Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодел | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | Опрегиону | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Вес | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | PBFREE CODE | Колист | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | МАКСИМАЛАНА | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | Колист | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | Raboч -yemperatura (mamaks) | PoSta | Posta | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Колист | Подкейгория | Питания | Поступил | Кваликакахионн Статус | Raзmerpmayti | ТИП ПАМАТИ | ШIrIna шinыdannnых | Скороп | Вес | Вернее | ТАКТОВА | Органихая | Шirina pamayti | Плотпеф | В.С. | Ruemap | ТИП | Ох | Rerжimdepapa |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MT9HVF3272PKY-667B1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt9hvf12872ky667a1-datasheets-4799.pdf | 244-Minirdimm | 18,2 мм | СОУДНО ПРИОН | 244 | 256 мБ | DDR2 SDRAM | 667mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT18VDDF12872DG-335F1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18vddf12872dg335d3-datasheets-4575.pdf | 184-RDIMM | 28,1 мм | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | 333 мг | 18 | 1 год | DDR SDRAM | 333mt/s | 700 с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT9HVF6472KY-667B2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 55 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt9hvf12872ky667a1-datasheets-4799.pdf | 244-Minirdimm | 18 ММ | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 244 | 667 мг | 9 | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 667mt/s | 450 с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT8HTF12864HDY-53ED3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2006 | /files/microntechnologyinc-mt8htf3264hdy40eb3-datasheets-4650.pdf | 200-sodimm | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 200 | 1 год | DDR2 SDRAM | 533mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT18VDVF12872DG-40BF1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | CMOS | В | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872dy40bf4-datasheets-4031.pdf | 184-RDIMM | 18 ММ | СОДЕРИТС | 184 | 184 | not_compliant | Не | Дон | NeT -lederStva | 2,6 В. | 1,27 ММ | Коммер | 70 ° С | Дрэм | 2,6 В. | 6,21 май | Н.Квалиирована | 1 год | DDR SDRAM | 400 м/с | 3-шТат | 200 мг | 128mx72 | 72 | 9663676416 БИТ | 0,7 м | Обших | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
MT9VDDF6472Y-335F1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 167 мг | Синжронно | Rohs3 | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt9vddf6472y40bf3-datasheets-4290.pdf | 184-RDIMM | 133,35 мм | 28,6 ММ | 3175 ММ | 2,5 В. | СОУДНО ПРИОН | 184 | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | 1 | Арто/Скамооблани; WD-MAX | НЕИ | 8542.32.00.28 | 1 | E4 | ЗOLOTO | Дон | NeT -lederStva | 260 | 2,5 В. | 1,27 ММ | 184 | Коммер | 30 | 9 | Дрэм | 3.645MA | Н.Квалиирована | 512 мБ | DDR SDRAM | 3-шТат | 64mx8 | 8 | 0,045а | 0,7 м | Обших | Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа | ||||||||||||||||||
MT16VDDT12864AG-40BF2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16vddt12864ay40bf3-datasheets-4332.pdf | 184-Udimm | 31,2 ММ | 2,6 В. | СОДЕРИТС | 2,7 В. | 2,5 В. | 184 | 400 мг | 16 | 1 год | DDR SDRAM | 400 м/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT18VDVF12872G-335F1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | В | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872y335f4-datasheets-4044.pdf | 184-RDIMM | 18 ММ | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 184 | 184 | Не | 333 мг | Не | Дон | 2,5 В. | 1,27 ММ | Коммер | Дрэм | 7,29 май | 1 год | DDR SDRAM | 72b | 333mt/s | 3-шТат | 166 мг | 128mx72 | 72 | 9663676416 БИТ | 0,09а | Обших | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
