Модули памяти - Электронные компоненты Поиск - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела Опрегиону Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Вес Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист PBFREE CODE Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МАКСИМАЛАНА DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Форматерминала Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Питания Поступил Кваликакахионн Статус Raзmerpmayti ТИП ПАМАТИ ШIrIna шinыdannnых Скороп Вес Вернее ТАКТОВА Органихая Шirina pamayti Плотпеф В.С. Ruemap ТИП Ох Rerжimdepapa
MT18HTF12872Y-80ED6 MT18HTF12872Y-80ED6 Micron Technology Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf 240-RDIMM 29,5 мм СОУДНО ПРИОН 240 1 год DDR2 SDRAM 800 м/с
MT36HTS51272FY-667A2D3 MT36HTS51272FY-667A2D3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 95 ° С 0 ° С Rohs3 2006 /files/microntechnologyinc-mt36hts51272fy53ea3d3-datasheets-9662.pdf 240-FBDIMM 30 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 240 Не 667 мг 4 гб DDR2 SDRAM 72b 667mt/s
MT9HTF6472AY-80ED4 MT9HTF6472AY-80ED4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С 0 ° С Rohs3 2005 /files/microntechnologyinc-mt9htf6472ay667b3-datasheets-4352.pdf 240-й днаний 30 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 1,9 1,7 240 800 мг 9 512 мБ DDR2 SDRAM 800 м/с 40 с
MT4HTF3264HY-53ED3 MT4HTF3264HY-53ED3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS Rohs3 2004 /files/micron-mt4htf3264hy53ed3-datasheets-5988.pdf 200-sodimm 30 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 200 200 Не 533 мг Не Дон 1,8 В. 0,6 мм Коммер Дрэм 1,36 Ма 256 мБ DDR2 SDRAM 64b 533mt/s 3-шТат 267 мг 32MX64 64 2147483648 БИТ 0,028а 0,5 млн Обших 8192
MT18HTF12872Y-667D6 MT18HTF12872Y-667D6 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf 240-RDIMM 29,5 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 1,9 1,7 240 667 мг 18 1 год DDR2 SDRAM 667mt/s 45 ps
MT9HTF6472PY-40ED2 MT9HTF6472PY-40ED2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 55 ° С 0 ° С CMOS Rohs3 2006 /files/microntechnologyinc-mt9htf12872y40ea1-datasheets-4707.pdf 240-RDIMM 30 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 240 240 в дар Не 400 мг E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Не Дон 260 1,8 В. 1 ММ Коммер 30 Druegege -opmastath ics 1,98 мая 512 мБ DDR2 SDRAM 72b 400 м/с 3-шТат 200 мг 64mx72 72 4831838208 БИТ 0,063а 0,6 м Обших 8192
MT18HTF12872PY-53ED2 MT18HTF12872PY-53ED2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf 240-RDIMM 30 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 1,9 1,7 240 533 мг 18 1 год DDR2 SDRAM 533mt/s 50 с
MT9HTF6472Y-53ED4 MT9HTF6472Y-53ED4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt9htf12872y40ea1-datasheets-4707.pdf 240-RDIMM 30 мм СОУДНО ПРИОН 240 512 мБ DDR2 SDRAM 533mt/s
MT16HTF12864AY-53ED1 MT16HTF12864AY-53ED1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt16htf25664ay53ea1-datasheets-4400.pdf 240-й днаний 30 мм СОУДНО ПРИОН 240 1 год DDR2 SDRAM 533mt/s
MT18HTF25672FDY-53EA5D3 MT18HTF25672FDY-53EA5D3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2006 /files/microntechnologyinc-mt18htf12872fdy667b5d3-datasheets-4973.pdf 240-FBDIMM 30 мм СОУДНО ПРИОН 240 2 гр DDR2 SDRAM 533mt/s
MT18HTF25672PY-40EA2 MT18HTF25672PY-40EA2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf 240-RDIMM 30 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 240 Не 400 мг 2 гр DDR2 SDRAM 72b 400 м/с
MT36HTS51272FY-53EA3D3 MT36HTS51272FY-53EA3D3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2006 /files/microntechnologyinc-mt36hts51272fy53ea3d3-datasheets-9662.pdf 240-FBDIMM 30 мм СОУДНО ПРИОН 240 4 гб DDR2 SDRAM 533mt/s
MT8HTF6464AY-53ED8 MT8HTF6464AY-53ED8 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt8htf12864ay40ea1-datasheets-4631.pdf 240-й днаний 30 мм СОУДНО ПРИОН 240 512 мБ DDR2 SDRAM 533mt/s
MT36HTS51272FY-53EA2E3 MT36HTS51272FY-53EA2E3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2006 /files/microntechnologyinc-mt36hts51272fy53ea3d3-datasheets-9662.pdf 240-FBDIMM 30 мм СОУДНО ПРИОН 240 4 гб DDR2 SDRAM 533mt/s
