Модули памяти - Электронные компоненты Поиск - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Опрегиону Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МАКСИМАЛАНА DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Поступил Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Raзmerpmayti ТИП ПАМАТИ ШIrIna шinыdannnых Скороп Вес Вернее ТАКТОВА Органихая Шirina pamayti Плотпеф В.С. Ruemap ТИП Ох Rerжimdepapa
MT18VDVF12872Y-40BD4 MT18VDVF12872Y-40BD4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) CMOS Синжронно 4 мм Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872y335f4-datasheets-4044.pdf 184-RDIMM 133,35 мм 18,29 мм 184 1 Ear99 Арто/Скамооблани 8542.32.00.36 1 E4 ЗOLOTO Не Дон NeT -lederStva 260 2,6 В. 184 Коммер 70 ° С 2,7 В. 2,5 В. 30 Н.Квалиирована R-XDMA-N184 1 год DDR SDRAM 400 м/с 128mx72 72 9663676416 БИТ Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа
MT4HTF3264HY-667B4 MT4HTF3264HY-667B4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 200-sodimm 256 мБ DDR2 SDRAM 667mt/s
MT8VDDT3264AG-335G6 MT8VDDT3264AG-335G6 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS В 2002 /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264ay335g6-datasheets-4240.pdf 184-Udimm 31,8 мм 2,5 В. СОДЕРИТС 184 2,7 В. 2,3 В. 184 333 мг not_compliant Дон NeT -lederStva 2,5 В. 1,27 ММ Коммер 8 Дрэм Н.Квалиирована 256 мБ DDR SDRAM 333mt/s 3-шТат 167 мг 32MX64 64 0,032а 0,7 м Обших
MT8VDDT6464AY-40BD3 MT8VDDT6464AY-40BD3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt8vddt6464ay40bd3-datasheets-4252.pdf 184-Udimm 31,8 мм 2,6 В. СОУДНО ПРИОН 184 Не 400 мг 512 мБ DDR SDRAM 64b 400 м/с
MT5VDDT3272HY-335F2 MT5VDDT3272HY-335F2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2005 /files/microntechnologyinc-mt5vddt3272hy335f2-datasheets-4254.pdf 200-sodimm 31,8 мм 2,5 В. СОУДНО ПРИОН 2,7 В. 2,3 В. 200 333 мг 5 256 мБ DDR SDRAM 333mt/s 70 с
MT8HTF6464AY-40EB8 MT8HTF6464AY-40EB8 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 240-й днаний 512 мБ DDR2 SDRAM 400 м/с
MT5HTF3272KY-40EB1 MT5HTF3272KY-40EB1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 244-Minirdimm СОУДНО ПРИОН 244 256 мБ DDR2 SDRAM 400 м/с
MT36VDDF25672G-335F2 MT36VDDF25672G-335F2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) В 2002 /files/microntechnologyinc-mt36vddf25672y40bf2-datasheets-4046.pdf 184-RDIMM 2 гр DDR SDRAM 333mt/s
MT18VDVF12872G-335D4 MT18VDVF12872G-335D4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) В 2003 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872y335f4-datasheets-4044.pdf 184-RDIMM 1 год DDR SDRAM 333mt/s
MT36VDDF25672G-40BF2 MT36VDDF25672G-40BF2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С В 2002 /files/microntechnologyinc-mt36vddf25672y40bf2-datasheets-4046.pdf 184-RDIMM 30,5 мм 2,6 В. СОДЕРИТС 184 Не 400 мг 2 гр DDR SDRAM 72b 400 м/с
MT8VDDT6464AY-335D3 MT8VDDT6464AY-335D3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264ay335g6-datasheets-4240.pdf 184-Udimm СОУДНО ПРИОН 184 512 мБ DDR SDRAM 333mt/s
