Модули памяти - Электронные компоненты Поиск - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Опрегиону Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МАКСИМАЛАНА DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN Колист КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Поступил Кваликакахионн Статус Raзmerpmayti ТИП ПАМАТИ ШIrIna шinыdannnых Скороп Вес Вернее ТАКТОВА Органихая Шirina pamayti Плотпеф В.С. ТИП Ох
MT5HTF3272KY-40EB1 MT5HTF3272KY-40EB1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 244-Minirdimm СОУДНО ПРИОН 244 256 мБ DDR2 SDRAM 400 м/с
MT36VDDF25672G-335F2 MT36VDDF25672G-335F2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) В 2002 /files/microntechnologyinc-mt36vddf25672y40bf2-datasheets-4046.pdf 184-RDIMM 2 гр DDR SDRAM 333mt/s
MT18VDVF12872G-335D4 MT18VDVF12872G-335D4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) В 2003 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872y335f4-datasheets-4044.pdf 184-RDIMM 1 год DDR SDRAM 333mt/s
MT36VDDF25672G-40BF2 MT36VDDF25672G-40BF2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С В 2002 /files/microntechnologyinc-mt36vddf25672y40bf2-datasheets-4046.pdf 184-RDIMM 30,5 мм 2,6 В. СОДЕРИТС 184 Не 400 мг 2 гр DDR SDRAM 72b 400 м/с
MT8VDDT6464AY-335D3 MT8VDDT6464AY-335D3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264ay335g6-datasheets-4240.pdf 184-Udimm СОУДНО ПРИОН 184 512 мБ DDR SDRAM 333mt/s
MT18VDVF12872DY-40BD4 MT18VDVF12872DY-40BD4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872dy40bf4-datasheets-4031.pdf 184-RDIMM 1 год DDR SDRAM 400 м/с
MT4HTF3264AY-667B2 MT4HTF3264AY-667B2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 240-й днаний 256 мБ DDR2 SDRAM 667mt/s
MT5HTF3272KY-53EB1 MT5HTF3272KY-53EB1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 244-Minirdimm 256 мБ DDR2 SDRAM 533mt/s
MT4VDDT1664AG-335F3 MT4VDDT1664AG-335F3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С В 2002 /files/microntechnologyinc-mt4vddt1664ag40bf3-datasheets-4236.pdf 184-Udimm 31,8 мм 2,5 В. СОДЕРИТС 2,7 В. 2,3 В. 184 333 мг 4 128 мБ DDR SDRAM 333mt/s
MT4VDDT1664AG-40BF3 MT4VDDT1664AG-40BF3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) В 2002 /files/microntechnologyinc-mt4vddt1664ag40bf3-datasheets-4236.pdf 184-Udimm 31,8 мм СОДЕРИТС 184 128 мБ DDR SDRAM 400 м/с
MT8VDDT6464HDY-40BF2 MT8VDDT6464HDY-40BF2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt8vddt6464hdy40bf2-datasheets-4265.pdf 200-sodimm 31,8 мм 2,6 В. СОУДНО ПРИОН 200 2,7 В. 2,5 В. 200 400 мг НЕИ Дон NeT -lederStva 2,6 В. 0,6 ММ Коммер 8 Дрэм 1,94 мая Н.Квалиирована 512 мБ DDR SDRAM 400 м/с 3-шТат 900 млн 64mx64 64 4294967296 БИТ 0,04а Обших
MT4HTF3264HY-53EB4 MT4HTF3264HY-53EB4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2004 /files/micron-mt4htf3264hy53eb4-datasheets-5539.pdf 200-sodimm 30 мм СОУДНО ПРИОН 200 256 мБ DDR2 SDRAM 533mt/s
MT9HTF6472PY-667B1 MT9HTF6472PY-667B1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 240-RDIMM 512 мБ DDR2 SDRAM 667mt/s
