Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактМодули Пэматит (3684)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодел | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Вес | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | Верна - | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | МАКСИМАЛАНА | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | Пефер | Терминала | Терминаланая | Надо | Терминал | ТЕМПЕРАТУРА | Raboч -yemperatura (mamaks) | Колист | Подкейгория | Питания | Поступил | Кваликакахионн Статус | Скороп | Raзmerpmayti | ТИП ПАМАТИ | ШIrIna шinыdannnых | Скороп | Вес | Вернее | ТАКТОВА | Органихая | Шirina pamayti | Плотпеф | В.С. | Ruemap | ТИП | Ох |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT9LSDT6472G-133C2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 133 мг | В | 168-Dimm | 42,5 мм | СОДЕРИТС | 168 | 512 мБ | SDRAM | 133 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT3272PHG-335G2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt3272phg335g2-datasheets-4769.pdf | 200-sodimm | 31,8 мм | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 2,7 В. | 2,3 В. | 200 | 333 мг | 9 | 256 мБ | DDR SDRAM | 333mt/s | 700 с | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT1664HG-265B2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264hy335g3-datasheets-4378.pdf | 200-sodimm | 31,8 мм | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 200 | Не | 266 мг | 128 мБ | DDR SDRAM | 64b | 266 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9LSDT872G-133G3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 55 ° С | 0 ° С | 133 мг | В | 2003 | 168-Dimm | 38,1 мм | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 168 | Не | 133 мг | 64 марта | SDRAM | 72b | 133 мг | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT3272HG-262G2 | Micron Technology Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472hy40bf2-datasheets-4326.pdf | 200-sodimm | 31,8 мм | СОДЕРИТС | 200 | 256 мБ | DDR SDRAM | 266 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT6464HY-40BD1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2002 | 200-sodimm | СОУДНО ПРИОН | 200 | 512 мБ | DDR SDRAM | 400 м/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8LSDT3264AY-133D2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | 133 мг | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16lsdt6464ag133d2-datasheets-4415.pdf | 168 лет | 28,6 ММ | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 3,6 В. | 3В | 168 | Не | 133 мг | 8 | 256 мБ | SDRAM | 64b | 133 мг | |||||||||||||||||||||||||||||
| MT9LSDT1672AG-133G1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 65 ° С | 0 ° С | 133 мг | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9lsdt1672ay133g3-datasheets-4364.pdf | 168 лет | 34,9 мм | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 168 | Не | 133 мг | 128 мБ | SDRAM | 72b | 133 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDF6472Y-40BD3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2005 | 184-RDIMM | СОУДНО ПРИОН | 184 | НЕИ | 512 мБ | DDR SDRAM | 400 м/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDF3272G-26AC1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9vddf6472y40bf3-datasheets-4290.pdf | 184-RDIMM | 28,6 ММ | СОДЕРИТС | 184 | 256 мБ | DDR SDRAM | 266 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9LSDT1672G-133G2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 55 ° С | 0 ° С | CMOS | 133 мг | В | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt9lsdt3272y13ed2-datasheets-4737.pdf | 168-RDIMM | 38,1 мм | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 168 | 3,6 В. | 3В | 168 | Не | Дон | 3,3 В. | 1,27 ММ | Коммер | 9 | Дрэм | 128 мБ | SDRAM | 72b | 3-шТат | 16mx72 | 72 | 0,018а | 5,4 млн | Обших | ||||||||||||||||||
| MT9LSDT3272Y-13ED2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 55 ° С | 0 ° С | CMOS | 133 мг | Rohs3 | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt9lsdt3272y13ed2-datasheets-4737.pdf | 168-RDIMM | 38,1 мм | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 168 | 3,6 В. | 3В | 168 | Не | Дон | 3,3 В. | 1,27 ММ | Коммер | 9 | Дрэм | 2,56 мая | 256 мБ | SDRAM | 72b | 3-шТат | 32MX72 | 72 | 0,018а | 5,4 млн | Обших | |||||||||||||||||
