Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактМодули Пэматит (3684)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | Опрегиону | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Вес | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | Верна - | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | PBFREE CODE | Колист | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | МАКСИМАЛАНА | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | Колист | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | Raboч -yemperatura (mamaks) | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Колист | Подкейгория | Питания | Поступил | Кваликакахионн Статус | Raзmerpmayti | ТИП ПАМАТИ | ШIrIna шinыdannnых | Скороп | Вес | Вернее | ТАКТОВА | Органихая | Шirina pamayti | Плотпеф | В.С. | Ruemap | ТИП | Ох | Rerжimdepapa |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT36HTF25672PY-667DZES | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt36htf25672py53eb1-datasheets-4971.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 240 | 2 gb | DDR2 SDRAM | 667mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872FDY-667D5E3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 95 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2006 | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872fdy667b5d3-datasheets-4973.pdf | 240-FBDIMM | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | 667 мг | 18 | 1 год | DDR2 SDRAM | 667mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4LSDT864AY-13EG2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 65 ° С | 0 ° С | 133 мг | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt4lsdt1664ay13ed1-datasheets-4038.pdf | 168 лет | 25 ММ | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 3,6 В. | 3В | 168 | Не | 133 мг | 4 | 64 марта | SDRAM | 64b | 133 мг | 5,4 млн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF6472AY-800D1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872ay53ed1-datasheets-4791.pdf | 240-й днаний | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | 800 мг | 9 | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 800 м/с | 40 с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HVF12872PY-667D1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18hvf12872py667d1-datasheets-9983.pdf | 240-RDIMM | 18 ММ | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | 667 мг | 18 | 1 год | DDR2 SDRAM | 667mt/s | 45 ps | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF6472KY-667D2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2006 | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872ky40ea1-datasheets-4292.pdf | 244-Minirdimm | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 244 | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 667mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36HTF25672PY-80ED2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2010 ГОД | /files/microntechnologyinc-mt36htf25672py80ed2-datasheets-9987.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 240 | НЕИ | 2 gb | DDR2 SDRAM | 800 м/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36HTF25672Y-80ED1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | CMOS | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt36htf25672py53eb1-datasheets-4971.pdf | 240-RDIMM | 29,5 мм | СОУДНО ПРИОН | 240 | 240 | в дар | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | Не | Дон | NeT -lederStva | 260 | 1,8 В. | 1 ММ | Коммер | 55 ° С | 30 | Druegege -opmastath ics | 1,8 В. | 5526 май | Н.Квалиирована | 2 gb | DDR2 SDRAM | 800 м/с | 3-шТат | 400 мг | 256mx72 | 72 | 19327352832 БИТ | 0,4 млн | Обших | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||
| MT36HTF25672Y-53ED1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt36htf25672py53eb1-datasheets-4971.pdf | 240-RDIMM | 29,5 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | 533 мг | 36 | 2 gb | DDR2 SDRAM | 533mt/s | 50 с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872DY-40ED3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf25672dy53ea1-datasheets-4423.pdf | 240-RDIMM | 29,5 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | 400 мг | 18 | 1 год | DDR2 SDRAM | 400 м/с | 60 ps | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4LSDT864HY-133G2 | Micron Technology Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 65 ° С | 0 ° С | CMOS | 133 мг | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt4lsdt1664hg13ed1-datasheets-4598.pdf | 144-Sodimm | 67 585 мм | 25 ММ | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 144 | 3,6 В. | 3В | 144 | 1 | Ear99 | Арто/Скамооблани; WD-MAX | Не | 1 | E4 | ЗOLOTO | Я | 260 | 3,3 В. | 144 | Коммер | 30 | 4 | 64 марта | SDRAM | 64b | 64 | 536870912 БИТ | Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа | |||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872Y-53ED6 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf | 240-RDIMM | 29,5 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | 533 мг | 18 | 1 год | DDR2 SDRAM | 533mt/s | 50 с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HVF6472PY-667D1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 90 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2010 ГОД | /files/microntechnologyinc-mt9hvf6472py667d1-datasheets-9955.pdf | 240-RDIMM | 18 ММ | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | 667 мг | 9 | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 667mt/s | 45 ps | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36HTS51272FY-667A2E3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 95 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2006 | /files/microntechnologyinc-mt36hts51272fy53ea3d3-datasheets-9662.pdf | 240-FBDIMM | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 240 | Не | 667 мг | 4 гб | DDR2 SDRAM | 72b | 667mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872PY-80ED2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 240 | 1,9 | 1,7 | 240 | Не | 800 мг | Дон | 1,8 В. | 1 ММ | Коммер | 18 | Druegege -opmastath ics | 5,4 мая | 1 год | DDR2 SDRAM | 72b | 800 м/с | 3-шТат | 40 с | 400 мг | 128mx72 | 72 | 9663676416 БИТ | 0,126а | Обших | 8192 | |||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872DY-53ED3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf25672dy53ea1-datasheets-4423.pdf | 240-RDIMM | 29,5 мм | СОУДНО ПРИОН | 240 | 1 год | DDR2 SDRAM | 533mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36HTF25672PY-667D1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | 0 ° С | CMOS | Синжронно | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt36htf25672py53eb1-datasheets-4971.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 240 | 1,9 | 1,7 | 240 | 1 | Ear99 | Арто/Скамооблани | 667 мг | НЕИ | 1 | E4 | ЗOLOTO | Дон | NeT -lederStva | 260 | 1,8 В. | 240 | Drugoй | 30 | 36 | Н.Квалиирована | 2 gb | DDR2 SDRAM | 667mt/s | 45 ps | 256mx72 | 72 | 19327352832 БИТ | ||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872FY-53ED5E3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 95 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872fy53eb5e3-datasheets-4961.pdf | 240-FBDIMM | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | Не | 533 мг | 18 | 1 год | DDR2 SDRAM | 72b | 533mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872PDY-667D2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf25672dy53ea1-datasheets-4423.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | 667 мг | 18 | 1 год | DDR2 SDRAM | 667mt/s | 45 ps | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16HTF12864AY-667D4 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16htf25664ay53ea1-datasheets-4400.pdf | 240-й днаний | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 240 | 1,9 | 1,7 | 240 | 667 мг | НЕИ | Дон | NeT -lederStva | 1,8 В. | 1 ММ | Коммер | 16 | Дрэм | 1.976MA | Н.Квалиирована | 1 год | DDR2 SDRAM | 667mt/s | 3-шТат | 45 ps | 333 мг | 128mx64 | 64 | 8589934592 БИТ | 0,112а | Обших | 8192 | ||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464HDY-667D3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | Rohs3 | 2006 | /files/microntechnologyinc-mt8htf3264hdy40eb3-datasheets-4650.pdf | 200-sodimm | 67,6 ММ | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 200 | 1,9 | 1,7 | 200 | 1 | Ear99 | Арто/Скамооблани | Не | 667 мг | 1 | E4 | ЗOLOTO | Дон | 260 | 1,8 В. | 0,6 ММ | 200 | Коммер | 30 | 8 | Дрэм | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 64b | 667mt/s | 3-шТат | 333 мг | 64mx64 | 4294967296 БИТ | 0,056а | 0,45 м | Обших | Дюно -бандж Страни -в | |||||||||||||||||
| MT18HTF12872Y-40ED5 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf | 240-RDIMM | 29,5 мм | СОУДНО ПРИОН | 240 | 1 год | DDR2 SDRAM | 400 м/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872FDY-53ED5E3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 95 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2006 | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872fdy667b5d3-datasheets-4973.pdf | 240-FBDIMM | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 240 | Не | 533 мг | 1 год | DDR2 SDRAM | 72b | 533mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464AY-40ED7 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt8htf12864ay40ea1-datasheets-4631.pdf | 240-й днаний | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 240 | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 400 м/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872AY-53ED4 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872ay53eb1-datasheets-4422.pdf | 240-й днаний | 29,5 мм | СОУДНО ПРИОН | 240 | 1,9 | 1,7 | 240 | 533 мг | НЕИ | Дон | NeT -lederStva | 1,8 В. | 1 ММ | Коммер | 18 | Дрэм | 1,8 В. | 3,06 Ма | Н.Квалиирована | 1 год | DDR2 SDRAM | 533mt/s | 3-шТат | 50 с | 267 мг | 128mx72 | 72 | 9663676416 БИТ | Обших | 8192 | |||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF6472FY-53ED4E3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt9htf6472fy53eb4d3-datasheets-4969.pdf | 240-FBDIMM | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 240 | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 533mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872PDY-40ED2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf25672dy53ea1-datasheets-4423.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 240 | 240 | в дар | Не | 400 мг | E3 | МАГОВОЙ | Не | Дон | 260 | 1,8 В. | 1 ММ | Коммер | 30 | Дрэм | 2.043MA | 1 год | DDR2 SDRAM | 72b | 400 м/с | 3-шТат | 200 мг | 128mx72 | 72 | 9663676416 БИТ | 0,126а | 0,6 м | Обших | 8192 | |||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872Y-40ED6 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf | 240-RDIMM | 29,5 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 16 | 1,9 | 1,7 | 240 | 400 мг | 18 | 1 год | DDR2 SDRAM | 400 м/с | 60 ps | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF6472FY-667D4E3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt9htf6472fy53eb4d3-datasheets-4969.pdf | 240-FBDIMM | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 240 | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 667mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF6472Y-80ED4 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872y40ea1-datasheets-4707.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 240 | Не | 800 мг | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 72b | 800 м/с |
