Модули памяти - Электронные компоненты Поиск - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодел ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Опрегиону Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист PBFREE CODE Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МАКСИМАЛАНА DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Питания Поступил Кваликакахионн Статус Raзmerpmayti ТИП ПАМАТИ ШIrIna шinыdannnых Скороп Вес Вернее ТАКТОВА Органихая Шirina pamayti Плотпеф В.С. Ruemap ТИП Ох Rerжimdepapa
MT9HVF3272PKY-667B1 MT9HVF3272PKY-667B1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/microntechnologyinc-mt9hvf12872ky667a1-datasheets-4799.pdf 244-Minirdimm 18,2 мм СОУДНО ПРИОН 244 256 мБ DDR2 SDRAM 667mt/s
MT18VDDF12872DG-335F1 MT18VDDF12872DG-335F1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С В 2002 /files/microntechnologyinc-mt18vddf12872dg335d3-datasheets-4575.pdf 184-RDIMM 28,1 мм 2,5 В. СОДЕРИТС 2,7 В. 2,3 В. 184 333 мг 18 1 год DDR SDRAM 333mt/s 700 с
MT9HVF6472KY-667B2 MT9HVF6472KY-667B2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 55 ° С 0 ° С Rohs3 2005 /files/microntechnologyinc-mt9hvf12872ky667a1-datasheets-4799.pdf 244-Minirdimm 18 ММ 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 1,9 1,7 244 667 мг 9 512 мБ DDR2 SDRAM 667mt/s 450 с
MT8HTF12864HDY-53ED3 MT8HTF12864HDY-53ED3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2006 /files/microntechnologyinc-mt8htf3264hdy40eb3-datasheets-4650.pdf 200-sodimm 30 мм СОУДНО ПРИОН 200 1 год DDR2 SDRAM 533mt/s
MT18VDVF12872DG-40BF1 MT18VDVF12872DG-40BF1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) CMOS В 2005 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872dy40bf4-datasheets-4031.pdf 184-RDIMM 18 ММ СОДЕРИТС 184 184 not_compliant Не Дон NeT -lederStva 2,6 В. 1,27 ММ Коммер 70 ° С Дрэм 2,6 В. 6,21 май Н.Квалиирована 1 год DDR SDRAM 400 м/с 3-шТат 200 мг 128mx72 72 9663676416 БИТ 0,7 м Обших 8192
MT9VDDF6472Y-335F1 MT9VDDF6472Y-335F1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS 167 мг Синжронно Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt9vddf6472y40bf3-datasheets-4290.pdf 184-RDIMM 133,35 мм 28,6 ММ 3175 ММ 2,5 В. СОУДНО ПРИОН 184 2,7 В. 2,3 В. 184 1 Арто/Скамооблани; WD-MAX НЕИ 8542.32.00.28 1 E4 ЗOLOTO Дон NeT -lederStva 260 2,5 В. 1,27 ММ 184 Коммер 30 9 Дрэм 3.645MA Н.Квалиирована 512 мБ DDR SDRAM 3-шТат 64mx8 8 0,045а 0,7 м Обших Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа
MT16VDDT12864AG-40BF2 MT16VDDT12864AG-40BF2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С В 2002 /files/microntechnologyinc-mt16vddt12864ay40bf3-datasheets-4332.pdf 184-Udimm 31,2 ММ 2,6 В. СОДЕРИТС 2,7 В. 2,5 В. 184 400 мг 16 1 год DDR SDRAM 400 м/с
MT18VDVF12872G-335F1 MT18VDVF12872G-335F1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS В 2003 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872y335f4-datasheets-4044.pdf 184-RDIMM 18 ММ 2,5 В. СОДЕРИТС 184 184 Не 333 мг Не Дон 2,5 В. 1,27 ММ Коммер Дрэм 7,29 май 1 год DDR SDRAM 72b 333mt/s 3-шТат 166 мг 128mx72 72 9663676416 БИТ 0,09а Обших 8192
MT9HTF3272PY-40EB1 MT9HTF3272PY-40EB1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 55 ° С 0 ° С Rohs3 2006 /files/microntechnologyinc-mt9htf12872y40ea1-datasheets-4707.pdf 240-RDIMM 30 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 240 Не 400 мг 256 мБ DDR2 SDRAM 72b 400 м/с
