Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМодули памяти(3684)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Код JESD-30 | Размер | Тип | Ширина шины данных | Скорость | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Защита от ЭСР | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Режим доступа | Максимальная скорость передачи данных хоста |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MTEDCBR008SAJ-1N2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | КМОП | 5,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 3,3 В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 10 | 5 недель | USB | 64 ГБ | 8542.31.00.01 | 3,3 В | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | НЕ УКАЗАН | Р-XXMA-N10 | 8 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCAR016SAJ-1N2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | КМОП | 9,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 3,3 В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 10 | USB | 128 ГБ | 8542.31.00.01 | 3,3 В | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | НЕ УКАЗАН | Р-XXMA-N10 | 16 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCBR008SAJ-1N2IT | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | КМОП | 5,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 3,3 В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 10 | USB | 64 ГБ | 8542.31.00.01 | 3,3 В | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | Р-XXMA-N10 | 8 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ16ХТФ25664ХИЗ-667М1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,15 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microntechnologyinc-mt16htf51264hz800c1-datasheets-0204.pdf | 200-SODIMM | 67,6 мм | 1,8 В | 200 | 5 недель | 200 | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 333,33 МГц | 1 | НЕТ | ЗИГ-ЗАГ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 1,9 В | 1,7 В | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 64б | 667МТ/с | 256MX64 | 64 | 17179869184 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МММ-3020-DSL | Терасик Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 200-SODIMM | 8 недель | 200 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 800 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCAR008SAJ-1N2IT | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | 9,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 3,3 В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 3,3 В | Без свинца | 10 | USB | 64 ГБ | 8542.31.00.01 | 3,3 В | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | Р-XXMA-N10 | 8 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCAE016SAJ-1N2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 9,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 5В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 10 | 5,25 В | 2,85 В | USB | 128 ГБ | 8542.31.00.01 | 5В | ДА | НЕУКАЗАНО | 5В | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-XXMA-N10 | 16 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | Нет | 30 МБ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCBE004SAJ-1N2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | КМОП | 5,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 5В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 10 | USB | 32 ГБ | 8542.31.00.01 | 5В | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 5В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | НЕ УКАЗАН | Р-XXMA-N10 | 4ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SGN02G64D2BD1SA-DCWRT | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 204-SODIMM | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCBE008SAJ-1N2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | КМОП | 5,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 5В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 10 | USB | 64 ГБ | 8542.31.00.01 | 5В | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 5В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | НЕ УКАЗАН | Р-XXMA-N10 | 8 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF12864HZ-800M1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf12864hz800m1-datasheets-1722.pdf | 200-SODIMM | 1,8 В | 5 недель | 1,9 В | 1,7 В | 200 | Золото | 400 МГц | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 64б | 800 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ18ХТФ25672АЗ-80ЭМ1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microntechnologyinc-mt18htf25672az80em1-datasheets-1707.pdf | 240-УДИММ | 133,35 мм | 1,8 В | 240 | 5 недель | 240 | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 400 МГц | 8542.32.00.36 | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,9 В | 1,7 В | 4ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | 800 МТ/с | 256MX72 | 72 | 19327352832 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCBR016SAJ-1N2IT | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | КМОП | 5,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 3,3 В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 10 | USB | 128 ГБ | 8542.31.00.01 | 3,3 В | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | Р-XXMA-N10 | 16 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCBE016SAJ-1N2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | КМОП | 5,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 5В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 10 | USB | 128 ГБ | 8542.31.00.01 | 5В | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 5В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | НЕ УКАЗАН | Р-XXMA-N10 | 16 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ18ХТФ25672ПКЗ-80ЭМ1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 30,152 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microntechnologyinc-mt18htf25672pkz80em1-datasheets-1724.pdf | 244-МиниRDIMM | 82 мм | 1,8 В | 244 | 5 недель | 244 | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | Нет | 400 МГц | 8542.32.00.36 | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,9 В | 1,7 В | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | 800 МТ/с | 256MX72 | 72 | 19327352832 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||
| SEN06464H2CH1MT-25WR | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 200-SODIMM | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 800 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF25672FDZ-80EM1D6 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microntechnologyinc-mt18htf25672fdz667h1n8-datasheets-0265.pdf | 240-ФБДИММ | 1,8 В | 5 недель | 240 | 400 МГц | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | 800 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCBR004SAJ-1N2IT | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | КМОП | 5,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 3,3 В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 10 | USB | 32 ГБ | 8542.31.00.01 | 3,3 В | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | Р-XXMA-N10 | 4ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCAR008SAJ-1N2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 9,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 3,3 В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 3,3 В | Без свинца | 10 | USB | 64 ГБ | 8542.31.00.01 | 3,3 В | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Р-XXMA-N10 | 8 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFUI16GBJ1BP2MT-C-QT-231-STD | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-110 | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | Модуль | 1 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF12872RHZ-80EM1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 30,15 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872rhz80em1-datasheets-1727.pdf | 200-СОРДИММ | 67,6 мм | 1,8 В | 200 | 5 недель | 1,9 В | 1,7 В | 200 | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | Золото | Нет | 400 МГц | 8542.32.00.36 | 1 | ЗИГ-ЗАГ | 1,8 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | 800 МТ/с | 128MX72 | 72 | 9663676416 бит | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||
| MT9KSF25672PZ-1G4K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt9ksf12872pz1g4g1-datasheets-0559.pdf | 240-РДИММ | 12 недель | 240 | 666,6 МГц | 2 ГБ | DDR3L SDRAM | 72б | 1333МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9KSF51272AZ-1G6E1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt9ksf25672az1g6m1-datasheets-1384.pdf | 240-УДИММ | 240 | Нет | 1,6 ГГц | 4ГБ | DDR3L SDRAM | 72б | 1600 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9JDF51272AZ-1G6E1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt9jdf25672az1g6k1-datasheets-1637.pdf | 240-УДИММ | 1,5 В | 1575 В | 1,425 В | 240 | Нет | 1,6 ГГц | 9 | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 72б | 1600 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCAE008SAJ-1N2IT | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | КМОП | 9,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 5В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 10 | USB | 64 ГБ | 8542.31.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 5В | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 5В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | 30 | Р-XXMA-N10 | 8 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9KDF25672AZ-1G4K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt9kdf51272az1g4e1-datasheets-1660.pdf | 240-УДИММ | 240 | 2 ГБ | DDR3L SDRAM | 1333МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WD3SN82G13LQ | Винтекдаст Интриз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | Модуль | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCAR004SAJ-1N2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | КМОП | 9,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 3,3 В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 10 | USB | 32 ГБ | 8542.31.00.01 | 3,3 В | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | НЕ УКАЗАН | Р-XXMA-N10 | 4ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFUI16GBJ1BP2MT-I-QT-231-STD | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-110 | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | Модуль | Нет СВХК | 1 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18KDF51272PZ-1G4K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt18kdf51272pz1g6m1-datasheets-1328.pdf | 240-РДИММ | 133,35 мм | 1,35 В | 240 | 1,45 В | 1,283 В | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 1,5 В; WD-MAX | 1333 ГГц | 8542.32.00.36 | 1 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,35 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 18 | 4ГБ | DDR3L SDRAM | 72б | 1333МТ/с | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ |
