Sharp Microelectronics (4951)

Имя	Производитель	Цены (доллар)	Количество	Статус частично	Ряд	Устанавливать	Монтажный тип	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности влаги (MSL)	Максимальная рабочая температура	МИН рабочая температура	Тип ввода	Статус ROHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет / корпус	Длина	Входной ток	Высота	Ширина	Свободно привести	Время выполнения завода	Агентство по утверждению	Достичь SVHC	Количество булавок	Свинцовый шаг	Интерфейс	Дополнительная функция	Радиационное упрочнение	Достичь кода соответствия	Количество функций	Код JESD-609	Терминальная отделка	Напряжение	Максимальная диссипация власти	Напряжение снабжения	Рабочая температура (макс)	Рабочая температура (мин)	Поставка напряжения-макс (VSUP)	Поставка напряжения мимин (VSUP)	Количество каналов	Рассеяние власти	Время ответа	Количество элементов	Подкатегория	Количество схем	Пакет устройства поставщика	Скорость передачи данных	Максимальное выходное напряжение	Сенсорный экран	Выходное напряжение	Вперед	Впередное напряжение	Вывод типа	Изоляционное напряжение	Максимальный входной ток	Оптоэлектронный тип устройства	Вперед тока-макс	Изоляция напряжения-макс	Время подъема	Время падения (тип)	Конфигурация	Задержка распространения	Напряжение - изоляция	Обратное напряжение разбивки	Максимальное обратное напряжение (DC)	Напряжение разбивки излучателя коллекционера	Напряжение насыщения насыщения коллекционера	Напряжение излучателя коллекционера (VCEO)	Макс Коллекторный ток	Напряжение - вперед (vf) (тип)	Время подъема / падения (тип)	Current - DC Forward (if) (max)	Обратное напряжение (DC)	Выходной ток на канал	Коэффициент передачи тока	Дисплей тип	Длина волны	Ток - выход / канал	Темный ток	Зона просмотра	Режим отображения	Разрешение (высота)	Разрешение (ширина)	Диагональный размер экрана	Диагональный размер	Напряжение - выход (макс)	Горизонтальное количество пикселей	Темный ток-макс	Подсветка	Точечные пиксели	Графический цвет	Точечный шаг	Цвет фона	Тип подсветки	Напряжение - DC Reverse (VR) (MAX)	Спектральный диапазон	Активная площадь	Цвет - улучшен	Коэффициент переноса тока (мин)	Коэффициент передачи тока (макс)	Включите / выключите время (тип)	Vce насыщение (макс)
LQ042T5DZ13K	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать						1 (неограниченный)				ROHS COMPARINT								Свободно привести	18 недель					Параллель, 18-битный (RGB)																																																						92,88 мм W x 52,63 мм ч	Передача	240 пикселей	432 пиксель	4.2 106,68 мм	4.2 в				ВЕЛ	432 x 240 (WQVGA)				ВЕЛ
LQ150x1LW12	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать						1 (неограниченный)	65 ° C.	0 ° C.		ROHS COMPARINT									20 недель					LVDS																							Нет																															304,10 мм W x 228,10 мм ч	Передача	768 пикселей	1024 пиксель	15 381,00 мм	15 дюймов				ВЕЛ	1024 x 768 (xga)			Черный
LQ231U1LW31	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать						1 (неограниченный)				ROHS COMPARINT	2009	/files/sharpmicroelectronics-lq231u1lw31-datasheets-9760.pdf	Модуль					Свободно привести	18 недель					LVDS																																																		TFT - цвет				470,40 мм W x 352,80 мм ч	Передача	1200 пикселей	1600 пикселей	23,1 586,74 мм	23.1 в				Светодиод - белый	1600 x 1200 (uxga)	Красный, зеленый, синий (RGB)	0,29 мм wx0,29 мм ч		ВЕЛ
LQ038Q5DR01	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать					Коробка	1 (неограниченный)				Не совместимый с ROHS	2005	/files/sharpmicroelectronics-lq038q5dr01-datasheets-0593.pdf	Модуль	118 мм		13,5 мм	69,4 мм	Свободно привести				40		Параллель, 18-битный (RGB)		Нет		1					3,3 В.	60 ° C.	-30 ° C.	3,7 В.	2,9 В.					Дисплеи												Графическая точечная матрица ЖК -дисплей																				TFT - цвет				78,72 мм W x 53,64 мм ч	Передача	240 пикселей	320 пикселей	3.8 96,52 мм	3.8 в		960 пикселей		CCFL	320 x 240 (QVGA)	Красный, зеленый, синий (RGB)	0,80 мм wx0,22 мм ч
PD3122F	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление			Трубка	1 (неограниченный)	85 ° C.	-25 ° C.		Не совместимый с ROHS	2001	/files/sharpmicroelectronics-pd3122f-datasheets-6104.pdf	SMD/SMT					Содержит свинец				6																		5 мкс																	5 мкс						30 В												940 нм		2NA
BS100C0F	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Через дыру	Через дыру	-20 ° C ~ 60 ° C.	Масса	1 (неограниченный)				ROHS COMPARINT	2006	/files/sharpmicroelectronics-bs100c-datasheets-6326.pdf	Вид сбоку					Свободно привести																																													10 В												560 нм		3PA																10 В	500 нм ~ 600 нм	1,55 мм2	Синий
PC81105NSZ0F	Островая микроэлектроника	$ 0,20	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Через дыру			Трубка	1 (неограниченный)	100 ° C.	-30 ° C.		ROHS COMPARINT	2005	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81105nsz0f-datasheets-0678.pdf	ОКУНАТЬ					Свободно привести				4			Уль признан		неизвестный		E2	Олово/медь (sn/cu)		200 МВт						1			1					70В		70В	50 мА	1,2 В.		5 В		Транзистор выходной оптокуплер			20 мкс	10 мкс	Одиночный со встроенным диодом и резистором							350 мВ	30 мА					30 мА	400 %
PC355NTJ000F	Островая микроэлектроника	$ 0,13	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-30 ° C ~ 100 ° C.	Вырезать ленту (CT)	1 (неограниченный)	100 ° C.	-30 ° C.	Ток	ROHS COMPARINT	1996		4-SMD, Крыло Чайки		20 мА		5,3 мм	Свободно привести			Неизвестный	4	2,54 мм			Нет					6 В	170 МВт						1	170 МВт		1		1	4-минутный флат		35 В.		35 В.	50 мА	1,4 В.	Дарлингтон		50 мА				300 мкс	250 мкс			3750vrms	6 В		35 В.	1V	35 В.	80 мА	1,2 В.	60 мкс 53 мкм	50 мА	6 В	80 мА				80 мА								35 В.													600% @ 1MA			1V
PC357M15J00F	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-30 ° C ~ 100 ° C.	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)	100 ° C.	-30 ° C.	Ток	ROHS COMPARINT	2005		4-минутный									4										170 МВт						1	170 МВт		1			4-минутный флат		80 В			50 мА	1,2 В.	Транзистор		50 мА				18 мкс	18 мкс			3750vrms	6 В			200 мВ	80 В	50 мА	1,2 В.	4 мкс 3 мкс	50 мА		50 мА				50 мА								80 В													50% @ 5MA	600% @ 5MA		200 мВ
PC3H4KJ0000F	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление			Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)	100 ° C.	-30 ° C.		ROHS COMPARINT			SMD/SMT									4										170 МВт						1	170 МВт										50 мА	1,4 В.			50 мА				18 мкс	18 мкс							200 мВ	80 В	50 мА						400 %
PC123Y22FZ1B	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать				-30 ° C ~ 100 ° C.	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)			Ток	ROHS COMPARINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpsocletechnology-pc123y22fz0f-datasheets-0148.pdf																										1													Транзистор																	1,2 В.	4 мкс 3 мкс							50 мА								70В																200 мВ
