Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСветодиодные излучатели(2830)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Длина | Рабочее напряжение питания | Цвет | Пропускная способность | Без свинца | Форма | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Ориентация | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальная мощность | Цвет линзы | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Рассеяние активности | Количество элементов | Выходная мощность | Прямой ток | Прямое напряжение | Общая высота | Прямой ток-макс. | Угол обзора | Стиль объектива | Количество светодиодов | Время подъема | Конфигурация | Тестовый ток | Яркость света | Обратное напряжение | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Длина волны | Длина волны — Пик | Размер | Интенсивность преобразования (Ie) Мин @ Если |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ГЛ4100 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gl4100-datasheets-4249.pdf | Радиальный | Содержит свинец | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | Вид спереди | неизвестный | 1 | 2мВт | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1мВт | 0,05 А | 180° | ОДИНОКИЙ | 1,2 В | 50 мА | 950 нм | 4 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QEE213 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | Непригодный | /files/onsemiconductor-qee213-datasheets-4215.pdf | Радиальный, вид спереди | Вид спереди | 50° | 1,5 В | 100 мА | 940 нм | 2 мВт/ср при 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDI-E815 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~125°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdie815-datasheets-4236.pdf | ТО-46-2 | Вид сверху | 10° | 1,5 В | 180 мА | 880 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГЛ4800 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Трубка | Непригодный | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gl4800-datasheets-4216.pdf | Радиальный | Содержит свинец | Вид спереди | 3мВт | 1,2 В | 60° | 1,2 В | 50 мА | 950 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDI-E821 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdie821-datasheets-4237.pdf | ТО-46-2 Металлическая банка | Вид сверху | 160° | 1,7 В | 100 мА | 850 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДИ-Е800 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdie800-datasheets-4217.pdf | 2-СМД, без свинца | Содержит свинец | Вид сверху | 24 МВт | 140° | 1,5 В | 100 мА | 880 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГЛ480 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Трубка | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gl480-datasheets-4218.pdf | Радиальный | 3 мм | Содержит свинец | 1,5 мм | 2 | Вид спереди | неизвестный | 1 | 3мВт | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 75мВт | 1 | 0,7 мВт | 50 мА | 26° | Рассеянный, Круглый | ОДИНОКИЙ | 20 мА | 6В | 1,2 В | 950 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PDI-E811 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~125°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdie811-datasheets-4219.pdf | ТО-46-2 Металлическая банка | Вид сверху | 160° | 1,5 В | 180 мА | 880 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDI-E808 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pdie808-datasheets-4220.pdf | Т-1 | Вид сверху | 80° | 1,6 В | 100 мА | 880 нм | 30 мВт/ср при 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDI-E827 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdie827-datasheets-4222.pdf | ТО-46-2 Металлическая банка | Вид сверху | 70° | 1,7 В | 100 мА | 850 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDI-E836 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | Керамика | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDI-E834 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК), видимый | Поверхностный монтаж | -40°С~80°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdie834-datasheets-4223.pdf | 3-СМД, без свинца | Вид сверху | 1,2 В 1,8 В | 30 мА | 905 нм 660 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDI-E807 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pdie807-datasheets-4224.pdf | Металлическая банка с верхней крышкой объектива ТО-46-2 | Вид сверху | 70° | 1,6 В | 100 мА | 880 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АН304 | Стэнли Электрик | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°С~85°С ТА | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/stanleyelectricco-an304-datasheets-4210.pdf | Т 1 3/4 | 2,65 ГГц | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 2 | да | Вид сверху | неизвестный | 1 | 9мВт | 50 мА | 50° | ОДИНОКИЙ | 1,3 В | 100 мА | 950 нм | 5 мм | 6 мВт/ср при 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛН65 | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-ln65-datasheets-4226.pdf | Радиальный | КРУГЛЫЙ | нет | Вид спереди | неизвестный | 8541.40.20.00 | 1 | 5,5 мВт | 5,5 мВт | 0,1 А | 70° | ОДИНОКИЙ | 1,3 В | 100 мА | 950 нм | 3,5 мм | 4,3 мВт/ср при 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QEB421 