Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактМодули Пэматит (3684)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колиство | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | Опрегиону | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Вес | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | PBFREE CODE | Колист | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe yproчneneenee | МАКСИМАЛАНА | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | Колист | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | Raboч -yemperatura (mamaks) | PoSta | Posta | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Колист | Подкейгория | Питания | Поступил | Кваликакахионн Статус | Raзmerpmayti | ТИП ПАМАТИ | ШIrIna шinыdannnых | Скороп | Вес | Вернее | ТАКТОВА | Органихая | Шirina pamayti | Плотпеф | В.С. | Ruemap | ТИП | Ох | Rerжimdepapa |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT9VDDT3272G-335G3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | CMOS | Синжронно | В | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt3272g262g3-datasheets-4759.pdf | 184-RDIMM | 43,2 мм | СОДЕРИТС | 184 | 184 | не | 1 | Ear99 | Арто/Скамооблани | not_compliant | 8542.32.00.36 | 1 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Не | Дон | NeT -lederStva | 235 | 2,5 В. | 1,27 ММ | 184 | Коммер | 70 ° С | 3,6 В. | 2,3 В. | 30 | Druegege -opmastath ics | 2,5 В. | 3,69 май | Н.Квалиирована | 256 мБ | DDR SDRAM | 333mt/s | 3-шТат | 167 мг | 32mx72 | 72 | 2415919104 БИТ | 0,036а | 0,7 м | Обших | 8192 | Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа | ||||||||||||||||||
| MT8HTF12864HDY-40ED3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2006 | /files/microntechnologyinc-mt8htf3264hdy40eb3-datasheets-4650.pdf | 200-sodimm | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 200 | 1 год | DDR2 SDRAM | 400 м/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT3272AG-26AG4 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472ay335f1-datasheets-4294.pdf | 184-Udimm | 31,8 мм | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 184 | 184 | Не | 266 мг | Не | Дон | 2,5 В. | 1,27 ММ | Коммер | Druegege -opmastath ics | 3,15 мая | 256 мБ | DDR SDRAM | 72b | 266 мт/с | 3-шТат | 133 мг | 32mx72 | 72 | 2415919104 БИТ | 0,036а | 0,75 млн | Обших | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HVF12872KY-667A1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt9hvf12872ky667a1-datasheets-4799.pdf | 244-Minirdimm | 18,2 мм | СОУДНО ПРИОН | 244 | 1 год | DDR2 SDRAM | 667mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDT6472AG-335G4 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18vddt6472ag262g4-datasheets-4543.pdf | 184-Udimm | 31,8 мм | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | 333 мг | 18 | 512 мБ | DDR SDRAM | 333mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT6472G-265D2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | В | 2005 | 184-RDIMM | 43,2 мм | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | 266 мг | 9 | 512 мБ | DDR SDRAM | 266 мт/с | 750 с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9LSDT1672AG-13EG3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 65 ° С | 0 ° С | 133 мг | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9lsdt1672ay133g3-datasheets-4364.pdf | 168 лет | 34,9 мм | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 168 | Не | 133 мг | 128 мБ | SDRAM | 72b | 133 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9LSDT3272G-13ED2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 55 ° С | 0 ° С | 133 мг | В | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt9lsdt3272y13ed2-datasheets-4737.pdf | 168-RDIMM | 38,1 мм | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 3,6 В. | 3В | 168 | 133 мг | 9 | 256 мБ | SDRAM | 133 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDF3272G-265G3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9vddf6472y40bf3-datasheets-4290.pdf | 184-RDIMM | 28,6 ММ | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 184 | 184 | Не | 266 мг | Не | Дон | 2,5 В. | 1,27 ММ | Коммер | Druegege -opmastath ics | 3,15 мая | 256 мБ | DDR SDRAM | 72b | 266 мт/с | 3-шТат | 133 мг | 32mx72 | 72 | 2415919104 БИТ | 0,036а | 0,75 млн | Обших | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDF12872G-335F1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18vddf6472g40bg3-datasheets-4521.pdf | 184-RDIMM | 28,1 мм | СОДЕРИТС | 184 | 1 год | DDR SDRAM | 333mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT6472PHG-335D2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | В | 2002 | 200-sodimm | 31,8 мм | СОДЕРИТС | 200 | 512 мБ | DDR SDRAM | 333mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF12872KY-53ED1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872ky40ea1-datasheets-4292.pdf | 244-Minirdimm | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 244 | 1 год | DDR2 SDRAM | 533mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16HTF25664AY-53ED1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16htf25664ay53ea1-datasheets-4400.pdf | 240-й днаний | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 240 | 2 гр | DDR2 SDRAM | 533mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF25672PY-667D1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 240 | 2 гр | DDR2 SDRAM | 667mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT3272AG-265G4 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472ay335f1-datasheets-4294.pdf | 184-Udimm | 31,8 мм | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 184 | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | 266 мг | not_compliant | Дон | NeT -lederStva | 2,5 В. | 1,27 ММ | Коммер | 9 | Druegege -opmastath ics | 3.285MA | Н.