PC3H7CJ0001B	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать			Поверхностное крепление	-30 ° C ~ 100 ° C.	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)			Ток	ROHS COMPARINT			4 Soic (0,173, ширина 4,40 мм)																									1													Транзистор										2500vrms							1,2 В.	4 мкс 3 мкс							50 мА								80 В																200 мВ
PC123XNYIP0F	Островая микроэлектроника	$ 1,68	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-30 ° C ~ 100 ° C.	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)	100 ° C.	-30 ° C.	Ток	ROHS COMPARINT	2006	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123xnyip0f-datasheets-2706.pdf	4-SMD, Крыло Чайки					Свободно привести	20 недель			4				Нет						200 МВт						1	200 МВт		1			4-SMD		70В			50 мА	1,4 В.	Транзистор		50 мА				18 мкс	18 мкс			5000 дюймов	6 В			200 мВ	70В	50 мА	1,2 В.	4 мкс 3 мкс	50 мА		50 мА				50 мА								70В													50% @ 5MA	400% @ 5MA		200 мВ
PC457L0NIP	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Opic ™	Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-55 ° C ~ 85 ° C.	Вырезать ленту (CT)	1 (неограниченный)			Ток	Не совместимый с ROHS	2003	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc457l0nip-datasheets-6709.pdf	6 Soic (0,173, ширина 4,40 мм), 5 проводников					Содержит свинец				5			Уль признан	Нет			E0	Олово/свинец (SN/PB)		100 МВт							100 МВт		1				1 Мбит / с				25 мА		Транзистор		25 мА	Logic IC вывод Optocoupler					ОДИНОКИЙ	800 нс	3750vrms	5 В					8 мА	1,7 В.				8 мА				8 мА								20 В													19% @ 16ma	50% @ 16ma	200NS, 400NS
PC457L0YIP	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Opic ™	Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-55 ° C ~ 85 ° C.	Вырезать ленту (CT)	1 (неограниченный)			Ток	Не совместимый с ROHS	2003	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc457l0nip-datasheets-6709.pdf	6 Soic (0,173, ширина 4,40 мм), 5 проводников					Содержит свинец							UL признан, одобрен VDE				E2	Олово/медь (sn/cu)								1			1				1 Мбит / с						Транзистор			Logic IC вывод Optocoupler					ОДИНОКИЙ	800 нс	3750vrms							1,7 В.		25 мА		8 мА												20 В													19% @ 16ma	50% @ 16ma	200NS, 400NS
PC81411NSZ	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Через дыру	Через дыру	-30 ° C ~ 100 ° C.	Трубка	1 (неограниченный)			AC, DC	Не совместимый с ROHS	2003	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81410nsz-datasheets-6781.pdf	4-DIP (0,300, 7,62 мм)					Содержит свинец																				1					1	4-Dip				80 В			Транзистор						4 мкс				5000 дюймов					200 мВ		1,2 В.	4 мкс 3 мкс	10 мА		50 мА				50 мА								80 В													100% @ 500 мкА	300% @ 500 мкА		200 мВ
PC825	Островая микроэлектроника	$ 23,35	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Через дыру	Через дыру	-30 ° C ~ 100 ° C.	Трубка	1 (неограниченный)			Ток	Не совместимый с ROHS	1997	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815-datasheets-6794.pdf	8-DIP (0,300, 7,62 мм)					Содержит свинец							Уль признан		неизвестный		E0	Олово/свинец (SN/PB)								2			2							35 В.			Дарлингтон				0,05а		60 мкс				5000 дюймов					1V		1,2 В.	60 мкс 53 мкм	50 мА		80 мА	600%			80 мА										1000NA											600% @ 1MA
