Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОстрая микроэлектроника(4951)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Ориентация | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество каналов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Время ответа | Количество элементов | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Сенсорный экран | Тип микросхемы интерфейса | Выходное напряжение | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Напряжение изоляции | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Угол обзора | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Количество выходов | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение пробоя | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канал | Текущий коэффициент передачи | Тип дисплея | Время доступа | Стандарты | Длина волны | Ток — выход/канал | Темный ток | Размер | Зона просмотра | Режим отображения | Область просмотра (ширина) | Область просмотра (высота) | Разрешение (высота) | Разрешение (ширина) | Размер экрана по диагонали | Размер диагонали | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Напряжение-питание (мин.) | Ток холостого хода, тип. при 25°C | Диапазон связи, низкое энергопотребление | Неисправность | Подсветка | Точечные пиксели | Цвет графики | Шаг точки | Цвет фона | Тип подсветки | Контрастность | Яркость | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Активная область | Текущий — Темный (тип.) | Цвет — улучшенный | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GL453E00000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°C~85°C ТА | Непригодный | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gl453e00000f-datasheets-4452.pdf | Радиальный | Без свинца | Вид сбоку, двойной | 1,2 В | 46° | 1,2 В | 50 мА | 950 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PQ7L2020BP | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 1,2 МГц | Соответствует RoHS | 2010 год | 6-СМД | 5,5 В | 1 | 500 мА | 500 мА | 2,9 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2W1002YP0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/sharpmicroelectronics-gp2w1002yp0f-datasheets-1918.pdf | Модуль | 5,5 В | Без свинца | 8 | 6 | Вид сбоку | неизвестный | 1 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | НЕТ | 2,7 В~5,5 В | ОДИНОКИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | Р-XSMA-N8 | 1,152 Мбит/с (МИР) | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | ИрФИЗ 1.4 | 870 нм | 8,0 мм х 3,0 мм х 2,5 мм | 10нА | 20см 1м | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ070Y3LG4A | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 60°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/sharpmicroelectronics-lq070y3lg4a-datasheets-9191.pdf | Модуль | Без свинца | 20 недель | ЛВДС | Нет | TFT — цветной | 152,40 мм Ш x 91,44 мм В | Трансмиссивный | 480 пикселей | 800 пикселей | 7 177,80 мм | 7 дюймов | Светодиод - Белый | 800 х 480 (WVGA) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,19 мм Ш x 0,19 мм В | ВЕЛ | 400:1 | 350 кд/м^2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ121S1DG81 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 80°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2012 год | Модуль | Без свинца | 20 недель | Параллельный, 18 бит (RGB) | Нет | TFT — цветной | 246,00 мм Ш x 184,50 мм В | Трансмиссивный | 600 пикселей | 800 пикселей | 12,1 307,34 мм | 12,1 дюйма | Светодиод - Белый | 800 х 600 (SVGA) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,31 мм Ш x 0,31 мм В | Белый | ВЕЛ | 450:1 | 370 кд/м^2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ104V1DG62 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 90°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/sharpmicroelectronics-lq104v1dg62-datasheets-9922.pdf | Модуль | 179,4 мм | 246,5 мм | Без свинца | 12,5 мм | 18 недель | 580,144641г | Неизвестный | Параллельный, 18 бит (RGB) | 35 мс | Нет | TFT — цветной | 211,20 мм Ш x 158,40 мм В | Трансмиссивный | 211,2 мм | 158,4 мм | 480 пикселей | 640 пикселей | 10,4 264,16 мм | 10,4 дюйма | Светодиод - Белый | 640 х 480 (ВГА) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,33 мм Ш x 0,33 мм В | Белый | ВЕЛ | 600:1 | 450 кд/м^2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ5AW136 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Коробка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | /files/sharpmicroelectronics-lq5aw136-datasheets-0598.pdf | Модуль | 127 мм | 16,5 мм | 89,6 мм | Без свинца | 22 | Параллельный, 24 бита (RGB) | TFT — цветной | 102,24 мм Ш x 74,76 мм В | Трансмиссивный | 234 пикселя | 960 пикселей | 5 127,00 мм | 5 дюймов | CCFL | 960 х 234 | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,11 мм Ш x 0,32 мм В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БС500А | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -10°К~60°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/sharpmicroelectronics-bs500a-datasheets-6112.pdf | Вид сбоку | 2 | неизвестный | 10 В | 850 нм | 10пА | 10 В | 800 нм ~ 900 нм | 5,34 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПД100МФ0МП1 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -30°С | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/sharpmicroelectronics-pd100mf0mp-datasheets-6159.pdf | 2-SMD, без свинца | Без свинца | 2 | Нет | 75мВт | 10 нс | 40° | 10 нс | 10 нс | 20 В | 20 В | 850 нм | 10нА | 20 В | 680 нм ~ 1100 нм | 10нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81102NSZ0F | Острая микроэлектроника | 0,88 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81105nsz0f-datasheets-0678.pdf | ОКУНАТЬ | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 200мВт | 1 | 1 | 70В | 50 мА | 5В | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 20 мкс | 10 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 350 мВ | 30 мА | 30 мА | 400 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LH75400N0M100C0 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 84 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-lh75400n0m100c0-datasheets-1446.pdf | ЛКФП | Содержит свинец | РУКА | 32 КБ | 84 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК354MTJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 4-Миниквартира | 4 | 170 мВт | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 400 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC364MJ0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 4-Миниквартира | 4 | 170 мВт | 1 | 80В | Транзистор | 10 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H7J00001B | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 1 | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC853XNNSZ1H | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PC853X | -30°К~100°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 150 мА | 350В | 1000% при 1 мА | 15000% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81510NSZ0X | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharp-pc81510nsz0x-datasheets-2712.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 1 | 35В | Дарлингтон | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 10 мА | 80 мА | 35В | 600% при 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК3H715NIP | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h710nip-datasheets-6693.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 4 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 140% при 500 мкА | 500% при 500 мкА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК4H520NIP | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc4h520nip-datasheets-6744.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 4 | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 350В | Дарлингтон | 100 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В | 1,2 В | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 120 мА | 120 мА | 350В | 1000% при 1 мА | 1,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC703V0NIZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc703v0nizx-datasheets-6784.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 70В | Транзистор с базой | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 0,05А | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 40% | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81710NSZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81711nsz-datasheets-6788.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 170 мВт | 1 | 80В | 10 мА | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 3мА | 50 мА | 100% при 500 мкА | 600% при 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81105NSZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81102nsz-datasheets-0683.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 70В | Транзистор | 0,05А | 3 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 350 мВ | 1,2 В | 3 мкс 2 мкс | 50 мА | 30 мА | 30 мА | 60% при 5 мА | 200% при 5 мА | 2 мкс, 23 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC957L0NSZ | Острая микроэлектроника | 0,79 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ОПИК™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc957l0nsz-datasheets-6837.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 1 Мбит/с | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 200 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,7 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 400 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4N300YSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 6 | 1 | 30В | Дарлингтон с базой | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 100 мА | 100 мА | 100% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4N300NSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 6 | 1 | 30В | Дарлингтон с базой | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 100 мА | 100 мА | 100% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК817X3J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817x3j000f-datasheets-6921.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 6,5 мм | Без свинца | Неизвестный | 4 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | ОЛОВО МЕДЬ/ОЛОВО ВИСМУТ | 200мВт | 200мВт | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК817X2J000F | Острая микроэлектроника | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817x3j000f-datasheets-6921.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 20 мА | 6,5 мм | Без свинца | Неизвестный | 4 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 130% при 5 мА | 230% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC844XJ0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc844ij1-datasheets-6942.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | Без свинца | 16 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 200мВт | 200мВт | 4 | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 100нА | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК817X9J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817x3j000f-datasheets-6921.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 200мВт | 200мВт | 1 | 80В | 5мА | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 130% при 5 мА | 600% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC6N138X | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc6n138x-datasheets-7407.pdf | ОКУНАТЬ | 1 | 1 | 7В | 60 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК724V0NIPX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc724v0nszxf-datasheets-7147.pdf | СМД/СМТ | Содержит свинец | 6 | 1 | 1 | 35В | 4 мкс | 200 мВ | 80 мА |
