Модули памяти - Электронные компоненты Поиск - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела Опрегиону Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina Опресагионе Колист Верна - МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист PBFREE CODE Колист КОД ECCN Доленитейн Ая МАКСИМАЛАНА HTS -KOD Колист Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) КОД JESD-30 Raзmerpmayti ТИП ПАМАТИ Скороп Органихая Шirina pamayti Плотпеф Ruemap Rerжimdepapa
MTA16ATF1G64HZ-2G1B1 MTA16ATF1G64HZ-2G1B1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/microntechnologyinc-mta16atf1g64hz2g1b1-datasheets-1154.pdf 5 nedely 8 gb DDR4 SDRAM
MT72KSS4G72PZ-1G4N1 MT72KSSSS4G72PZ-1G4N1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 30,5 мм Rohs3 /files/microntechnologyinc-mt72kssss4g72pz1g4n1-datasheets-1172.pdf 240-RDIMM 133,35 мм 4 мм 240 1 Ear99 Сесть на аферино; ЭTO -ntakжebueT 1,5 nom; WD-MAX 1 Не Дон NeT -lederStva 1,35 В. 1 ММ Коммер 70 ° С 1,45 1.283V R-XDMA-N240 32 gb DDR3L SDRAM 1333mt/s 4GX72 72 309237645312 БИТ Я
VR5EU286418FBY VR5EU286418FBY Веса
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) CMOS Синжронно 29,972 мм ROHS COMPRINT /files/vikingtechnology-vr5du286418fbw-datasheets-1009.pdf 240-й днаний 133,35 мм 3,81 мм 240 в дар 1 Ear99 Арто/Скамооблани; SIDYSHIй HGT-NOM; WD-MAX 8542.32.00.36 1 Не Дон NeT -lederStva Nukahan 1,8 В. 240 Drugoй 85 ° С 1,9 1,7 Nukahan R-XDMA-N240 1 год DDR2 SDRAM 800 м/с 128mx64 64 8589934592 БИТ 0,4 млн Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа
MTA16ATF2G64AZ-2G3H1 MTA16ATF2G64AZ-2G3H1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/microntechnologyinc-mta16atf2g64az2g3h1-datasheets-1173.pdf 288-й 16 гр DDR4 SDRAM 2400 м/с
96D4I-8G2400R-ATL 96D4I-8G2400R-ATL Advantech Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 2017 /files/advantechcorp-96d4i8g2400ratl-datasheets-1160.pdf 288-RDIMM 4 neDe 8 gb DDR4 SDRAM 2400 мБ/с
MTA8ATF1G64AZ-2G3A1 MTA8ATF1G64AZ-2G3A1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/microntechnologyinc-mta8atf1g64az2g3h1-datasheets-1167.pdf 288-й 5 nedely 8 gb DDR4 SDRAM 2400 м/с
AQD-D3L8GN16-SG1 AQD-D3L8GN16-SG1 Advantech Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 2017 /files/advantechcorp-aqdd3l8gn16sg1-datasheets-1161.pdf 240-й днаний 2 nede 8 gb DDR3L SDRAM 1600 мБ/с
MTA36ASF4G72PZ-2G3H1 MTA36ASF4G72PZ-2G3H1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/microntechnologyinc-mta36asf4g72pz2g1b1-datasheets-0706.pdf 288-RDIMM 32 gb DDR4 SDRAM 2400 м/с
SQR-SD2I-1G667SNJB SQR-SD2I-1G667SNJB Advantech Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 200-sodimm 1 год DDR2 SDRAM 667 мБ/с
AQD-SD4U16E24-SE AQD-SD4U16E24-SE Advantech Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2017 /files/advantechcorp-aqdsd4u16e24se-datasheets-1176.pdf 260-Sodimm 8 16 гр DDR4 SDRAM 2400 мБ/с
96D4-32G2400ER-AT 96D4-32G2400ER-AT Advantech Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 2017 /files/advantechcorp-96d432g2400erat-datasheets-1162.pdf 288-RDIMM 8 32 gb DDR4 SDRAM 2400 мБ/с
VR5DU126418GBW VR5DU126418GBW Веса
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) CMOS Синжронно 29,972 мм ROHS COMPRINT /files/vikingtechnology-vr5du286418fbw-datasheets-1009.pdf 200-sodimm 67 564 мм 3556 ММ 200 в дар 1 Ear99 Арто/Скамооблани; SIDYSHIй HGT-NOM; WD-MAX 8542.32.00.36 1 Не Дон NeT -lederStva Nukahan 1,8 В. 200 Drugoй 85 ° С 1,9 1,7 Nukahan R-XDMA-N200 4 гб DDR2 SDRAM 667mt/s 512MX64 64 34359738368 БИТ 0,45 м Дюно -бандж Страни -в
96D4I-16G2400R-ATL 96D4I-16G2400R-ATL Advantech Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 2017 /files/advantechcorp-96d4i16g2400ratl-datasheets-1163.pdf 288-RDIMM 4 neDe 16 гр DDR4 SDRAM 2400 мБ/с
MTA16ATF2G64HZ-2G3H1 MTA16ATF2G64HZ-2G3H1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/microntechnologyinc-mta16atf2g64hz2g6b1-datasheets-0701.pdf 260-Sodimm 16 гр DDR4 SDRAM 2400 м/с
AQD-D4U8GE21-SG AQD-D4U8GE21-SG Advantech Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) В /files/advantechcorp-aqdd4u8ge21sg-datasheets-1199.pdf 288-й 3 nede 8 gb DDR4 SDRAM 2133 мБ/с
VP7EA1G7298HBFSE VP7EA1G7298HBFSE Веса
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 240-RDIMM 8 gb DDR3L SDRAM 1600 м/с
MTA9ADF1G72PKIZ-2G6B1 MTA9ADF1G72PKIZ-2G6B1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 18,9 мм Rohs3 2017 /files/microntechnologyinc-mta9adf1g72pkiz2g6b1-datasheets-1120.pdf 288-Minirdimm 80 мм 4 мм 288 1 Ear99 Арто/Скамооблани; WD-MAX 1 Не Дон NeT -lederStva 1,2 В. 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С 1,26 1,14 R-XDMA-N288 8 gb DDR4 SDRAM 2666 мт/с 1GX72 72 77309411328 БИТ Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа
AN64V6428BQGAM AN64V6428BQGAM ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Neprigodnnый /files/atpelectronicsinc-an64v6428bqgam-datasheets-1147.pdf 144-Udimm 512 мБ
VP9FU2G7228JBHSB VP9FU2G7228JBHSB Веса
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/vikingtechnology-vp9fu2g7228jbhsb-datasheets-1121.pdf 260-Sodimm 16 гр DDR4 SDRAM 2133mt/s
SQR-UD3I-4G1333SN SQR-UD3I-4G1333SN Advantech Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 240-Sodimm 4 гб DDR3 SDRAM 1333 МБ/С.
