Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОстрая Микроэлектроника(4951)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Рабочий ток питания | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Цвет | Без свинца | Глубина | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Ведущая презентация | Ориентация | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Максимальное напряжение питания (постоянный ток) | Минимальное напряжение питания (постоянный ток) | Достичь кода соответствия | Номинальная мощность | Максимальный текущий рейтинг | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Рабочая температура (мин) | Количество каналов | Рассеяние мощности | Время ответа | Количество элементов | Количество цепей | Пакет устройств поставщика | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальное напряжение изоляции | Угол обзора | Стиль объектива | Количество светодиодов | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Высота тела | Ширина тела | Расстояние между строками | Диаметр отверстия | Расстояние срабатывания | Диапазон измерения-Макс. | Диапазон измерения-мин. | Тип датчиков/преобразователей | Выходной диапазон | Конфигурация выхода | Напряжение – изоляция | Мощность - Макс. | Обратное напряжение пробоя | Обратное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канал | Текущий коэффициент передачи | ЦКТ (К) | Цвет подсветки | Световой поток | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Длина волны | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Ток — выход/канал | Темный ток | Напряжение - Выход (Макс.) | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Насыщенность Vce (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Текущий — Темный (Id) (Макс.) | Напряжение — выходное напряжение (типовое) на расстоянии | Разница напряжения – выходное напряжение (тип.) на расстоянии |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PC703V0YSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc703v0yszx-datasheets-6728.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 6 | ОДОБРЕНО VDE, ПРИЗНАНО UL | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 70В | Транзистор с базой | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 0,05А | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 40% | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК123 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123p-datasheets-0663.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 70В | Транзистор | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC815I | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815-datasheets-6794.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 6 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 35В | Дарлингтон | 0,05А | 60 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 80 мА | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК814XP1 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc814x1-datasheets-6789.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 1 | 4-СМД | 80В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 1 мА | 150% при 1 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК364Н | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc364n1-datasheets-6632.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 50% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81712NSZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81711nsz-datasheets-6788.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-ДИП | 80В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 2мА | 50 мА | 80В | 160% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3Q410NIP | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3q410nip-datasheets-6854.pdf | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 16 | 4 | 4 | 16-мини-квартира | 80В | Транзистор | 4 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC725V0NIZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc725v0nszx-datasheets-6815.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 1 | 6-СМД | 300В | Дарлингтон с базой | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 1,2 В | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 150 мА | 150 мА | 300В | 1000% при 1 мА | 15000% при 1 мА | 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4N290YSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 6 | 1 | 30В | Дарлингтон с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 100 мА | 100 мА | 100% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC123AJ0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123yj0000f-datasheets-6932.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е6/е2 | ОЛОВО ВИСМУТ/ОЛОВО МЕДЬ | 200мВт | 200мВт | 1 | 70В | 5мА | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 70В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК364N1J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharp-pc364n1j000f-datasheets-3985.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 10 мА | 1,2 В | Транзистор | 10 мА | 18 мкс | 18 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 500 мкА | 600% при 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC724V0NSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc724v0nszxf-datasheets-7147.pdf | Содержит свинец | 6 | 1 | 1 | 35В | 4 мкс | 200 мВ | 80 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК123Y1 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123p-datasheets-0663.pdf | ОКУНАТЬ | Содержит свинец | ПРИЗНАН UL, ОДОБРЕН VDE | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | -30°С | 1 | 1 | 70В | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 0,05А | 5000В | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 200 мВ | 50 мА | 50% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81711NIP0F | Острая микроэлектроника | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81716nip0f-datasheets-3501.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 170 мВт | 1 | 1 | 80В | 5мА | Транзистор | 10 мА | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 120% при 500 мкА | 300% при 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC354NTJ000F | Острая микроэлектроника | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/sharpsocletechnology-pc354n1j000f-datasheets-0832.