Модули памяти - Электронные компоненты Поиск - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин ЧastoTA Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Опресагионе МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МАКСИМАЛАНА Колист Raзmerpmayti ТИП ПАМАТИ ШIrIna шinыdannnых Скороп
SLN08G72G2BB2SA-DCRT SLN08G72G2BB2SA-DCRT Swissbit
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2015 204-So-udimm 1,35 В. 204 8 gb DDR3L SDRAM 1600 м/с
SGU04G64B1BD2MT-BBR SGU04G64B1BD2MT-BBR Swissbit
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 240-й днаний 240 4 гб DDR3 SDRAM 1066mt/s
SGN01G72F1BG1MT-DCRT SGN01G72F1BG1MT-DCRT Swissbit
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С Rohs3 204-Sodimm 1,8 В. 204 1 год DDR3 SDRAM 1600 м/с
SGP02G72A1BD1MT-CCRT SGP02G72A1BD1MT-CCRT Swissbit
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 240-RDIMM 2 гр DDR3 SDRAM 1333mt/s
SGN04G64E1BD2MT-BBRT SGN04G64E1BD2MT-BBRT Swissbit
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 204-Sodimm 204 4 гб DDR3 SDRAM 1066mt/s
SGN08G64B3BB2SA-DCRT SGN08G64B3BB2SA-DCRT Swissbit
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С Rohs3 204-So-udimm 1575 204 8 gb DDR3 SDRAM 1600 м/с
SDN06464D1BJ1SA-50R SDN06464D1BJ1SA-50R Swissbit
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С Rohs3 200-sodimm 2,5 В. 200 512 мБ DDR SDRAM 400 м/с
SLN04G64E1BK2MT-DCRT SLN04G64E1BK2MT-DCRT Swissbit
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2015 204-Sodimm 1,35 В. 204 4 гб DDR3L SDRAM 1600 м/с
MT9VDDF6472Y-40BJ1 MT9VDDF6472Y-40BJ1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt9vddf6472y40bf3-datasheets-4290.pdf 184-RDIMM 2,6 В. 2,7 В. 2,5 В. 184 Не 400 мг 9 512 мБ DDR SDRAM 72b 400 м/с
WD2SN01GX808-667G-PF WD2SN01GX808-667G-PF Wintec Industries
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 667 мг ROHS COMPRINT 2012 /files/wintecindustries-wd2ae512x809667gpe-datasheets-0160.pdf 200-sodimm 200 1 год DDR2 SDRAM 667 мг
W7EU004G1XD-S20PD-2Q2.B4 W7EU004G1XD-S20PD-2Q2.B4 Wintec Industries
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА W7EU 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/wintecindustries-w7eu512m1xcsm0pb00201-datasheets-0135.pdf Модул 4 гб Flash - nand (SLC)
MT8LSDT1664HY-13EL1 MT8LSDT1664HY-13EL1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С 133 мг Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt8lsdt3264hg133d2-datasheets-4689.pdf 144-Sodimm 3,3 В. 3,6 В. 144 Не 133 мг 8 128 мБ SDRAM 64b 133 мг
WD3UE02GX809-1333L-PD WD3UE02GX809-1333L-PD Wintec Industries
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 1 333 г ROHS COMPRINT 2012 /files/wintecindustries-wd3ue02gx809133333lpd-datasheets-1424.pdf 240-й днаний 240 2 гр DDR3 SDRAM 1 333 г
MT9KDF25672PZ-1G4M1 MT9KDF25672PZ-1G4M1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2013 /files/microntechnologyinc-mt9kdf25672pz1g4d1-datasheets-0512.pdf 240-RDIMM 1,35 В. 240 Не 1 333 г 2 гр DDR3L SDRAM 72b 1333mt/s
MT8VDDT3264HDY-335M1 MT8VDDT3264HDY-335M1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt8vddt6464hdy40bf2-datasheets-4265.pdf 200-sodimm 2,5 В. 200 Не 333 мг 256 мБ DDR SDRAM 64b 333mt/s
WD3SE01GX809-1333L-PG WD3SE01GX809-1333L-PG Wintec Industries
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 1 333 г ROHS COMPRINT 2012 /files/wintecindustries-wd3sn02gx808133333lpd-datasheets-1437.pdf 204-So-udimm 204 1 год DDR3 SDRAM 1 333 г