MTA9ADF1G72AZ-2G6B1 MTA9ADF1G72AZ-2G6B1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 18,9 мм Rohs3 2017 /files/microntechnologyinc-mta9adf1g72az2g6b1-datasheets-1126.pdf 288-й 133,35 мм 2,7 ММ 288 5 nedely 1 Ear99 Арто/Скамооблани; WD-MAX 1 Не Дон NeT -lederStva 1,2 В. 0,6 ММ Drugoй 85 ° С 1,26 1,14 R-XDMA-N288 8 gb DDR4 SDRAM 2666 мт/с 1GX72 72 77309411328 БИТ Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа
MTA16ATF1G64AZ-2G6B1 MTA16ATF1G64AZ-2G6B1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 31,4 мм Rohs3 /files/microntechnologyinc-mta16atf1g64az2g6b1-datasheets-1149.pdf 133,35 мм 3,9 мм 288 1 Арто/Скамооблани; WD-MAX 1 Не Дон NeT -lederStva 1,2 В. Drugoй 85 ° С 1,26 1,14 R-XDMA-N288 8 gb DDR4 SDRAM 1GX64 64 68719476736 БИТ Дюно -бандж Страни -в
SLN08G64E6BD2SA-DCEST SLN08G64E6BD2SA-DCEST Swissbit
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rohmsemiconductor-msm51v18165f60t3k-datasheets-4484.pdf 204-Sodimm 8 gb DDR3L SDRAM 1600 м/с
MTA18ASF2G72PKTZ-2G6B1 MTA18ASF2G72PKTZ-2G6B1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 30,15 мм Rohs3 /files/microntechnologyinc-mta18asf2g72pktz2g6b1-datasheets-1096.pdf 288-Minirdimm 80 мм 4 мм 288 5 nedely 1 Ear99 Арто/Скамооблани; WD-MAX 1 Не Дон NeT -lederStva 1,2 В. 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С 1,26 1,14 R-XDMA-N288 16 гр DDR4 SDRAM 2666 мт/с 2GX72 72 154618822656 БИТ Дюно -бандж Страни -в
SQR-SD3I-8G1600SE SQR-SD3I-8G1600SE Advantech Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 204-Sodimm 8 gb DDR3L SDRAM 1600 мБ/с
SQR-SD3I-4G1333SN SQR-SD3I-4G1333SN Advantech Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 204-Sodimm 1,5 В. 4 neDe 1575 1.425V 204 1 333 г 4 гб DDR3L SDRAM 1333 МБ/С.
MTA18ASF2G72AZ-2G1B1 MTA18ASF2G72AZ-2G1B1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) Rohs3 288-й 16 гр DDR4 SDRAM 2133mt/s
VR9FU1G6428JBHSB VR9FU1G6428JBHSB Веса
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/vikingtechnology-vr9fu126428hbhse-datasheets-1004.pdf 260-Sodimm 8 gb DDR4 SDRAM 2133mt/s
VR5DR127218GBW VR5DR127218GBW Веса
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) CMOS Синжронно 29,972 мм ROHS COMPRINT /files/vikingtechnology-vr5du286418fbw-datasheets-1009.pdf 200-1 67 564 мм 39878 ММ 200 в дар 1 Ear99 Арто/Скамооблани; SIDYSHIй HGT-NOM; WD-MAX 8542.32.00.36 1 Не Дон NeT -lederStva Nukahan 1,8 В. 200 Drugoй 85 ° С 1,9 1,7 Nukahan R-XDMA-N200 4 гб DDR2 SDRAM 667mt/s 512MX72 72 38654705664 БИТ 0,45 м Дюно -бандж Страни -в
MTA9ADF1G72AKIZ-2G6B1 MTA9ADF1G72AKIZ-2G6B1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 18,9 мм Rohs3 2017 /files/microntechnologyinc-mta9adf1g72akiz2g6b1-datasheets-1104.pdf 288-Miniudimm 80 мм 4 мм 288 1 Ear99 Арто/Скамооблани; WD-MAX 1 Не Дон NeT -lederStva 1,2 В. 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С 1,26 1,14 R-XDMA-N288 8 gb DDR4 SDRAM 2666 мт/с 1GX72 72 77309411328 БИТ Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.