Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактSharp Microelectronics (4951)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Размер / измерение | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Частота | Эксплуатационный ток снабжения | Тип ввода | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет / корпус | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Цвет | Свободно привести | Форма | Глубина | Время выполнения завода | Достичь SVHC | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Количество булавок | Свинцовый шаг | Интерфейс | Ориентация | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Максимальное напряжение снабжения (DC) | Мин напряжения питания (DC) | Достичь кода соответствия | Количество функций | Рейтинг питания | Максимальный ток | Цвет объектива | Номинальный ток снабжения | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Полярность | Максимальная диссипация власти | Напряжение - поставка | Рабочая температура (мин) | Количество каналов | Рассеяние власти | Количество элементов | Количество схем | Пакет устройства поставщика | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Тип генератора | Номер в/вывода | Тип памяти | Периферийные устройства | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Вперед | Впередное напряжение | Вывод типа | Максимальный входной ток | Оптоэлектронный тип устройства | Вперед тока-макс | Изоляция напряжения-макс | Угол просмотра | Стиль объектива | Количество светодиодов | Время подъема | Время падения (тип) | Конфигурация | Тестовый ток | Приложение | Чувствительное расстояние | Напряжение - изоляция | Сила - Макс | Обратное напряжение разбивки | Обратное напряжение | Напряжение разбивки излучателя коллекционера | Напряжение насыщения насыщения коллекционера | Напряжение излучателя коллекционера (VCEO) | Макс Коллекторный ток | Напряжение - вперед (vf) (тип) | Время подъема / падения (тип) | Current - DC Forward (if) (max) | Выходной ток на канал | Коэффициент передачи тока | CCT (k) | Цвет освещения | Светящийся поток | Индекс цветового рендеринга (CRI) | Время доступа | Длина волны | Ток - тест | Ток - макс | Тип линзы | CRI (индекс цветового рендеринга) | Тестовая температура | Ток - выход / канал | Темный ток | Размер | Напряжение - выход (макс) | Темный ток-макс | Коэффициент переноса тока (мин) | Коэффициент передачи тока (макс) | Включите / выключите время (тип) | Vce насыщение (макс) | Напряжение - разбивка излучателя коллекционера (макс) | Current - Collector (IC) (макс) | Current - Dark (id) (макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PC81102NSZ | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Трубка | Непригодный | Не совместимый с ROHS | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81102nsz-datasheets-0683.pdf | ОКУНАТЬ | Содержит свинец | Уль признан | неизвестный | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | -30 ° C. | 1 | 1 | 70В | Транзистор выходной оптокуплер | 0,05а | 5000 В. | 3 мкс | Одиночный со встроенным диодом и резистором | 350 мВ | 30 мА | 50% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LH7A400N0E000B3A | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поднос | 3 (168 часов) | 85 ° C. | -40 ° C. | 200 МГц | Не совместимый с ROHS | 2001 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-lh7a400n0e000b3a-datasheets-1747.pdf | 1,8 В. | Содержит свинец | 1,89 В. | 1,71 В. | 256 | EBI/EMI, IRDA, MMC, SSP, UART, USART, USB | Нет | Внутренний | 60 | Без романа | DMA, LCD, POR, PWM, WDT | РУКА | 16 КБ | 200 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC357M4J000F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS COMPARINT | 4-минутный | 4 | 170 МВт | 1 | 80 В | Транзистор | 50 мА | 3750vrms | 200 мВ | 80 В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 300% @ 5MA | 600% @ 5MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC357M3J000F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS COMPARINT | 4-минутный | 4 | 170 МВт | 1 | 80 В | Транзистор | 50 мА | 3750vrms | 200 мВ | 80 В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H711NIP1B | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h711nip1b-datasheets-0441.pdf | 4 Soic (0,173, ширина 4,40 мм) | 1 | Транзистор | 2500vrms | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 80 В | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC123PY2 | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Вырезать ленту (CT) | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -30 ° C. | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123p-datasheets-0663.pdf | SMD/SMT | Содержит свинец | 4 | UL признан, одобрен VDE | неизвестный | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 200 МВт | 1 | 70В | 50 мА | 1,4 В. | Транзистор выходной оптокуплер | 5000 В. | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 6 В | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 400 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC367N | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Вырезать ленту (CT) | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -30 ° C. | Ток | Не совместимый с ROHS | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc367n-datasheets-6620.pdf | 4-SMD, Крыло Чайки | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-минутный флат | 80 В | 80 В | 1,2 В. | Транзистор | 4 мкс | 3750vrms | 200 мВ | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80 В | 100% @ 500 мкА | 500% @ 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H710NIP | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Вырезать ленту (CT) | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h710nip-datasheets-6693.pdf | 4 Soic (0,173, ширина 4,40 мм) | Содержит свинец | 4 | 1 | 1 | 4-минутный флат | 80 В | Транзистор | 4 мкс | 2500vrms | 200 мВ | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80 В | 100% @ 500 мкА | 700% @ 500 мкА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC715V0NSZX | Островая микроэлектроника | $ 2,00 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -25 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc715v0nszx-datasheets-6747.