, 95 мкс | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MCT5211300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct5211-datasheets-2231.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 6 | 260мВт | 260мВт | 1 | 30В | 30В | 50 мА | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 150 мА | 1,25 В | 150 мА | 150 мА | 150% при 1,6 мА | 14 мкс, 2,5 мкс | |||||||||||||||||||||
| МОК119300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc119m-datasheets-2509.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 60 мА | 150 мА | 30В | 300% при 10 мА | 3,5 мкс, 95 мкс | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК119300Вт | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc119m-datasheets-2509.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 60 мА | 150 мА | 30В | 300% при 10 мА | 3,5 мкс, 95 мкс | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МСТ5201300Вт | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct5211-datasheets-2231.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2,5 мкс 16 мкс | 50 мА | 150 мА | 30В | 120% при 5 мА | 3 мкс, 12 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| МСТ2ТМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct2m-datasheets-2729.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | совместимый | 1 | Транзистор с базой | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 7500Впк | 1,25 В | 2 мкс 1,5 мкс | 60 мА | 50 мА | 30В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| МОК256Р1М | ОН Полупроводник | 1,76 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc256vm-datasheets-0176.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 250мВт | 1 | 1 | 8-СОИК | 30В | Транзистор с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 150 мА | 1,2 В | 60 мА | 150 мА | 150 % | 150 мА | 30В | 20% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||
| МОК8020300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc8021-datasheets-2489.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 60 мА | 150 мА | 50В | 500% при 10 мА | 3,5 мкс, 95 мкс | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК217Р1М | ОН Полупроводник | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc215m-datasheets-2716.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Транзистор с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,07 В | 3,2 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 150 мА | 30В | 100% при 10 мА | 7,5 мкс, 5,7 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| MCT5210SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct5211-datasheets-2231.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 50 мА | 150 мА | 30В | 70% при 3 мА | 10 мкс, 400 нс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MCT5210300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct5211-datasheets-2231.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 50 мА | 150 мА | 30В | 70% при 3 мА | 10 мкс, 400 нс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MCT5211W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct5211-datasheets-2231.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 50 мА | 150 мА | 30В | 150% при 1,6 мА | 14 мкс, 2,5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК211Р1М | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc213r1vm-datasheets-0129.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 250мВт | 1 | 250мВт | 1 | 1 | 8-СОИК | 30В | 60 мА | 1,5 В | Транзистор с базой | 3,2 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 30В | 150 мА | 1,15 В | 3,2 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 150 мА | 150 мА | 30В | 20% при 10 мА | 7,5 мкс, 5,7 мкс | 400мВ | ||||||||||
| МОК212Р1М | ОН Полупроводник | 0,37 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc213r1vm-datasheets-0129.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 250мВт | 1 | 1 | 8-СОИК | 30В | Транзистор с базой | 3,2 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 150 мА | 1,15 В | 3,2 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 150 мА | 150 мА | 30В | 50% при 10 мА | 7,5 мкс, 5,7 мкс | 400мВ | |||||||||||||||
| МОК8020300Вт | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc8021-datasheets-2489.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 60 мА | 150 мА | 50В | 500% при 10 мА | 3,5 мкс, 95 мкс | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| H11D4300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11d2300-datasheets-2258.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 80 мА | 100 мА | 200В | 10% при 10 мА | 5 мкс, 5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК215Р2М | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc215m-datasheets-2716.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Транзистор с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,07 В | 3 мкс 3 мкс | 60 мА | 150 мА | 30В | 20% при 1 мА | 4 мкс, 4 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК206Р1М | ОН Полупроводник | $7,35 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc208m-datasheets-2490.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 250мВт | 250мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 1,6 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 150 мА | 1,15 В | 3,2 мкс 4,7 мкс | 150 мА | 150 мА | 30В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 7,5 мкс, 5,7 мкс | |||||||||||||||||
| MCT52113SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct5211-datasheets-2231.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 50 мА | 150 мА | 30В | 150% при 1,6 мА | 14 мкс, 2,5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MCT61W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct6s-datasheets-4774.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 882 мг | 8 | 400мВт | 400мВт | 2 | 30В | 60 мА | Транзистор | 2,4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 25 В | 400мВ | 400мВ | 30 мА | 1,2 В | 30 мА | 30 мА | 50% при 5 мА | 2,4 мкс, 2,4 мкс | |||||||||||||||||||||
| MOC119SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc119m-datasheets-2509.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Дарлингтон | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 60 мА | 150 мА | 30В | 300% при 10 мА | 3,5 мкс, 95 мкс | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MCT9001W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct9001sd-datasheets-8761.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 882 мг | 8 | 400мВт | 400мВт | 2 | 55В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 2,4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 400мВ | 400мВ | 30 мА | 1В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 30 мА | 30 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||
| MCT5201S | ОН Полупроводник | 4,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct5211-datasheets-2231.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2,5 мкс 16 мкс | 50 мА | 150 мА | 30В | 120% при 5 мА | 3 мкс, 12 мкс | 400мВ |