PC715V0SZX	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Через дыру	Через дыру	-25 ° C ~ 100 ° C.	Трубка	1 (неограниченный)			Ток	Не совместимый с ROHS	2003	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc715v0nszx-datasheets-6747.pdf	6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 проводников					Содержит свинец				6			UL признан, одобрен VDE		неизвестный		E0	Олово/свинец (SN/PB)								1			1							35 В.			Дарлингтон				0,05а		60 мкс		ОДИНОКИЙ		5000 дюймов					1V		1,2 В.	60 мкс 53 мкм	50 мА		80 мА				80 мА																					600% @ 1MA	7500% @ 1MA
PC817XI2	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-30 ° C ~ 100 ° C.	Трубка	1 (неограниченный)			Ток	Не совместимый с ROHS	2003	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817xi-datasheets-6777.pdf	4-SMD, Крыло Чайки					Содержит свинец																				1					1	4-SMD				80 В			Транзистор						4 мкс				5000 дюймов					200 мВ		1,2 В.	4 мкс 3 мкс	50 мА		50 мА				50 мА								80 В													130% @ 5MA	260% @ 5MA		200 мВ
PC844X1	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Через дыру	Через дыру	-30 ° C ~ 100 ° C.	Трубка	1 (неограниченный)			AC, DC	Не совместимый с ROHS	2004	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc844x-datasheets-6832.pdf	16-DIP (0,300, 7,62 мм)					Содержит свинец							Уль признан		неизвестный		E0	Олово/свинец (SN/PB)								4			4							80 В			Транзистор				0,05а		4 мкс				5000 дюймов					200 мВ		1,2 В.	4 мкс 3 мкс			50 мА				50 мА										100NA											50% @ 1MA	150% @ 1MA
PC81713NSZ	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Через дыру	Через дыру	-30 ° C ~ 100 ° C.	Трубка	1 (неограниченный)			Ток	Не совместимый с ROHS	2003	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81711nsz-datasheets-6788.pdf	4-DIP (0,300, 7,62 мм)					Содержит свинец							Уль признан		неизвестный		E0	Олово/свинец (SN/PB)								1			1							80 В			Транзистор						4 мкс		ОДИНОКИЙ		5000 дюймов					200 мВ		1,2 В.	4 мкс 3 мкс	10 мА		2,5 мА				50 мА																					200% @ 500 мкА	500% @ 500 мкА
PC817X2NIP0F	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-30 ° C ~ 100 ° C.	Вырезать ленту (CT)	1 (неограниченный)	100 ° C.	-30 ° C.	Ток	ROHS COMPARINT	2008		4-SMD, Крыло Чайки		50 мА			Свободно привести			Неизвестный	4				Нет						200 МВт						1	200 МВт		1			4-SMD		80 В		80 В	50 мА	1,4 В.	Транзистор		50 мА				18 мкс	18 мкс			5000 дюймов	6 В			200 мВ	80 В	50 мА	1,2 В.	4 мкс 3 мкс	50 мА		50 мА				50 мА								80 В													130% @ 5MA	230% @ 5MA		200 мВ
PC817XIJ000F	Островая микроэлектроника	$ 0,10	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-30 ° C ~ 100 ° C.	Трубка	1 (неограниченный)	100 ° C.	-30 ° C.	Ток	ROHS COMPARINT	2005	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817x3j000f-datasheets-6921.pdf	4-SMD, Крыло Чайки					Свободно привести				4										200 МВт						1	200 МВт		1			4-SMD				80 В	5 мА	1,4 В.	Транзистор						18 мкс	18 мкс			5000 дюймов	6 В			200 мВ	80 В	50 мА	1,2 В.	4 мкс 3 мкс	50 мА		50 мА				50 мА								80 В													50% @ 5MA	600% @ 5MA		200 мВ
PC853XJ0000F	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Через дыру	Через дыру	-30 ° C ~ 100 ° C.	Трубка	1 (неограниченный)			Ток	ROHS COMPARINT	2005	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc852xpj000f-datasheets-3536.pdf	4-DIP (0,300, 7,62 мм)					Свободно привести				4			Уль признан		неизвестный					320 МВт							320 МВт		1							350 В.	1MA		Дарлингтон						300 мкс	100 мкс	Одиночный со встроенным диодом и резистором		5000 дюймов	6 В			1,2 В.	350 В.	150 мА		100 мкс 20 мкс	50 мА		150 мА	4000%													200NA											1000% @ 1MA