MT5HTF6472KY-667A2 MT5HTF6472KY-667A2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2006 /files/microntechnologyinc-mt5htf3272ky53eb2-datasheets-4931.pdf 244-Dimm 30 мм СОУДНО ПРИОН 244 512 мБ DDR2 SDRAM 667mt/s
MT18HTF25672PY-53EA2 MT18HTF25672PY-53EA2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf 240-RDIMM 30 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 240 Не 533 мг 2 гр DDR2 SDRAM 72b 533mt/s
MT4HSF3264HY-667D3 MT4HSF3264HY-667D3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 240-Dimm СОУДНО ПРИОН 240 256 мБ DDR2 SDRAM 667mt/s
MT9HTF12872KY-667A2 MT9HTF12872KY-667A2 Micron Technology Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2006 /files/microntechnologyinc-mt9htf12872ky40ea1-datasheets-4292.pdf 244-Minirdimm 30 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 244 Не 667 мг 1 год DDR2 SDRAM 72b 667mt/s
MT8HTF6464HDY-40ED3 MT8HTF6464HDY-40ED3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) CMOS Синжронно Rohs3 2006 /files/microntechnologyinc-mt8htf3264hdy40eb3-datasheets-4650.pdf 200-sodimm 30 мм СОУДНО ПРИОН 200 200 в дар 1 Ear99 Авто/Скамо 8542.32.00.36 1 E4 ЗOLOTO Не Дон NeT -lederStva 260 1,8 В. 0,6 мм 200 Коммер 70 ° С 3,6 В. 1,7 30 Дрэм 1,8 В. 1,36 Ма Н.Квалисирована 512 мБ DDR2 SDRAM 400 м/с 3-шТат 128mx64 64 8589934592 БИТ 0,056а 0,6 м Обших 8192 Дюно -бандж Страни -в
MT18HTF25672FY-667A5D3 MT18HTF25672FY-667A5D3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 95 ° С 0 ° С Rohs3 2005 /files/microntechnologyinc-mt18htf12872fy53eb5e3-datasheets-4961.pdf 240-FBDIMM 30 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 1,9 1,7 240 Не 667 мг 18 2 гр DDR2 SDRAM 72b 667mt/s
MT4HTF3264AY-53ED3 MT4HTF3264AY-53ED3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С 0 ° С CMOS Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt4htf1664ay40eb1-datasheets-4555.pdf 240-й днаний 29,5 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 240 1,9 1,7 240 533 мг НЕИ Дон NeT -lederStva 1,8 В. 1 ММ Коммер 4 Дрэм 1,36 Ма Н.Квалисирована 256 мБ DDR2 SDRAM 533mt/s 3-шТат 50 с 267 мг 64 Обших 8192
MT18HTF25672Y-667A6 MT18HTF25672Y-667A6 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf 240-RDIMM 29,5 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 240 Не 667 мг 2 гр DDR2 SDRAM 72b 667mt/s
MT16HTF12864AY-40ED1 MT16HTF12864AY-40ED1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt16htf25664ay53ea1-datasheets-4400.pdf 240-й днаний 30 мм СОУДНО ПРИОН 240 1 год DDR2 SDRAM 400 м/с
MT36HTS51272Y-53EA2 MT36HTS51272Y-53EA2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt36htj51272y40ea2-datasheets-4366.pdf 240-FBDIMM СОУДНО ПРИОН 240 4 гб DDR2 SDRAM 533mt/s
MT16HTF12864AY-80ED3 MT16HTF12864AY-80ED3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt16htf25664ay53ea1-datasheets-4400.pdf 240-й днаний 30 мм СОУДНО ПРИОН 240 1 год DDR2 SDRAM 800 м/с
MT9HTF12872FY-53EA4D3 MT9HTF12872FY-53EA4D3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/microntechnologyinc-mt9htf6472fy53eb4d3-datasheets-4969.pdf 240-FBDIMM 30,4 мм СОУДНО ПРИОН 240 1 год DDR2 SDRAM 533mt/s
MT5HTF6472PKY-667A2 MT5HTF6472PKY-667A2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2006 /files/microntechnologyinc-mt5htf3272ky53eb2-datasheets-4931.pdf 244-Dimm 30 мм СОУДНО ПРИОН 244 512 мБ DDR2 SDRAM 667mt/s
MT9HTF12872FY-667A4D3 MT9HTF12872FY-667A4D3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/microntechnologyinc-mt9htf6472fy53eb4d3-datasheets-4969.pdf 240-FBDIMM 30,4 мм СОУДНО ПРИОН 240 1 год DDR2 SDRAM 667mt/s
MT18HTF25672FDY-667A5E3 MT18HTF25672FDY-667A5E3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2006 /files/microntechnologyinc-mt18htf12872fdy667b5d3-datasheets-4973.pdf 240-FBDIMM 30 мм СОУДНО ПРИОН 240 2 гр DDR2 SDRAM 667mt/s
MT18HTF25672FY-53EA5D3 MT18HTF25672FY-53EA5D3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 95 ° С 0 ° С Rohs3 2005 /files/microntechnologyinc-mt18htf12872fy53eb5e3-datasheets-4961.pdf 240-FBDIMM 30 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 240 Не 667 мг 2 гр DDR2 SDRAM 72b 533mt/s

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.