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 6 | Уль признан | неизвестный | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 1 | 170 МВт | 1 | 35 В. | 50 мА | Дарлингтон | 250 мкс | 250 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 дюймов | 6 В | 1V | 1V | 1,2 В. | 60 мкс 53 мкм | 80 мА | 35 В. | 600% @ 1MA | 7500% @ 1MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81720NSZ | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 2001 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81720nsz-datasheets-6787.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 1 | 70В | Транзистор | 5000 дюймов | 300 мВ | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 500 мкА | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC814X | Островая микроэлектроника | $ 0,36 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | AC, DC | Не совместимый с ROHS | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc814x1-datasheets-6789.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 4 | 1 | 1 | 4-Dip | 80 В | Транзистор | 50 мА | 4 мкс | 3 мкс | 5000 дюймов | 200 мВ | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80 В | 20% @ 1MA | 300% @ 1MA | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC815Y | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815-datasheets-6794.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 1 | 1 | 4-Dip | 35 В. | Дарлингтон | 60 мкс | 5000 дюймов | 1V | 1,2 В. | 60 мкс 53 мкм | 50 мА | 80 мА | 80 мА | 35 В. | 600% @ 1MA | 7500% @ 1MA | 1V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC851X | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -25 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc851xi-datasheets-6823.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-Dip | 350 В. | 350 В. | Транзистор | 4 мкс | 5000 дюймов | 300 мВ | 1,2 В. | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 350 В. | 300 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3Q510NIP | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3q510nip-datasheets-6849.pdf | 16 Soic (0,173, ширина 4,40 мм) | Содержит свинец | 16 | Уль признан | неизвестный | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 4 | 4 | 35 В. | Дарлингтон | 0,01а | 60 мкс | 2500vrms | 1V | 1,2 В. | 60 мкс 53 мкм | 10 мА | 80 мА | 600% | 80 мА | 1000NA | 600% @ 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4N350SZX | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 проводников | 6 | 1 | 30 В | Дарлингтон с базой | 3550vrms | 300 мВ | 100 мА | 100 мА | 100% @ 10ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC817X1J000F | Островая микроэлектроника | $ 0,09 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS COMPARINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817x3j000f-datasheets-6921.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 20 мА | 6,5 мм | Свободно привести | Неизвестный | 4 | Уль признан | Нет | E6 | Олово/висмут (sn/bi) | 200 МВт | 1 | 200 МВт | 1 | 80 В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 дюймов | 6 В | 80 В | 200 мВ | 80 В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 80% @ 5MA | 160% @ 5MA | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4N320SZX | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 проводников | 6 | 1 | 30 В | Дарлингтон с базой | 2500vrms | 1V | 100 мА | 100 мА | 500% @ 10ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC123ZY2J00F | Островая микроэлектроника | $ 5,24 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -30 ° C. | Ток | ROHS COMPARINT | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123yj0000f-datasheets-6932.pdf | 4-SMD, Крыло Чайки | Свободно привести | 4 | 200 МВт | 1 | 200 МВт | 1 | 4-SMD | 70В | 5 мА | 1,4 В. | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5000 дюймов | 6 В | 200 мВ | 70В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% @ 5MA | 250% @ 5MA | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC715V0SZXF | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -25 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS COMPARINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc715v0yszxf-datasheets-7109.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 проводников | Свободно привести | 6 | UL признан, одобрен VDE | E2 | Олово/медь (sn/cu) | 170 МВт | 1 | 1 | 35 В. | Дарлингтон | 50 мА | 0,05а | 60 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 дюймов | 1V | 35 В. | 80 мА | 1,2 В. | 60 мкс 53 мкм | 50 мА | 80 мА | 600% @ 1MA | 7500% @ 1MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC810AI | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc810i-datasheets-0777.pdf | ОКУНАТЬ | Уль признан | неизвестный | -30 ° C. | 1 | 1 | 35 В. | Транзистор выходной оптокуплер | 0,05а | 5000 В. | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 200 мВ | 50 мА | 60% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81712NIP0F | Островая микроэлектроника | $ 6,17 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -30 ° C. | Ток | ROHS COMPARINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81716nip0f-datasheets-3501.pdf | 4-SMD, Крыло Чайки | Свободно привести | 4 | 170 МВт | 1 | 170 МВт | 1 | 1 | 4-SMD | 80 В | 5 мА | 1,4 В. | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5000 дюймов | 6 В | 200 мВ | 80 В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80 В | 160% @ 500 мкА | 400% @ 500 мкА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC814XP1J00F | Островая микроэлектроника | $ 0,26 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -30 ° C. | AC, DC | ROHS COMPARINT | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc814xpj000f-datasheets-8550.pdf | 4-SMD, Крыло Чайки | Свободно привести | 200 МВт | 1 | 1 | 4-SMD | 80 В | Транзистор | 4 мкс | 5000 дюймов | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80 В | 100% @ 1MA | 150% @ 1MA | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC457L0YIT0F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Opic ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 85 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS COMPARINT | 2005 | 6 Soic (0,173, ширина 4,40 мм), 5 проводников | Свободно привести | 5 | 100 МВт | 1 | 100 МВт | 1 Мбит / с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | 3750vrms | 5 В | 8 мА | 1,7 В. | 8 мА | 20 В | 19% @ 16ma | 50% @ 16ma | 200NS, 400NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC713V2NSZXF | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -25 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -25 ° C. | Ток | ROHS COMPARINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc713v0nizxf-datasheets-7535.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 проводников | Свободно привести | 6 | Нет | 170 МВт | 1 | 170 МВт | 1 | 1 | 6-Dip | 80 В | 50 мА | 1,4 В. | Транзистор с базой | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 5000 дюймов | 6 В | 200 мВ | 80 В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80 В | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC847X0J000F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -30 ° C. | Ток | ROHS COMPARINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc847x7j000f-datasheets-6947.pdf | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | Свободно привести | 16 | 200 МВт | 4 | 200 МВт | 4 | 4 | 16-Dip | 35 В. | 50 мА | 1,4 В. | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5000 дюймов | 6 В | 200 мВ | 80 В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80 В | 80% @ 5MA | 600% @ 5MA | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pt4800f | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -25 ° C ~ 85 ° C TA | Трубка | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -25 ° C. | Не совместимый с ROHS | 1997 | /files/sharpmicroelectronics-pt4800f-datasheets-2143.pdf | Радиал | Содержит свинец | 2 | Вид сбоку | Npn | 75 МВт | 75 МВт | 1 | 20 мА | 70 ° | 3 мкс | 3,5 мкс | 75 МВт | 35 В. | 6 В | 20 мА | 860 нм | 100 мкА | 35 В. | 20 мА | 100 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT481FE0000F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -25 ° C ~ 85 ° C TA | Трубка | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -25 ° C. | ROHS COMPARINT | 1997 | Радиал | 3 мм | 4 мм | 2,95 мм | Свободно привести | 2 | Вид сбоку | Нет | Черный | Npn | 75 МВт | 1 | 75 МВт | 1 | 50 мА | 70 ° | Купол | 80 мкс | 70 мкс | 75 МВт | 35 В. | 6 В | 50 мА | 860 нм | 1MA | 35 В. | 50 мА | 1MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2Y0D340K | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -10 ° C ~ 60 ° C TA | 1 (неограниченный) | 50 мА | ROHS COMPARINT | 2002 | /files/sharpmicroelectronics gp2y0d340k-datasheets-8667.pdf | 15 мм | Свободно привести | КРУГЛЫЙ | Неизвестный | 5 | 2,5 мм | Нет | 5,5 В. | 4,5 В. | 1 | 4,5 В ~ 5,5 В. | 28 мА | Цифровой | Логический выходной фото IC | СЛОЖНЫЙ | Общее назначение | 40 см | 4 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW5BNF15L00 | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Винт | Поднос | 1 (неограниченный) | 90 ° C. | -30 ° C. | ROHS COMPARINT | 2007 | /files/sharpmicroelectronics-gw5bnf15l00-datasheets-4218.pdf | 700 мА | Модуль | 18 мм | 2 мм | 18 мм | 10,2 В. | Белый | 18 мм | 6 недель | Неизвестный | 2 | Нет | 1 | 6,7 Вт | 700 мА | 640 мА | 8 Вт | 48 | 700 мА | 10,2 В. | Одноцветный светодиодный кластер дисплей | 120 ° | Плоский, прямоугольный | СЛОЖНЫЙ | 640 мА | -15V | 350 LM | 90 | 25 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6DGE40NFC | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Чип на борту (COB) | Мега Зенигата | Поверхностное крепление | Поднос | 20,00 мм LX24,00 мм ш | 3 (168 часов) | ROHS COMPARINT | 2012 | SMD/SMT | 24 мм | 1,80 мм | 24 мм | Белый, нейтральный | 20 мм | 2 | Нет | 1,5а | 950 мА | 50 В | Круговой, плоский | 160 | Прямоугольник | -15V | 50 В | 4000K | Белый | 3,77 клм | 950 мА | 1,5а | Плоский | 90 |