MT18VDVF12872DY-40BD4 MT18VDVF12872DY-40BD4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872dy40bf4-datasheets-4031.pdf 184-RDIMM 1 год DDR SDRAM 400 м/с
MT4HTF3264AY-667B2 MT4HTF3264AY-667B2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 240-й днаний 256 мБ DDR2 SDRAM 667mt/s
MT5HTF3272KY-53EB1 MT5HTF3272KY-53EB1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 244-Minirdimm 256 мБ DDR2 SDRAM 533mt/s
MT4VDDT1664AG-335F3 MT4VDDT1664AG-335F3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С В 2002 /files/microntechnologyinc-mt4vddt1664ag40bf3-datasheets-4236.pdf 184-Udimm 31,8 мм 2,5 В. СОДЕРИТС 2,7 В. 2,3 В. 184 333 мг 4 128 мБ DDR SDRAM 333mt/s
MT18VDVF12872DY-40BF4 MT18VDVF12872DY-40BF4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872dy40bf4-datasheets-4031.pdf 184-RDIMM 1 год DDR SDRAM 400 м/с
MT4LSDT1664AY-13ED1 MT4LSDT1664AY-13ED1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 65 ° С 0 ° С CMOS 133 мг Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt4lsdt1664ay13ed1-datasheets-4038.pdf 168 лет 133,125 мм 25,4 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 168 3,6 В. 168 1 Арто/Скамооблани; WD-MAX Не 1 Дон 3,3 В. 1,27 ММ Коммер 4 128 мБ SDRAM 64b 5,4 млн 64
MT18VDVF12872Y-335F4 MT18VDVF12872Y-335F4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872y335f4-datasheets-4044.pdf 184-RDIMM 1 год DDR SDRAM 333mt/s
MT36VDDF25672Y-40BF2 MT36VDDF25672Y-40BF2 Micron Technology Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2002 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microntechnologyinc-mt36vddf25672y40bf2-datasheets-4046.pdf 184-RDIMM 2 гр DDR SDRAM 400 м/с
MT4VDDT3264HY-335F2 MT4VDDT3264HY-335F2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt4vddt3264hy335f2-datasheets-4060.pdf 200-sodimm 67,6 ММ 31,8 мм 2,5 В. СОУДНО ПРИОН 200 2,7 В. 2,3 В. 200 1 Ear99 Арто/Скамооблани; WD-MAX Не 333 мг 1 E4 ЗOLOTOTO (AU) Я 260 2,5 В. 0,6 ММ 200 Коммер 30 4 Дрэм 1,62 мая 256 мБ DDR SDRAM 333mt/s 3-шТат 900 млн 167 мг 64 Обших 8192
MT18VDVF12872G-335F4 MT18VDVF12872G-335F4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) В 2003 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872y335f4-datasheets-4044.pdf 184-RDIMM 1 год DDR SDRAM 333mt/s
MT4VDDT3264HY-40BF2 MT4VDDT3264HY-40BF2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS Синжронно Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt4vddt3264hy335f2-datasheets-4060.pdf 200-sodimm 67,6 ММ 31,8 мм 2,6 В. СОУДНО ПРИОН 200 2,7 В. 2,5 В. 200 1 Ear99 Арто/Скамооблани; WD-MAX 400 мг НЕИ 1 E4 ЗOLOTO Дон NeT -lederStva 260 2,6 В. 0,6 ММ 200 Коммер 30 4 Дрэм 1,92 мая Н.Квалиирована 256 мБ DDR SDRAM 400 м/с 3-шТат 900 млн 64 Обших 8192
MT18VDVF12872Y-335D4 MT18VDVF12872Y-335D4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872y335f4-datasheets-4044.pdf 184-RDIMM 1 год DDR SDRAM 333mt/s
MT5VDDT3272AY-335F1 MT5VDDT3272AY-335F1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt5vddt3272ay335f1-datasheets-4110.pdf 184-Udimm 2,5 В. СОУДНО ПРИОН 2,7 В. 2,3 В. 184 333 мг 5 256 мБ DDR SDRAM 333mt/s

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.