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 5В | 2-PLCC | 1,8 В | Без свинца | 97,664107мг | Нет СВХК | 2 | Вид сверху | 1А | 180мВт | 5В | 100 мА | 120° | Круговой | 1 мкс | 1,5 В | 880 нм | 4 мВт/ср при 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LNA2603F | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Непригодный | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-lna2603f-datasheets-4228.pdf | Радиальный | Содержит свинец | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | Вид спереди | неизвестный | 8541.40.20.00 | 1 | 6мВт | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 6мВт | 0,1 А | 160° | ОДИНОКИЙ | 1,3 В | 100 мА | 940 нм | 3,5 мм | 3 мВт/ср при 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QED122 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-qed121-datasheets-4208.pdf | Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) | 1,7 В | Без свинца | 284,4 мг | 2 | да | Вид сверху | 200мВт | 18° | Цветной, Рассеянный | 1 | 5В | 100 мА | 880 нм | 32 мВт/ср при 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSL-LX5093UVC | Люмекс Опто/Компонентс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ультрафиолетовый (УФ) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Масса | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | Радиальный | Фиолетовый | КРУГЛЫЙ | 2 | 2 | да | Вид сверху | 1 | Прозрачный | 8,6 мм | 12° | Бесцветный, Рассеянный, Купол | 1 | ОДИНОКИЙ | 120,0 мкд | 3,5 В | 30 мА | 400 нм | 5 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QED221 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | Непригодный | Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) | Вид сверху | 40° | 1,7 В | 100 мА | 880 нм | 10 мВт/ср при 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDI-E901 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~125°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdie901-datasheets-4231.pdf | ТО-46-2 Металлическая банка | Вид сверху | 160° | 1,3 В | 100 мА | 940 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQX16 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | -65°С~125°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-cqx14-datasheets-4100.pdf | Металлическая банка с верхней крышкой объектива ТО-46-2 | Вид сверху | 16° | 1,7 В | 100 мА | 940 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDI-E806 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pdie806-datasheets-4234.pdf | Т 1 3/4 | Вид сверху | 80° | 1,6 В | 100 мА | 880 нм | 30 мВт/ср при 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГЛ100МН1МП | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж, под углом | -30°С~85°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/sharpmicroelectronics-gl100mn1mp-datasheets-4214.pdf | 2-СМД, без свинца | 3 мм | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 2,2 мм | 27 недель | 2 | Вид сверху | Нет | 1 | 75мВт | е4 | Золото (Ау) | 75мВт | 1 | 2мВт | 50 мА | 20° | Круговой | ОДИНОКИЙ | 20 мА | 6В | 1,2 В | 940 нм | |||||||||||||||||||||||||||||
| PDI-E823 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdie823-datasheets-4235.pdf | ТО-46-2 Металлическая банка | Вид сверху | 16° | 1,7 В | 100 мА | 850 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDI-E809 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~100°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | 100°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/advancedphotonix-pdie809-datasheets-4202.pdf | Т 1 3/4 | Без свинца | 14 недель | Вид сверху | 1,6 В | 1,5 мкс | 1,6 В | 100 мА | 880 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LNA2701L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~65°С ТА | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-lna2701l-datasheets-4203.pdf | Радиальный | Содержит свинец | КРУГЛЫЙ | Вид спереди, двойной | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | неизвестный | 8541.40.20.00 | 1 | 1,8 мВт | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,8 мВт | 0,05 А | 20° | ОДИНОКИЙ | 1,3 В | 50 мА | 940 нм | 1,4 мм | 1,2 мВт/ср при 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АН306 | Стэнли Электрик | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°С~85°С ТА | Непригодный | Соответствует RoHS | Осевой | Без свинца | КРУГЛЫЙ | Вид сверху | неизвестный | 8541.40.20.00 | 1 | 5 Вт | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 5мВт | ОДИНОКИЙ | 100 мА | 950 нм | 3,1 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQX17 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | -65°С~125°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-cqx15-datasheets-4128.pdf | ТО-46-2 Металлическая банка | Вид сверху | 80° | 1,7 В | 100 мА | 940 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QEB421TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~100°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2-PLCC | 3,4 мм | 1,8 В | Без свинца | 3 мм | 97,65 мг | 2 | Вид сверху | Нет | 180мВт | 180мВт | 1 | 100 мА | 120° | Круговой | 100 мА | 5В | 1,5 В | 880 нм | 4 мВт/ср при 100 мА |