MT9HTF3272PY-40EB1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 55 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2006 | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872y40ea1-datasheets-4707.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 240 | Не | 400 мг | 256 мБ | DDR2 SDRAM | 72b | 400 м/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT8VDDT6464AG-40BF4 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264ay335g6-datasheets-4240.pdf | 184-Udimm | 31,2 ММ | 2,6 В. | СОДЕРИТС | 184 | 2,7 В. | 2,5 В. | 184 | Не | 400 мг | Дон | 2,6 В. | 1,27 ММ | Коммер | 8 | Дрэм | 3,6 Ма | 512 мБ | DDR SDRAM | 64b | 400 м/с | 3-шТат | 200 мг | 64mx64 | 64 | 4294967296 БИТ | 0,04а | 0,7 м | Обших | |||||||||||||||||||||||||||||
MT9HTF3272KY-40EB2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 55 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2006 | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872ky40ea1-datasheets-4292.pdf | 244-Minirdimm | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 244 | 400 мг | 9 | 256 мБ | DDR2 SDRAM | 400 м/с | 60 ps | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT9VDDF6472Y-40BF1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | Rohs3 | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt9vddf6472y40bf3-datasheets-4290.pdf | 184-RDIMM | 28,6 ММ | 2,6 В. | СОУДНО ПРИОН | 184 | 2,7 В. | 2,5 В. | 184 | 400 мг | НЕИ | Дон | NeT -lederStva | 2,6 В. | 1,27 ММ | Коммер | 9 | Дрэм | 4,05 мая | Н.Квалиирована | 512 мБ | DDR SDRAM | 400 м/с | 3-шТат | 200 мг | 64mx72 | 72 | 4831838208 БИТ | 0,045а | 0,7 м | Обших | ||||||||||||||||||||||||||||
MT9HTF3272KY-53EB2 | Micron Technology Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2006 | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872ky40ea1-datasheets-4292.pdf | 244-Minirdimm | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 244 | 256 мБ | DDR2 SDRAM | 533mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT9VDVF6472G-335F1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | В | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt9vdvf6472g335f4-datasheets-4318.pdf | 184-RDIMM | 18 ММ | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 184 | 184 | Не | 333 мг | Не | Дон | 2,5 В. | 1,27 ММ | Коммер | Дрэм | 3.645MA | 512 мБ | DDR SDRAM | 72b | 333mt/s | 3-шТат | 166 мг | 64mx72 | 72 | 4831838208 БИТ | 0,045а | Обших | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
MT9HVF3272PKY-53EB1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt9hvf12872ky667a1-datasheets-4799.pdf | 244-Minirdimm | 18,2 мм | СОУДНО ПРИОН | 244 | 256 мБ | DDR2 SDRAM | 533mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT9VDVF6472G-40BF1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | CMOS | В | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt9vdvf6472g335f4-datasheets-4318.pdf | 184-RDIMM | 18 ММ | СОДЕРИТС | 184 | 184 | not_compliant | Не | Дон | NeT -lederStva | 2,6 В. | 1,27 ММ | Коммер | 70 ° С | Дрэм | 2,6 В. | 4,05 мая | Н.Квалиирована | 512 мБ | DDR SDRAM | 400 м/с | 3-шТат | 200 мг | 64mx72 | 72 | 4831838208 БИТ | 0,045а | Обших | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
MT16VDDT12864AG-335F2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16vddt12864ay335f3-datasheets-4328.pdf | 184-Udimm | 31,2 ММ | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | 333 мг | 16 | 1 год | DDR SDRAM | 333mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT8HTF12864AY-40ED1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2007 | /files/microntechnologyinc-mt8htf12864ay40ea1-datasheets-4631.pdf | 240-й днаний | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 240 | 1 год | DDR2 SDRAM | 400 м/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT9VDDT3272G-26AG3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | CMOS | В | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt3272g262g3-datasheets-4759.pdf | 184-RDIMM | 43,2 мм | СОДЕРИТС | 184 | 184 | not_compliant | Не | Дон | NeT -lederStva | 2,5 В. | 1,27 ММ | Коммер | 70 ° С | Druegege -opmastath ics | 2,5 В. | 3,15 мая | Н.Квалиирована | 256 мБ | DDR SDRAM | 266 мт/с | 3-шТат | 133 мг | 32mx72 | 72 | 2415919104 БИТ | 0,036а | 0,75 млн | Обших | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
MT18VDVF12872Y-335F1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | Rohs3 | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872y335f4-datasheets-4044.pdf | 184-RDIMM | 133,35 мм | 18 ММ | 2,5 В. | СОУДНО ПРИОН | 184 | 184 | в дар | 1 | Ear99 | Арто/Скамооблани | Не | 333 мг | 8542.32.00.36 | 1 | E4 | ЗOLOTOTO (AU) | Не | Дон | 260 | 2,5 В. | 1,27 ММ | 184 | Коммер | 2,7 В. | 2,3 В. | 30 | Дрэм | 7,29 май | 1 год | DDR SDRAM | 72b | 333mt/s | 3-шТат | 166 мг | 128mx72 | 72 | 9663676416 БИТ | 0,09а | Обших | 8192 | Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа | |||||||||||||||||
