Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактSharp Microelectronics (4951)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Эксплуатационный ток снабжения | Ток - поставка | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Метод зондирования | Длина | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Форма | Количество терминаций | Время выполнения завода | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Количество булавок | Толщина | Ориентация | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | Количество функций | Напряжение - вход (макс) | Максимальное входное напряжение | Номинальный ток снабжения | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Приложения | Максимальная диссипация власти | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Рассеяние власти | Время ответа | Входной смещение ток | Количество элементов | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Скорость передачи данных | Мин входное напряжение | Мин выходной напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Отметное напряжение | Вперед | Впередное напряжение | Вывод типа | Оптоэлектронный тип устройства | В штате ток-макс | Время подъема | Время падения (тип) | Конфигурация | Приложение | Количество выходов | Высота тела | Длина тела или диаметр | Ширина тела | Тип завершения | Жилье | Чувствительное расстояние | Измерение диапазона-макс | Измерение диапазона мин | Датчики/преобразователи тип | Выходной диапазон | Выходная конфигурация | Выходное напряжение 1 | Обратное напряжение разбивки | Обратное напряжение | Напряжение разбивки излучателя коллекционера | Напряжение излучателя коллекционера (VCEO) | Макс Коллекторный ток | Current - DC Forward (if) (max) | Длина волны | Размер | Тип волоконного оптического устройства | Инфракрасный диапазон | Текущий - покоящий (IQ) | Функции управления | Ток - выход | Напряжение - выход (мин/фиксирован) | Количество регуляторов | Особенности защиты | Отступие напряжения (макс) | PSRR | Обнаружение близости | BPF Центральная частота |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PQ3RD23J000H | Островая микроэлектроника | $ 5,29 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -20 ° C ~ 80 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 80 ° C. | -20 ° C. | ROHS COMPARINT | 2001 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pq12rd21j00h-datasheets-3898.pdf | До 220-4 | Свободно привести | 20 В | 20 В | 15 Вт | До 220-4 | 3,3 В. | 500 мВ | Зафиксированный | 1 | Положительный | 10 мА | Давать возможность | 2A | 3,3 В. | 1 | Над током, выше температуры | 0,5 В @ 2a | 55 дБ (120 Гц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PQ12RD1BJ00H | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -20 ° C ~ 80 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 80 ° C. | -20 ° C. | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pq05rd1bj00h-datasheets-8121.pdf | До 220-4 | Свободно привести | 20 В | 20 В | 15 Вт | До 220-4 | 12 В | 500 мВ | Зафиксированный | 1 | Положительный | 10 мА | Давать возможность | 1A | 12 В | 1 | Над током, выше температуры | 0,5 В при 500 мА | 55 дБ (120 Гц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PQ015EZ1HZPH | Островая микроэлектроника | $ 2,27 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | 2006 | В | 63 | 10 В | 8 Вт | 1MA | 2,35 В. | 1,5 В. | 1,5а | 1V | Зафиксированный | 1 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PQ025EH02ZP | Островая микроэлектроника | $ 6,23 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | 4 мм | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pq018eh02zzh-datasheets-7969.pdf | До 263 | 8,4 мм | Свободно привести | 5 | неизвестный | 1 | 10 В | E2 | Жестяная медь | 35 Вт | ОДИНОКИЙ | Крыло Печата | 260 | 10 | 1MA | Не квалифицирован | R-PSSO-G5 | 3В | 2,5 В. | 2A | Зафиксированный | 1 | 2,5 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2L20R | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -25 ° C ~ 85 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | 1997 | /files/sharpmicroelectronics gp2l20r-datasheets-6106.pdf | Крепление печатной платы | Отражающий | неизвестный | 1,4 В. | 80 мкс, 70 мкс | 20 мА | 1,2 В. | Фотодарлингтон | 80 мкс | 5 мм | 8,8 мм | 5 мм | Припаяна | 0,512 (13 мм) | 13 мм | 13 мм | Линейный датчик положения, фотоэлектрический, диффузный | 1-20 мА | 35 В. | 20 мА | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2S24ABJ00F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -25 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2006 | /files/sharpmicroelectronics gp2s24bj000f-datasheets-6203.pdf | Крепление печатной платы | Отражающий | Свободно привести | 4 | неизвестный | E2 | Олово/медь (sn/cu) | 100 МВт | 20 мкс, 20 мкс | 1 | 20 мА | 1,2 В. | Фототранзистор | 20 мкс | 20 мкс | 3 мм | Припаяна | Пластик | 0,028 (0,7 мм) | 0,7 мм | Линейный датчик положения, фотоэлектрический, диффузный | 6 В | 6 В | 35 В. | 35 В. | 20 мА | 50 мА | 950 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GA1A2S100SS | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Окружающий | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 85 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 1998 | /files/sharpmicroelectronics-ga1a2s100ss-datasheets-7523.pdf | Радиальные - 3 свинца | 3 мм | 4 мм | 1,8 мм | Свободно привести | 3 | 3 | 1 | 2,7 В ~ 3,6 В. | ОДИНОКИЙ | 3,3 В. | 2,7 В. | 5 мА | Текущий | 2 мс | 1 мс | 555 нм | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1fm514tz0f | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Винт | 2 (1 год) | ROHS COMPARINT | 1998 | 5 В | Свободно привести | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1FA514TZ | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | 13ma | Не совместимый с ROHS | 2005 | /files/sharpmicroelectronics-gp1fa514tz0f-datasheets-4990.pdf | 19 мм | 12 мм | Содержит свинец | 12 мм | неизвестный | 8 мА | Цифровой аудио | 4,75 В ~ 5,25 В. | 13,2 Мбит / с | 660 нм | Передатчик | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1ud261xk | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 200 мкА | Не совместимый с ROHS | 2000 | /files/sharpmicroelectronics-gp1ud281yk-datasheets-4987.pdf | 8,8 мм | Содержит свинец | КРУГЛЫЙ | 3 | Вид на верх | неизвестный | 1 | 2,7 В ~ 5,5 В. | Логический выходной фото IC | СЛОЖНЫЙ | Дистанционное управление | 5 м | ДА | 38,0 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1ud287yk | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 200 мкА | Не совместимый с ROHS | 2000 | /files/sharpmicroelectronics-gp1ud281yk-datasheets-4987.pdf | 16,6 мм | Содержит свинец | КРУГЛЫЙ | Вид на верх | неизвестный | 1 | 2,7 В ~ 5,5 В. | Логический выходной фото IC | СЛОЖНЫЙ | Дистанционное управление | 10 м | 3,8 мм | ДА | 56,8 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1UE28XK | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | -10 ° C. | 600 мкА | 600 мкА | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/sharpmicroelectronics-gp1ue28yk-datasheets-5210.pdf | 17,8 мм | Содержит свинец | 15 недель | 3,6 В. | 2,4 В. | 3 | Вид на верх | Нет | 2,4 В ~ 3,6 В. | 10 м | 40,0 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1UE287XK0F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | -10 ° C. | 600 мкА | ROHS COMPARINT | 2002 | /files/sharpmicroelectronics-gp1ue28yk-datasheets-5210.pdf | 17,8 мм | 3,6 В. | Свободно привести | КРУГЛЫЙ | 3 | Вид на верх | Нет | 1 | 400 мкА | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 2,4 В ~ 3,6 В. | 1,9 В. | Логический выходной фото IC | СЛОЖНЫЙ | Дистанционное управление | 10 м | 4,2 мм | ДА | 56,8 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1um26rk00f | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление через отверстие | Через дыру | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | -10 ° C. | 950 мкА | ROHS COMPARINT | 2002 | /files/sharpmicroelectronics gp1um271rk-datasheets-5126.pdf | 8,8 мм | 5,5 В. | Свободно привести | КРУГЛЫЙ | 3 | Вид на верх | Нет | 1 | 950 мкА | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 4,5 В ~ 5,5 В. | 4 В | Логический выходной фото IC | 0,0015а | СЛОЖНЫЙ | Дистанционное управление | 8,5 м | ДА | 40,0 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1ux307qs | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | -10 ° C. | 600 мкА | 600 мкА | ROHS COMPARINT | 2004 | /files/sharpmicroelectronics-gp1ux307qs-datasheets-5470.pdf | 3,6 В. | Свободно привести | 3 | Вид сбоку | 400 мкА | 2,4 В ~ 3,6 В. | 1,9 В. | 5 м | 56,8 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1ud26xk00f | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | -10 ° C. | 200 мкА | ROHS COMPARINT | 1998 | /files/sharpmicroelectronics-gp1ud281yk-datasheets-4987.pdf | 8,8 мм | 5,5 В. | Свободно привести | КРУГЛЫЙ | 3 | Вид на верх | неизвестный | 1 | 200 мкА | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 2,7 В ~ 5,5 В. | 2,2 В. | Логический выходной фото IC | СЛОЖНЫЙ | Дистанционное управление | 10 м | ДА | 40,0 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1um270xk0f | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Масса | 1 (неограниченный) | 500 мкА | 2002 | /files/sharpmicroelectronics-gp1um277xk-datasheets-4971.pdf | Вид на верх | 4,5 В ~ 5,5 В. | 10,5 м | 36,0 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1UE281XKVF | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 600 мкА | ROHS COMPARINT | 2006 | /files/sharpmicroelectronics-gp1ue271xkvf-datasheets-5712.pdf | 17,8 мм | 5,5 В. | Свободно привести | КРУГЛЫЙ | 3 | Вид на верх | Нет | 1 | 270 мкА | 2,4 В ~ 3,6 В. | 2,2 В. | Логический выходной фото IC | СЛОЖНЫЙ | Дистанционное управление | 10 м | ДА | 38,0 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1UE26XK0VF | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 600 мкА | ROHS COMPARINT | 2006 | /files/sharpmicroelectronics-gp1ue271xkvf-datasheets-5712.pdf | 8,6 мм | 5,5 В. | Свободно привести | КРУГЛЫЙ | 15 недель | 3 | Вид на верх | Нет | 1 | 270 мкА | 2,4 В ~ 3,6 В. | 2,2 В. | Логический выходной фото IC | СЛОЖНЫЙ | Дистанционное управление | 10 м | 4,2 мм | ДА | 40,0 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1UE280YK0F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | -10 ° C. | 400 мкА | 400 мкА | ROHS COMPARINT | 2002 | 3,6 В. | 3 | Вид на верх | Нет | 400 мкА | 2,7 В ~ 5,5 В. | 1,9 В. | 10 м | 36,0 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1UE263RKVF | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | -10 ° C. | 400 мкА | 400 мкА | ROHS COMPARINT | 2006 | 5,5 В. | 15 недель | 3 | Вид на верх | Нет | 270 мкА | 2,7 В ~ 5,5 В. | 2,2 В. | 10 м | 32,75 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1USC61QS | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 350 мкА | ROHS COMPARINT | Вид на верх | 2,7 В ~ 5,5 В. | 15 м | 38,0 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1um29qk0vf | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 600 мкА | 2006 | Вид сбоку | 4,5 В ~ 5,5 В. | 8,5 м | 40,0 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1uxc42qs | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 600 мкА | 2015 | /files/sharpmicroelectronics-gp1uxc42qs-datasheets-1574.pdf | 2,7 В ~ 5,5 В. | 6 мм | 36,7 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1UE280RKVF | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 270 мкА | ROHS COMPARINT | /files/sharpmicroelectronics gp1ue280qkvf-datasheets-1559.pdf | КРУГЛЫЙ | Вид на верх | 1 | 2,7 В ~ 5,5 В. | Логический выходной фото IC | СЛОЖНЫЙ | Дистанционное управление | 6 м | ДА | 36,0 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1ux320qs | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1ux317rk | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1UE277XK | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | -10 ° C. | 600 мкА | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/sharpmicroelectronics-gp1ue28yk-datasheets-5210.pdf | 13,8 мм | Содержит свинец | 15 недель | 3 | Вид на верх | 10 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1ud277xk | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Масса | Непригодный | 70 ° C. | -10 ° C. | 200 мкА | Не совместимый с ROHS | 2000 | /files/sharpmicroelectronics-gp1ud281yk-datasheets-4987.pdf | 14 мм | Содержит свинец | КРУГЛЫЙ | Вид на верх | неизвестный | 1 | 2,7 В. | Логический выходной фото IC | СЛОЖНЫЙ | Дистанционное управление | 10 м | 3,8 мм | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PQ1R28J0000H | Островая микроэлектроника | $ 1,00 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 80 ° C. | -30 ° C. | Не совместимый с ROHS | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pq1r30-datasheets-2807.pdf | SOT-23-6 | Свободно привести | 16 В | 400 МВт | 170 мкА | 2,8 В. | 150 мА | 290 МВ | Зафиксированный | 1 | 1 |