MT8VDDT6464AG-40BF4 MT8VDDT6464AG-40BF4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS В 2002 /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264ay335g6-datasheets-4240.pdf 184-Udimm 31,2 ММ 2,6 В. СОДЕРИТС 184 2,7 В. 2,5 В. 184 Не 400 мг Дон 2,6 В. 1,27 ММ Коммер 8 Дрэм 3,6 Ма 512 мБ DDR SDRAM 64b 400 м/с 3-шТат 200 мг 64mx64 64 4294967296 БИТ 0,04а 0,7 м Обших
MT9HTF3272KY-40EB2 MT9HTF3272KY-40EB2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 55 ° С 0 ° С Rohs3 2006 /files/microntechnologyinc-mt9htf12872ky40ea1-datasheets-4292.pdf 244-Minirdimm 30 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 1,9 1,7 244 400 мг 9 256 мБ DDR2 SDRAM 400 м/с 60 ps
MT9VDDF6472Y-40BF1 MT9VDDF6472Y-40BF1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt9vddf6472y40bf3-datasheets-4290.pdf 184-RDIMM 28,6 ММ 2,6 В. СОУДНО ПРИОН 184 2,7 В. 2,5 В. 184 400 мг НЕИ Дон NeT -lederStva 2,6 В. 1,27 ММ Коммер 9 Дрэм 4,05 мая Н.Квалиирована 512 мБ DDR SDRAM 400 м/с 3-шТат 200 мг 64mx72 72 4831838208 БИТ 0,045а 0,7 м Обших
MT9HTF3272KY-53EB2 MT9HTF3272KY-53EB2 Micron Technology Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2006 /files/microntechnologyinc-mt9htf12872ky40ea1-datasheets-4292.pdf 244-Minirdimm 30 мм СОУДНО ПРИОН 244 256 мБ DDR2 SDRAM 533mt/s
MT9VDVF6472G-335F1 MT9VDVF6472G-335F1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS В 2003 /files/microntechnologyinc-mt9vdvf6472g335f4-datasheets-4318.pdf 184-RDIMM 18 ММ 2,5 В. СОДЕРИТС 184 184 Не 333 мг Не Дон 2,5 В. 1,27 ММ Коммер Дрэм 3.645MA 512 мБ DDR SDRAM 72b 333mt/s 3-шТат 166 мг 64mx72 72 4831838208 БИТ 0,045а Обших 8192
MT9HVF3272PKY-53EB1 MT9HVF3272PKY-53EB1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/microntechnologyinc-mt9hvf12872ky667a1-datasheets-4799.pdf 244-Minirdimm 18,2 мм СОУДНО ПРИОН 244 256 мБ DDR2 SDRAM 533mt/s
MT9VDVF6472G-40BF1 MT9VDVF6472G-40BF1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) CMOS В 2003 /files/microntechnologyinc-mt9vdvf6472g335f4-datasheets-4318.pdf 184-RDIMM 18 ММ СОДЕРИТС 184 184 not_compliant Не Дон NeT -lederStva 2,6 В. 1,27 ММ Коммер 70 ° С Дрэм 2,6 В. 4,05 мая Н.Квалиирована 512 мБ DDR SDRAM 400 м/с 3-шТат 200 мг 64mx72 72 4831838208 БИТ 0,045а Обших 8192
MT16VDDT12864AG-335F2 MT16VDDT12864AG-335F2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С В 2002 /files/microntechnologyinc-mt16vddt12864ay335f3-datasheets-4328.pdf 184-Udimm 31,2 ММ 2,5 В. СОДЕРИТС 2,7 В. 2,3 В. 184 333 мг 16 1 год DDR SDRAM 333mt/s
MT8HTF12864AY-40ED1 MT8HTF12864AY-40ED1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2007 /files/microntechnologyinc-mt8htf12864ay40ea1-datasheets-4631.pdf 240-й днаний 30 мм СОУДНО ПРИОН 240 1 год DDR2 SDRAM 400 м/с
MT9VDDT3272G-26AG3 MT9VDDT3272G-26AG3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) CMOS В 2003 /files/microntechnologyinc-mt9vddt3272g262g3-datasheets-4759.pdf 184-RDIMM 43,2 мм СОДЕРИТС 184 184 not_compliant Не Дон NeT -lederStva 2,5 В. 1,27 ММ Коммер 70 ° С Druegege -opmastath ics 2,5 В. 3,15 мая Н.Квалиирована 256 мБ DDR SDRAM 266 мт/с 3-шТат 133 мг 32mx72 72 2415919104 БИТ 0,036а 0,75 млн Обших 8192
MT18VDVF12872Y-335F1 MT18VDVF12872Y-335F1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872y335f4-datasheets-4044.pdf 184-RDIMM 133,35 мм 18 ММ 2,5 В. СОУДНО ПРИОН 184 184 в дар 1 Ear99 Арто/Скамооблани Не 333 мг 8542.32.00.36 1 E4 ЗOLOTOTO (AU) Не Дон 260 2,5 В. 1,27 ММ 184 Коммер 2,7 В. 2,3 В. 30 Дрэм 7,29 май 1 год DDR SDRAM 72b 333mt/s 3-шТат 166 мг 128mx72 72 9663676416 БИТ 0,09а Обших 8192 Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа
MT8HTF12864HY-40ED3 MT8HTF12864HY-40ED3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2004 /files/micron-mt8htf12864hy40ed3-datasheets-5847.pdf 200-sodimm 30 мм СОУДНО ПРИОН 200 1 год DDR2 SDRAM 400 м/с
MT18VDDF12872Y-40BF1 MT18VDDF12872Y-40BF1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt18vddf6472g40bg3-datasheets-4521.pdf 184-RDIMM 28,1 мм 2,5 В. СОДЕРИТС 184 2,7 В. 2,3 В. 184 Не 400 мг Дон 2,6 В. 1,27 ММ Коммер 18 Дрэм 2,6 В. 8.1MA 1 год DDR SDRAM 400 м/с 3-шТат 700 с 200 мг 128mx72 72 9663676416 БИТ 0,09а Обших 8192
MT9HTF3272PY-53EB1 MT9HTF3272PY-53EB1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 55 ° С 0 ° С Rohs3 2006 /files/microntechnologyinc-mt9htf12872y40ea1-datasheets-4707.pdf 240-RDIMM 30 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 240 Не 533 мг 256 мБ DDR2 SDRAM 72b 533mt/s
MT9HVF12872PKY-667A1 MT9HVF12872PKY-667A1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/microntechnologyinc-mt9hvf12872ky667a1-datasheets-4799.pdf 244-Minirdimm 18 ММ СОУДНО ПРИОН 244 1 год DDR2 SDRAM 667mt/s
MT9VDVF6472Y-335F1 MT9VDVF6472Y-335F1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS Синжронно В 2003 /files/microntechnologyinc-mt9vdvf6472g335f4-datasheets-4318.pdf 184-RDIMM 18 ММ 2,5 В. СОДЕРИТС 184 2,7 В. 2,3 В. 184 1 Арто/Скамооблани 333 мг НЕИ 8542.32.00.36 1 Дон NeT -lederStva 260 2,5 В. 1,27 ММ 184 Коммер 30 9 Дрэм 3.645MA Н.Квалиирована 512 мБ DDR SDRAM 333mt/s 3-шТат 700 с 166 мг 64mx72 72 4831838208 БИТ 0,045а Обших
MT9VDDT3272HG-26AG2 MT9VDDT3272HG-26AG2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) В 2002 /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472hy40bf2-datasheets-4326.pdf 200-sodimm 31,8 мм СОДЕРИТС 200 256 мБ DDR SDRAM 266 мт/с
MT18VDVF12872DG-335F1 MT18VDVF12872DG-335F1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS В 2005 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872dy40bf4-datasheets-4031.pdf 184-RDIMM 18 ММ 2,5 В. СОДЕРИТС 184 184 Не 333 мг Не Дон 2,5 В. 1,27 ММ Коммер Дрэм 5,22 Ма 1 год DDR SDRAM 72b 333mt/s 3-шТат 166 мг 128mx72 72 9663676416 БИТ 0,7 м Обших 8192
MT18HTF25672Y-40ED2 MT18HTF25672Y-40ED2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf 240-RDIMM 30 мм СОУДНО ПРИОН 240 240 Не Дон NeT -lederStva 1,8 В. 1 ММ Коммер 70 ° С Дрэм 1,8 В. 4,68 мая Н.Квалиирована 2 гр DDR2 SDRAM 400 м/с 3-шТат 200 мг 256mx72 72 19327352832 БИТ 0,126а 0,6 м Обших 8192
MT18VDVF12872Y-40BF1 MT18VDVF12872Y-40BF1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS Синжронно Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872y335f4-datasheets-4044.pdf 184-RDIMM 133,35 мм 18 ММ 2,6 В. СОУДНО ПРИОН 184 2,7 В. 2,5 В. 184 1 Ear99 Арто/Скамооблани 400 мг НЕИ 8542.32.00.36 1 E4 ЗOLOTO Дон NeT -lederStva 260 2,6 В. 1,27 ММ 184 Коммер 30 18 Дрэм 8.1MA Н.Квалиирована 1 год DDR SDRAM 400 м/с 3-шТат 200 мг 128mx72 72 9663676416 БИТ 0,09а Обших 8192 Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа
MT9HTF12872KY-40ED1 MT9HTF12872KY-40ED1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/microntechnologyinc-mt9htf12872ky40ea1-datasheets-4292.pdf 244-Minirdimm 30 мм СОУДНО ПРИОН 244 1 год DDR2 SDRAM 400 м/с

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.