| MT9HTF12872AY-667A3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt9htf6472ay667b3-datasheets-4352.pdf | 240-й днаний | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 240 | Не | 667 мг | 667 | 1 год | DDR2 SDRAM | 72b | 667mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464AY-40EB3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 240-й днаний | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | 400 мг | 8 | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 400 м/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9LSDT1672AG-133G3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 65 ° С | 0 ° С | 133 мг | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9lsdt1672ay133g3-datasheets-4364.pdf | 168 лет | 34,9 мм | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 168 | Не | 133 мг | 128 мБ | SDRAM | 72b | 133 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT1664HG-335B2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264hy335g3-datasheets-4378.pdf | 200-sodimm | 31,8 мм | СОДЕРИТС | 200 | 128 мБ | DDR SDRAM | 333mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT3272G-262G3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | В | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt3272g262g3-datasheets-4759.pdf | 184-RDIMM | 43,2 мм | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 184 | 184 | Не | 266 мг | Не | Дон | 2,5 В. | 1,27 ММ | Коммер | Druegege -opmastath ics | 3,15 мая | 256 мБ | DDR SDRAM | 72b | 266 мт/с | 3-шТат | 133 мг | 32mx72 | 72 | 2415919104 БИТ | 0,036а | 0,75 млн | Обших | 8192 | ||||||||||||||||
| MT8HTF6464HY-667B3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2004 | 200-sodimm | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 200 | 667 мг | 8 | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 667mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464AY-53VB9 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 240-й днаний | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 240 | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 533mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF12872AY-40EA1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2010 ГОД | /files/microntechnologyinc-mt9htf6472ay667b3-datasheets-4352.pdf | 240-й днаний | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 240 | Не | 400 мг | 1 год | DDR2 SDRAM | 72b | 400 м/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF12872Y-53EA1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 55 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2006 | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872y40ea1-datasheets-4707.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | Не | 533 мг | 9 | 1 год | DDR2 SDRAM | 72b | 533mt/s | 500 с | |||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464HDY-40EB3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | CMOS | Rohs3 | 2010 ГОД | /files/microntechnologyinc-mt8htf6464hdy53eb3-datasheets-4368.pdf | 200-sodimm | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 200 | 200 | НЕИ | Не | Дон | NeT -lederStva | 1,8 В. | 0,6 ММ | Коммер | 65 ° С | Дрэм | 1,8 В. | 1,6 мая | Н.Квалиирована | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 400 м/с | 3-шТат | 64mx64 | 64 | 4294967296 БИТ | 0,04а | 0,6 м | Обших | 8192 | ||||||||||||||||||
| MT9HTF3272Y-53EB2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 55 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872y40ea1-datasheets-4707.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | 533 мг | 9 | 256 мБ | DDR2 SDRAM | 533mt/s | 500 с | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT6464AY-335DB | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2002 | 184-Udimm | СОУДНО ПРИОН | 184 | 512 мБ | DDR SDRAM | 333mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4VDDT1664WG-265F1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | В | 172-й-джания | СОДЕРИТС | 172 | 128 мБ | DDR SDRAM | 266 мт/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464HDY-40EB4 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2010 ГОД | /files/microntechnologyinc-mt8htf6464hdy53eb3-datasheets-4368.pdf | 200-sodimm | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 200 | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 400 м/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF6472AY-40EB3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt9htf6472ay667b3-datasheets-4352.pdf | 240-й днаний | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | 400 мг | 9 | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 400 м/с | 60 ps | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF12872Y-40EA1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 55 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2006 | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872y40ea1-datasheets-4707.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 16 | 1,9 | 1,7 | 240 | Не | 400 мг | 9 | 400 | 1 год | DDR2 SDRAM | 72b | 400 м/с | 600 с | |||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464AY-40EB9 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 240-й днаний | СОУДНО ПРИОН | 240 | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 400 м/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT6464HY-335D1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2003 | 200-sodimm | СОУДНО ПРИОН | 200 | 512 мБ | DDR SDRAM | 333mt/s |