Квалиирована | 256 мБ | DDR SDRAM | 266 мт/с | 3-шТат | 133 мг | 32mx72 | 72 | 0,036а | 0,75 млн | Обших | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT6472PHG-335F2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt3272phg335g2-datasheets-4769.pdf | 200-sodimm | 31,8 мм | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 2,7 В. | 2,3 В. | 200 | 333 мг | 9 | 512 мБ | DDR SDRAM | 333mt/s | 700 с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT3264AG-262G4 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264ay335g6-datasheets-4240.pdf | 184-Udimm | 31,8 мм | СОДЕРИТС | 184 | 256 мБ | DDR SDRAM | 266 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF25672AY-53ED1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2010 ГОД | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872ay53eb1-datasheets-4422.pdf | 240-й днаний | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 240 | 2 гр | DDR2 SDRAM | 533mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT6472AY-335D1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | CMOS | Синжронно | 3,18 мм | Rohs3 | 2003 | 184-Udimm | 133,35 мм | 31,75 мм | СОУДНО ПРИОН | 184 | 184 | 1 | Ear99 | Арто/Скамооблани | 8542.32.00.36 | 1 | E4 | ЗOLOTO | Не | Дон | NeT -lederStva | 260 | 2,5 В. | 1,27 ММ | 184 | Коммер | 70 ° С | 2,7 В. | 2,3 В. | 30 | Druegege -opmastath ics | 2,5 В. | 3.645MA | Н.Квалиирована | 512 мБ | DDR SDRAM | 333mt/s | 3-шТат | 167 мг | 64mx72 | 72 | 4831838208 БИТ | 0,045а | 0,7 м | Обших | 8192 | Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа | ||||||||||||||||||||
| MT8VDDT6464AY-335F4 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264ay335g6-datasheets-4240.pdf | 184-Udimm | 31,2 ММ | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 184 | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | Не | 333 мг | Дон | 2,5 В. | 1,27 ММ | Коммер | 8 | Дрэм | 3,24 мая | 512 мБ | DDR SDRAM | 64b | 333mt/s | 3-шТат | 167 мг | 64mx64 | 64 | 4294967296 БИТ | 0,04а | 0,7 м | Обших | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF6472Y-40EB2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | 1 (neograniчennnый) | 55 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 240-RDIMM | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | 400 мг | 9 | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 400 м/с | 600 с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT3272AG-262G4 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | CMOS | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472ay335f1-datasheets-4294.pdf | 184-Udimm | 31,8 мм | СОДЕРИТС | 184 | 184 | НЕИ | Не | Дон | NeT -lederStva | 2,5 В. | 1,27 ММ | Коммер | 70 ° С | Druegege -opmastath ics | 2,5 В. | 3,15 мая | Н.Квалиирована | 256 мБ | DDR SDRAM | 266 мт/с | 3-шТат | 133 мг | 32mx72 | 72 | 2415919104 БИТ | 0,036а | 0,75 млн | Обших | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT6464HY-265D1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2003 | 200-sodimm | СОУДНО ПРИОН | 200 | 512 мБ | DDR SDRAM | 266 мт/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT5LSDT872AG-13EG1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 65 ° С | 0 ° С | 133 мг | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt5lsdt872ag133g1-datasheets-4629.pdf | 168 лет | 25,4 мм | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 3,6 В. | 3В | 168 | Не | 133 мг | 5 | 64 марта | SDRAM | 72b | 133 мг | 5,4 млн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9LSDT3272AG-13ED2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 65 ° С | 0 ° С | 133 мг | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18lsdt6472ag13ed2-datasheets-4511.pdf | 168 лет | 34,9 мм | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 3,6 В. | 3В | 168 | 133 мг | 9 | 256 мБ | SDRAM | 133 мг | 5,4 млн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDF6472Y-335D3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2002 | 184-RDIMM | 2,5 В. | СОУДНО ПРИОН | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | 333 мг | НЕИ | 9 | 512 мБ | DDR SDRAM | 333mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9LSDT6472G-133C2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 133 мг | В | 168-Dimm | 42,5 мм | СОДЕРИТС | 168 | 512 мБ | SDRAM | 133 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT3272PHG-335G2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt3272phg335g2-datasheets-4769.pdf | 200-sodimm | 31,8 мм | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 2,7 В. | 2,3 В. | 200 | 333 мг | 9 | 256 мБ | DDR SDRAM | 333mt/s | 700 с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT1664HG-265B2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264hy335g3-datasheets-4378.pdf | 200-sodimm | 31,8 мм | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 200 | Не | 266 мг | 128 мБ | DDR SDRAM | 64b | 266 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9LSDT872G-133G3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 55 ° С | 0 ° С | 133 мг | В | 2003 | 168-Dimm | 38,1 мм | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 168 | Не | 133 мг | 64 марта | SDRAM | 72b | 133 мг |