MT8HTF12864HY-40ED3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2004 | /files/micron-mt8htf12864hy40ed3-datasheets-5847.pdf | 200-sodimm | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 200 | 1 год | DDR2 SDRAM | 400 м/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT18VDDF12872Y-40BF1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18vddf6472g40bg3-datasheets-4521.pdf | 184-RDIMM | 28,1 мм | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 184 | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | Не | 400 мг | Дон | 2,6 В. | 1,27 ММ | Коммер | 18 | Дрэм | 2,6 В. | 8.1MA | 1 год | DDR SDRAM | 400 м/с | 3-шТат | 700 с | 200 мг | 128mx72 | 72 | 9663676416 БИТ | 0,09а | Обших | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||
MT9HTF3272PY-53EB1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 55 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2006 | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872y40ea1-datasheets-4707.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 240 | Не | 533 мг | 256 мБ | DDR2 SDRAM | 72b | 533mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT9HVF12872PKY-667A1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt9hvf12872ky667a1-datasheets-4799.pdf | 244-Minirdimm | 18 ММ | СОУДНО ПРИОН | 244 | 1 год | DDR2 SDRAM | 667mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT9VDVF6472Y-335F1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | Синжронно | В | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt9vdvf6472g335f4-datasheets-4318.pdf | 184-RDIMM | 18 ММ | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 184 | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | 1 | Арто/Скамооблани | 333 мг | НЕИ | 8542.32.00.36 | 1 | Дон | NeT -lederStva | 260 | 2,5 В. | 1,27 ММ | 184 | Коммер | 30 | 9 | Дрэм | 3.645MA | Н.Квалиирована | 512 мБ | DDR SDRAM | 333mt/s | 3-шТат | 700 с | 166 мг | 64mx72 | 72 | 4831838208 БИТ | 0,045а | Обших | ||||||||||||||||||||
MT9VDDT3272HG-26AG2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472hy40bf2-datasheets-4326.pdf | 200-sodimm | 31,8 мм | СОДЕРИТС | 200 | 256 мБ | DDR SDRAM | 266 мт/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT18VDVF12872DG-335F1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | В | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872dy40bf4-datasheets-4031.pdf | 184-RDIMM | 18 ММ | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 184 | 184 | Не | 333 мг | Не | Дон | 2,5 В. | 1,27 ММ | Коммер | Дрэм | 5,22 Ма | 1 год | DDR SDRAM | 72b | 333mt/s | 3-шТат | 166 мг | 128mx72 | 72 | 9663676416 БИТ | 0,7 м | Обших | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
MT18HTF25672Y-40ED2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | CMOS | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 240 | 240 | Не | Дон | NeT -lederStva | 1,8 В. | 1 ММ | Коммер | 70 ° С | Дрэм | 1,8 В. | 4,68 мая | Н.Квалиирована | 2 гр | DDR2 SDRAM | 400 м/с | 3-шТат | 200 мг | 256mx72 | 72 | 19327352832 БИТ | 0,126а | 0,6 м | Обших | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
MT18VDVF12872Y-40BF1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | Синжронно | Rohs3 | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872y335f4-datasheets-4044.pdf | 184-RDIMM | 133,35 мм | 18 ММ | 2,6 В. | СОУДНО ПРИОН | 184 | 2,7 В. | 2,5 В. | 184 | 1 | Ear99 | Арто/Скамооблани | 400 мг | НЕИ | 8542.32.00.36 | 1 | E4 | ЗOLOTO | Дон | NeT -lederStva | 260 | 2,6 В. | 1,27 ММ | 184 | Коммер | 30 | 18 | Дрэм | 8.1MA | Н.Квалиирована | 1 год | DDR SDRAM | 400 м/с | 3-шТат | 200 мг | 128mx72 | 72 | 9663676416 БИТ | 0,09а | Обших | 8192 | Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа | |||||||||||||||
MT9HTF12872KY-40ED1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872ky40ea1-datasheets-4292.pdf | 244-Minirdimm | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 244 | 1 год | DDR2 SDRAM | 400 м/с |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.