MT9VDDF3272Y-40BM1 MT9VDDF3272Y-40BM1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2003 /files/microntechnologyinc-mt9vddf6472y40bf3-datasheets-4290.pdf 184-RDIMM 2,6 В. 2,7 В. 2,5 В. 184 Не 400 мг 9 256 мБ DDR SDRAM 72b 400 м/с
WD2UE01GX809-667G-PF WD2UE01GX809-667G-PF Wintec Industries
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 667 мг ROHS COMPRINT 2012 /files/wintecindustries-wd2ue02gx818v667gpq-datasheets-0167.pdf 240-й днаний 240 1 год DDR2 SDRAM 667 мг
MT9LSDT3272Y-13EG1 MT9LSDT3272Y-13EG1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 55 ° С 0 ° С 133 мг Rohs3 2005 /files/microntechnologyinc-mt9lsdt1672y133g1-datasheets-0551.pdf 168-RDIMM 3,3 В. 168 Не 133 мг 256 мБ SDRAM 72b 133 мг
MT36JSF2G72PZ-1G6D1 MT36JSF2G72PZ-1G6D1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo 3 (168 чASOW) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2013 /files/microntechnologyinc-mt36jsf2g72pz1g4d1-datasheets-1364.pdf 240-RDIMM 1,5 В. 1575 1.425V 240 Не 1,6 -е 36 16 гр DDR3 SDRAM 72b 1600 м/с
MT8VDDT12832UY-40BJ1 MT8VDDT12832UY-40BJ1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2015 100-Udimm 2,5 В. 100 Не 512 мБ DDR SDRAM 32B 400 м/с
78.B1GDE.AFF0C 78.b1gde.aff0c Apacer Memory America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/apacermemoryamerica-78b1gdeaff0c-datasheets-1452.pdf 240-й днаний 4 гб DDR3 SDRAM 1333 gb/s
WD2SN02GX816-667I-PF WD2SN02GX816-667I-PF Wintec Industries
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 667 мг ROHS COMPRINT 2012 /files/wintecindustries-wd2ae512x809667gpe-datasheets-0160.pdf 200-sodimm 200 2 гр DDR2 SDRAM 667 мг
W2EU004G1XD-S50MC2-001.B4 W2EU004G1XD-S50MC2-001.B4 Wintec Industries
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА W2EU 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT Модул 4 гб Flash - nand (MLC)
WD2RE01GX809-667I-PFI WD2RE01GX809-667I-PFI Wintec Industries
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 667 мг ROHS COMPRINT 2012 /files/wintecindustries-wd2re01gx809667ipfi-datasheets-1432.pdf 240-RDIMM 240 1 год DDR2 SDRAM 667 мг
W2EU008G1XD-S50MA2-001.B4 W2EU008G1XD-S50MA2-001.B4 Wintec Industries
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА W2EU 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT Модул 8 gb Flash - nand (MLC)
MT9KDF25672PZ-1G6M1 MT9KDF25672PZ-1G6M1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) Rohs3 2013 /files/microntechnologyinc-mt9kdf25672pz1g4d1-datasheets-0512.pdf 240-RDIMM 240 2 гр DDR3L SDRAM 1600 м/с
MT8LSDT3264AY-13EG1 MT8LSDT3264AY-13EG1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С 133 мг Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt16lsdt6464ag133d2-datasheets-4415.pdf 168 лет 3,3 В. 168 Не 133 мг 256 мБ SDRAM 64b 133 мг
WD2UE02GX818-667I-PF WD2UE02GX818-667I-PF Wintec Industries
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 667 мг ROHS COMPRINT 2012 /files/wintecindustries-wd2ue02gx818v667gpq-datasheets-0167.pdf 240-й днаний 240 2 гр DDR2 SDRAM 667 мг
WD2RE01GX809-667G-PF WD2RE01GX809-667G-PF Wintec Industries
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 667 мг ROHS COMPRINT 2012 /files/wintecindustries-wd2re01gx809667gpq-datasheets-0108.pdf 240-RDIMM 240 1 год DDR2 SDRAM 667 мг

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.