PC844IJ1J00F	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Через дыру	Через дыру	-30 ° C ~ 100 ° C.	Трубка	1 (неограниченный)	100 ° C.	-30 ° C.	AC, DC	ROHS COMPARINT	1997	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc8444ij1-datasheets-6942.pdf	16-DIP (0,300, 7,62 мм)					Свободно привести				16										200 МВт						4	200 МВт		4		4	16-Dip				80 В	50 мА	1,4 В.	Транзистор						18 мкс	18 мкс			5000 дюймов				200 мВ	80 В	50 мА	1,2 В.	4 мкс 3 мкс	50 мА		50 мА				50 мА								80 В													20% @ 1MA	300% @ 1MA		200 мВ
PC714V0NSZX	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Через дыру			Трубка	Непригодный	100 ° C.	-25 ° C.		Не совместимый с ROHS	2003	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc714v0yszx-datasheets-7386.pdf	ОКУНАТЬ					Содержит свинец							Уль признан		неизвестный		E0	Олово/свинец (SN/PB)								1			1					80 В		80 В		1,2 В.				Транзистор выходной оптокуплер	0,05а	5000 В.	4 мкс		ОДИНОКИЙ							200 мВ						50 мА	50%
PC713V0Nizxf	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление			Трубка	1 (неограниченный)	100 ° C.	-25 ° C.		ROHS COMPARINT	2005	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc713v0nizxf-datasheets-7535.pdf	SMD/SMT					Свободно привести	1216 недель							Нет						170 МВт						1					1			80 В		80 В		1,2 В.			50 мА				4 мкс								200 мВ	200 мВ	50 мА					50 мА
PC713V0NSZXF	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Через дыру	Через дыру	-25 ° C ~ 100 ° C.	Трубка	1 (неограниченный)			Ток	ROHS COMPARINT	2003	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc713v0nizxf-datasheets-7535.pdf	6-DIP (0,300, 7,62 мм)					Свободно привести				6			Уль признан	Нет			E2	Олово/медь (sn/cu)		170 МВт							170 МВт		1					80 В		80 В	50 мА		Транзистор с базой		50 мА	Транзистор выходной оптокуплер			18 мкс	18 мкс	ОДИНОКИЙ		5000 дюймов	6 В			200 мВ	80 В	50 мА	1,2 В.	4 мкс 3 мкс			50 мА																									50% @ 5MA	600% @ 5MA
PC357N4TJ00F	Островая микроэлектроника	$ 0,08	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-30 ° C ~ 100 ° C.	Вырезать ленту (CT)	1 (неограниченный)			Ток	ROHS COMPARINT	2003		4-SMD, Крыло Чайки		20 мА		5,3 мм	Свободно привести		UL	Неизвестный	4	2,54 мм			Нет			E2	Олово/медь (sn/cu)	6 В	170 МВт							170 МВт		1					80 В		80 В	50 мА		Транзистор		50 мА				18 мкс	18 мкс	ОДИНОКИЙ		3750vrms	6 В		80 В	200 мВ	80 В	50 мА	1,2 В.	4 мкс 3 мкс			50 мА																									300% @ 5MA	600% @ 5MA		200 мВ
PC957L0YIP0F	Островая микроэлектроника		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Opic ™	Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-55 ° C ~ 85 ° C.	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)	85 ° C.	-55 ° C.	Ток	ROHS COMPARINT	2005	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc957l0nsz0f-datasheets-6927.pdf	8-SMD					Свободно привести														100 МВт						1						8-SMD		20 В			25 мА	1,7 В.	Транзистор										5000 дюймов						8 мА	1,7 В.		25 мА		8 мА				8 мА								20 В													19% @ 16ma	50% @ 16ma	200NS, 400NS

Sharp Microelectronics (4951)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии