Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактМодули Пэматит (3684)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | В припании | Вернояж | Тела | ЧastoTA | Опрегиону | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Шyrina | Колист | Верна - | Колист | Колист | КОД ECCN | Доленитейн Ая | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | Колист | Пефер | Терминала | Терминаланая | Надо | Терминал | ТЕМПЕРАТУРА | Raboч -yemperatura (mamaks) | PoSta | Posta | КОД JESD-30 | Raзmerpmayti | ТИП ПАМАТИ | Скороп | Органихая | Шirina pamayti | Плотпеф | Rerжimdepapa |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AQ12P72D8BLF8M | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Модул | 6 | 4 гб | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AW12P64B8BLF8MW | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 6 | 4 гб | DDR3 SDRAM | 1066mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ12M72D8BLH9M | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Модул | 6 | 4 гб | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AW12P64B8BLH9MW | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 6 | 4 гб | DDR3 SDRAM | 1333mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VP9ML4G7224JBJSB | Веса | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | CMOS | Синжронно | 31,4 мм | ROHS COMPRINT | /files/vikingtechnology-vp9ml8g7224jejsb-datasheets-0562.pdf | 288-lrdimm | 133,35 мм | 3,9 мм | 288 | 1 | Арто/Скамооблани; WD-MAX | НЕИ | 1 | Не | Дон | NeT -lederStva | 1,2 В. | Drugoй | 95 ° С | 1,26 | 1,14 | R-XDMA-N288 | 32 gb | DDR4 SDRAM | 2400 м/с | 4GX72 | 72 | 309237645312 БИТ | Дюно -бандж Страни -в | ||||||||||
| SFUI4096J1AE2TO-C-QT-2A1-STD | Swissbit | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | U-500 | Neprigodnnый | Rohs3 | Модул | 4 neDe | 4 гб | Flash - nand (SLC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ12P72X8BLH9M | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Модул | 6 | 4 гб | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4KTF25664AZ-1G9P1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 3 (168 чASOW) | CMOS | Синжронно | 30,5 мм | Rohs3 | 2015 | /files/microntechnologyinc-mt4ktf25664az1g6e1-datasheets-1755.pdf | 240-й днаний | 133,35 мм | 2,7 ММ | 240 | 3 nede | 240 | 1 | Ear99 | Арто/Скамооблани; Wd-max; ТАКАКОТА | 1 | Не | Дон | NeT -lederStva | 1,35 В. | 1 ММ | Коммер | 70 ° С | 1,45 | 1.283V | 2 гр | DDR3L SDRAM | 1866mt/s | 256mx64 | 64 | 17179869184 БИТ | Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа | |||||||
| AQ12P6418BLF8M | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Модул | 6 | 4 гб | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AW12P7218BLF8M | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 240-й днаний | 6 | 4 гб | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A4C04QV8BLRCSE | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 288-й | 6 | 4 гб | DDR4 SDRAM | 2400 м/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A4B04QD8BLPBSE | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Модул | 6 | 4 гб | DDR4 SDRAM | 2400 м/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ12M72D8BLF8M | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Модул | 6 | 4 гб | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ12M6418BLK0M | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Модул | 6 | 4 гб | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ12M72X8BLK0S | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Модул | 6 | 4 гб | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AL12M72A8BLMAM | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Модул | 6 | 4 гб | DDR3L SDRAM | 1866mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A4K04Q18BLPBSE | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 288-Miniudimm | 6 | 4 гб | DDR4 SDRAM | 2400 м/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A4G04QA8BLPBME | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 260-й | 6 | 4 гб | DDR4 SDRAM | 2133mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ12P6418BKF8M | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Модул | 6 | 4 гб | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AH56K72T8BJE6M | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | В | Модул | 6 | 2 гр | DDR2 SDRAM | 667mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ12M72D8BLH9S | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Модул | 6 | 4 гб | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFUI4096J1AB1TO-C-MS-211-STD | Swissbit | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | U-400 | Neprigodnnый | Rohs3 | Модул | 17 | 4 гб | Flash - nand (SLC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| A4C04QD8BLPBSE | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 288-й | 6 | 4 гб | DDR4 SDRAM | 2400 м/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ12M72X8BLF8M | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Модул | 6 | 4 гб | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A4D04Q38BLRCSE | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Модул | 6 | 4 гб | DDR4 SDRAM | 2400 м/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ12P72D8BLK0M | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Модул | 6 | 4 гб | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ12P72D8BLK0S | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Модул | 6 | 4 гб | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AW12P7218BLH9S | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 240-й днаний | 6 | 4 гб | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA8ATF1G64AZ-3G2J1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 3 (168 чASOW) | Rohs3 | 288-й | 7 | 8 gb | DDR4 SDRAM | 3,2GT/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| WD2SN02GX816-667G-PF | Wintec Industries | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 667 мг | ROHS COMPRINT | 2012 | /files/wintecindustries-wd2ae512x809667gpe-datasheets-0160.pdf | 200-sodimm | 200 | 2 гр | DDR2 SDRAM | 667 мг |