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | 5,3 мм | Без свинца | Неизвестный | 4 | 2,54 мм | Нет | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 80В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 80В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 20% при 1 мА | 400% при 1 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC357N7TJ00F | Острая микроэлектроника | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | 4,4 мм | Без свинца | Неизвестный | 4 | 2,54 мм | Нет | 6В | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 80В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 7 мм | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 80В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC845XJ0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc845xj0000f-datasheets-9573.pdf | 16-ДИП | Без свинца | UL | 16 | 200мВт | 4 | 200мВт | 4 | 4 | 16-ДИП | 35В | 50 мА | 1,4 В | Дарлингтон | 300 мкс | 250 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 35В | 1В | 35В | 80 мА | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 600 % | 80 мА | 35В | 600% при 1 мА | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H7BDJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharp-pc3h7bdj000f-datasheets-4832.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 4 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | Транзистор | 50 мА | 4 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 1 мА | 240% при 1 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПТ381 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-pt381-datasheets-2248.pdf | Т-1 | 1 | Вид сверху | 75мВт | 40° | 400 мкс | 400 мкс | 75мВт | 35В | 35В | 20 мА | 800 нм | 100нА | 35В | 20 мА | 100нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2Y3A001K0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Винт | Масса | 1 (без ограничений) | 60°С | -10°С | 50 мА | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp2y3a001k0f-datasheets-8257.pdf | 40 мм | 15 мм | 40 мм | Без свинца | 5,5 В | 4,5 В | 9 | 47,5 мм | неизвестный | 50 мА | 5,5 В | 25° | 20 мм | 3,2 мм | 300 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, СВЕТООТРАЖАЮЩИЙ | 2,55-3,15 В | Аналоговый | 870 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2Y3A003K0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Винт | -10°C~60°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | 50 мА | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp2y3a003k0f-datasheets-8714.pdf | 53 мм | Без свинца | Неизвестный | 9 | 60,5 мм | Нет | 5,5 В | 4,5 В | 4,5 В~5,5 В | 16,5 мкс | 50 мА | Аналоговый | 25° | 18 мм | 20 мм | 40 ~ 300 см | 3000 мм | 400 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 2-2,60 В | 870 нм | 2,3 В @ 40 см | 1,2 В при 40–100 см | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6DMC27NFC | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мега Зенигата | Поднос | 20,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2012 год | СМД/СМТ | 20 мм | 1,80 мм | 24 мм | Белый, Теплый | 2 | Нет | 1,05А | 700 мА | 37В | Круглый, Плоский | 84 | Прямоугольник | 37В | 2700К | Белый | 2,33 км | 700 мА | 1,05А | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6BMG27HED | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мини Зенигата | Поднос | 6,50 мм Д x 15,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2012 год | СМД/СМТ | 6,5 мм | 1,60 мм | 12 мм | Белый, Теплый | 2 | Нет | 260 мА | 160 мА | 36В | Круглый, Плоский | 24 | Прямоугольник | 36В | 2700К | Белый | 495 лм | 160 мА | 260 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6BMS40HED | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мини Зенигата | Поверхностный монтаж | Поднос | 6,50 мм Д x 15,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2012 год | СМД/СМТ | 15 мм | 1,60 мм | 15 мм | Белый, Нейтральный | 12 мм | 2 | Нет | 650 мА | 60 | 400 мА | 36В | Круглый, Плоский | 60 | Прямоугольник | -15В | 36В | 4000К | Белый | 1,34 км | 400 мА | 650 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6DMA50NFC | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мега Зенигата | Поднос | 20,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2012 год | СМД/СМТ | 20 мм | 1,80 мм | 20 мм | Белый, Холодный | 700 мА | 400 мА | 37В | Круглый, Цветной, Плоский | 48 | Прямоугольник | 37В | 5000К | Белый | 1,6 км | 400 мА | 700 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW5SMQ50P05 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Маленькая Зенигата | Поднос | 8,00 мм Д x 12,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 8 мм | 1,80 мм | 12 мм | Белый, Холодный | 160 мА | 40В | Плоский | Прямоугольник | 40В | 5000К | 70 лм/Вт | 25°С | 450 лм тип. | 140 мА | 160 мА | Плоский | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW5SGD40P05 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Маленькая Зенигата | Поднос | 8,00 мм Д x 12,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 8 мм | 1,80 мм | 12 мм | Белый, Нейтральный | 560 мА | 9,6 В | Плоский | Прямоугольник | 9,6 В | 4000К | 75 лм/Вт | 25°С | 360 лм тип. | 500 мА | 560 мА | Плоский | 90 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW6BMJ27HED | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Мини Зенигата | Поверхностный монтаж | Поднос | 6,50 мм Д x 15,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | СМД/СМТ | 15 мм | 1,60 мм | 15 мм | Белый, Теплый | 12 мм | 2 | Нет | 900 мА | 48 | 320 мА | 18В | Круглый, Плоский | 48 | Прямоугольник | -15В | 18В | 2700К | Белый | 990 лм | 640 мА | 900 мА | Плоский | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW5BQC15L02 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Винт, поверхностное крепление | Поднос | 18,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | 90°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/sharpmicroelectronics-gw5bqc15l02-datasheets-0920.pdf | Модуль | 18 мм | 2,00 мм | 18 мм | 10,2 В | Белый, Теплый | 18 мм | Неизвестный | 2 | Нет | 3,6 Вт | 400 мА | 360 мА | 4,4 Вт | 4,4 Вт | 1 | 400 мА | 10,2 В | Плоский, Прямоугольный | 30 | Квадрат | -15В | 10,2 В | 2700К | Белый | 160 лм | 44 лм/Вт | 25°С | 160 лм тип. | 360 мА | 400 мА | Плоский | 85 (тип.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GW5DLC40M04 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | Поднос | 20,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 3 (168 часов) | 100°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2011 год | 120 | 20 мм | 1,80 мм | 24 мм | 37В | Белый, Нейтральный | Неизвестный | 2 | 25 Вт | 1,05А | 28 Вт | 96 | 700 мА | 37В | 120° | Плоский | Квадрат | -15В | 37В | 4000К | Белый | 2,55 км | 98 лм/Вт | 25°С | 2550 лм тип. | 700 мА | 1,05А | Плоский | 80 |