MT4VDDT3264HG-335F2 MT4VDDT3264HG-335F2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS В 2003 /files/microntechnologyinc-mt4vddt3264hg335f2-datasheets-4238.pdf 200-sodimm 2,5 В. СОДЕРИТС 200 2,7 В. 2,3 В. 200 333 мг not_compliant Дон NeT -lederStva 2,5 В. 0,6 ММ Коммер 4 Дрэм 1,62 мая Н.Квалиирована 256 мБ DDR SDRAM 333mt/s 3-шТат 900 млн 167 мг 64 Обших 8192
MT8HTF6464AY-53EB8 MT8HTF6464AY-53EB8 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С Rohs3 240-й днаний 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 1,9 1,7 240 533 мг 8 512 мБ DDR2 SDRAM 533mt/s
MT18VDVF12872DY-40BF4 MT18VDVF12872DY-40BF4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872dy40bf4-datasheets-4031.pdf 184-RDIMM 1 год DDR SDRAM 400 м/с
MT4LSDT1664AY-13ED1 MT4LSDT1664AY-13ED1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 65 ° С 0 ° С CMOS 133 мг Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt4lsdt1664ay13ed1-datasheets-4038.pdf 168 лет 133,125 мм 25,4 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 168 3,6 В. 168 1 Арто/Скамооблани; WD-MAX Не 1 Дон 3,3 В. 1,27 ММ Коммер 4 128 мБ SDRAM 64b 5,4 млн 64
MT18VDVF12872Y-335F4 MT18VDVF12872Y-335F4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872y335f4-datasheets-4044.pdf 184-RDIMM 1 год DDR SDRAM 333mt/s
MT36VDDF25672Y-40BF2 MT36VDDF25672Y-40BF2 Micron Technology Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2002 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microntechnologyinc-mt36vddf25672y40bf2-datasheets-4046.pdf 184-RDIMM 2 гр DDR SDRAM 400 м/с
MT4VDDT3264HY-335F2 MT4VDDT3264HY-335F2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt4vddt3264hy335f2-datasheets-4060.pdf 200-sodimm 67,6 ММ 31,8 мм 2,5 В. СОУДНО ПРИОН 200 2,7 В. 2,3 В. 200 1 Ear99 Арто/Скамооблани; WD-MAX Не 333 мг 1 E4 ЗOLOTOTO (AU) Я 260 2,5 В. 0,6 ММ 200 Коммер 30 4 Дрэм 1,62 мая 256 мБ DDR SDRAM 333mt/s 3-шТат 900 млн 167 мг 64 Обших 8192
MT18VDVF12872G-335F4 MT18VDVF12872G-335F4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) В 2003 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872y335f4-datasheets-4044.pdf 184-RDIMM 1 год DDR SDRAM 333mt/s
MT4VDDT3264HY-40BF2 MT4VDDT3264HY-40BF2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS Синжронно Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt4vddt3264hy335f2-datasheets-4060.pdf 200-sodimm 67,6 ММ 31,8 мм 2,6 В. СОУДНО ПРИОН 200 2,7 В. 2,5 В. 200 1 Ear99 Арто/Скамооблани; WD-MAX 400 мг НЕИ 1 E4 ЗOLOTO Дон NeT -lederStva 260 2,6 В. 0,6 ММ 200 Коммер 30 4 Дрэм 1,92 мая Н.Квалиирована 256 мБ DDR SDRAM 400 м/с 3-шТат 900 млн 64 Обших 8192
MT18VDVF12872Y-335D4 MT18VDVF12872Y-335D4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872y335f4-datasheets-4044.pdf 184-RDIMM 1 год DDR SDRAM 333mt/s
MT5VDDT3272AY-335F1 MT5VDDT3272AY-335F1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt5vddt3272ay335f1-datasheets-4110.pdf 184-Udimm 2,5 В. СОУДНО ПРИОН 2,7 В. 2,3 В. 184 333 мг 5 256 мБ DDR SDRAM 333mt/s

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.