Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактМодули Пэматит (3684)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | Опрегиону | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Вес | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | PBFREE CODE | Колист | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | МАКСИМАЛАНА | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | Колист | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | Raboч -yemperatura (mamaks) | PoSta | Posta | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Колист | Подкейгория | Поступил | Кваликакахионн Статус | Raзmerpmayti | ТИП ПАМАТИ | ШIrIna шinыdannnых | Скороп | Вес | Вернее | ТАКТОВА | Органихая | Шirina pamayti | Плотпеф | В.С. | Ruemap | ТИП | Ох | Rerжimdepapa |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT4LSDT1664HG-133D1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 65 ° С | 0 ° С | 133 мг | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt4lsdt1664hg13ed1-datasheets-4598.pdf | 144-Sodimm | 25,4 мм | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 3,6 В. | 3В | 144 | Не | 133 мг | 4 | 128 мБ | SDRAM | 64b | 133 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF1664HY-40EB3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | Rohs3 | 2004 | /files/micron-mt4htf1664hy40eb3-datasheets-5642.pdf | 200-sodimm | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 200 | 200 | в дар | Не | 400 мг | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | Не | Дон | 260 | 1,8 В. | 0,6 ММ | Коммер | 30 | Дрэм | 0,92 мая | 128 мБ | DDR2 SDRAM | 64b | 400 м/с | 3-шТат | 16mx64 | 64 | 1073741824 БИТ | 0,02а | 0,6 м | Обших | 8192 | ||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF6472DY-53EB2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf25672dy53ea1-datasheets-4423.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | 533 мг | 18 | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 533mt/s | 50 с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDT12872Y-265D2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18vddt6472ag262g4-datasheets-4543.pdf | 184-RDIMM | 2,5 В. | СОУДНО ПРИОН | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | 266 мг | 18 | 1 год | DDR SDRAM | 266 мт/с | 750 с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDT6472G-262G3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18vddt6472ag262g4-datasheets-4543.pdf | 184-RDIMM | 43,2 мм | СОДЕРИТС | 184 | 512 мБ | DDR SDRAM | 266 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDT6472AG-265G4 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18vddt6472ag262g4-datasheets-4543.pdf | 184-Udimm | 31,8 мм | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | 266 мг | 18 | 512 мБ | DDR SDRAM | 266 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF3264HY-667A3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 200-sodimm | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 200 | 256 мБ | DDR2 SDRAM | 667mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18LSDT6472G-133D2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 55 ° С | 0 ° С | CMOS | 133 мг | В | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt18lsdt6472y13ed2-datasheets-4491.pdf | 168-RDIMM | 43,2 мм | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 168 | 3,6 В. | 3В | 168 | 1 | Ear99 | Арто/Скамооблани | Не | 8542.32.00.36 | 1 | E0 | Олейнн | Дон | 235 | 3,3 В. | 168 | Коммер | 30 | 18 | 512 мБ | SDRAM | 72b | 64mx72 | 72 | 5,4 млн | Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа | ||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF3264HY-40EB3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | CMOS | Синжронно | Rohs3 | 200-sodimm | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 200 | 200 | 1 | Ear99 | Арто/Скамооблани | НЕИ | 8542.32.00.36 | 1 | E4 | ЗOLOTO | Не | Я | NeT -lederStva | 260 | 1,8 В. | 200 | Коммер | 70 ° С | 1,9 | 1,7 | 30 | Н.Квалиирована | 256 мБ | DDR2 SDRAM | 400 м/с | 32MX64 | 64 | 2147483648 БИТ | 0,6 м | Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа | ||||||||||||||||||||||||||
| MT18LSDF6472G-133D1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 133 мг | В | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt18lsdf6472g133d1-datasheets-4567.pdf | 168 лет | 26,7 ММ | СОДЕРИТС | 168 | 512 мБ | SDRAM | 133 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF1664HY-40EB2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 200-sodimm | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 200 | 128 мБ | DDR2 SDRAM | 400 м/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDF12872HY-335D1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | 1 (neograniчennnый) | 65 ° С | 0 ° С | Rohs3 | /files/micron-mt18vddf12872hy335d1-datasheets-5647.pdf | 200-sodimm | 2,5 В. | СОУДНО ПРИОН | 2,7 В. | 2,3 В. | 200 | 333 мг | 18 | 1 год | DDR SDRAM | 333mt/s | 700 с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF3264HY-53EA3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 200-sodimm | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 200 | 256 мБ | DDR2 SDRAM | 533mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36VDDF25672Y-335D2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt36vddf25672y40bf2-datasheets-4046.pdf | 184-RDIMM | 2,5 В. | СОУДНО ПРИОН | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | 333 мг | НЕИ | 36 | 2 гр | DDR SDRAM | 333mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF3264HY-40EB4 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2010 ГОД | /files/micron-mt4htf3264hy40eb4-datasheets-5659.pdf | 200-sodimm | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 200 | 400 мг | 4 | 256 мБ | DDR2 SDRAM | 400 м/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36LSDT12872G-13ED2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 65 ° С | 0 ° С | 133 мг | В | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt36lsdf12872g133d1-datasheets-4551.pdf | 168-RDIMM | 43,2 мм | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 3,6 В. | 3В | 168 | Не | 133 мг | 36 | 1 год | SDRAM | 72b | 133 мг | 5,4 млн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF3264AY-53EB1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 240-й днаний | СОУДНО ПРИОН | 240 | 256 мБ | DDR2 SDRAM | 533mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDT6472G-265G3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18vddt6472ag262g4-datasheets-4543.pdf | 184-RDIMM | 43,2 мм | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | 266 мг | 18 | 512 мБ | DDR SDRAM | 266 мт/с | 750 с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF3264HY-40EA3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 200-sodimm | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 200 | 256 мБ | DDR2 SDRAM | 400 м/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDF12872DG-335D3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18vddf12872dg335d3-datasheets-4575.pdf | 184-RDIMM | 28,6 ММ | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | 333 мг | 18 | 1 год | DDR SDRAM | 333mt/s | 700 с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF3264AY-40EB2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 240-й днаний | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | 400 мг | 4 | 256 мБ | DDR2 SDRAM | 400 м/с | 60 ps | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF1664AY-667B1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2010 ГОД | /files/microntechnologyinc-mt4htf1664ay40eb1-datasheets-4555.pdf | 240-й днаний | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 240 | 667 мг | НЕИ | 128 мБ | DDR2 SDRAM | 64b | 667mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16VDDF12864HY-40BD2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16vddf12864hg335f2-datasheets-4338.pdf | 200-sodimm | СОУДНО ПРИОН | 200 | 1 год | DDR SDRAM | 400 м/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36VDDF12872G-40BG3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt36vddf25672y40bf2-datasheets-4046.pdf | 184-RDIMM | 30,5 мм | СОДЕРИТС | 184 | 1 год | DDR SDRAM | 400 м/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDF12872DY-335D3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2002 | /files/micron-mt18vddf12872dy335d3-datasheets-5655.pdf | 184-RDIMM | 2,5 В. | СОУДНО ПРИОН | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | 333 мг | 18 | 1 год | DDR SDRAM | 333mt/s | 700 с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36VDDF25672Y-40BD2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt36vddf25672y40bf2-datasheets-4046.pdf | 184-RDIMM | СОУДНО ПРИОН | 184 | НЕИ | 2 гр | DDR SDRAM | 400 м/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF6472DY-40EB2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf25672dy53ea1-datasheets-4423.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | 400 мг | 18 | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 400 м/с | 60 ps | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF6472AY-53EB2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | 0 ° С | CMOS | Rohs3 | 2010 ГОД | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872ay53eb1-datasheets-4422.pdf | 240-й днаний | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 240 | 240 | в дар | Не | 533 мг | E3 | МАГОВОЙ | Не | Дон | 225 | 1,8 В. | 1 ММ | Коммер | Дрэм | 3,06 Ма | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 72b | 533mt/s | 3-шТат | 267 мг | 64mx72 | 72 | 4831838208 БИТ | Обших | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDF12872Y-335D3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2002 | /files/micron-mt18vddf12872y335d3-datasheets-5628.pdf | 184-RDIMM | 2,5 В. | СОУДНО ПРИОН | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | 333 мг | 18 | 1 год | DDR SDRAM | 333mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18LSDT6472G-13ED2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 55 ° С | 0 ° С | 133 мг | В | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt18lsdt6472y13ed2-datasheets-4491.pdf | 168-RDIMM | 43,2 мм | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 3,6 В. | 3В | 168 | 133 мг | 18 | 512 мБ | SDRAM | 133 мг | 5,4 млн |
