Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактSharp Microelectronics (4951)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Тип ввода | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Время выполнения завода | Количество булавок | Интерфейс | Ориентация | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Максимальная диссипация власти | Напряжение - поставка | Рабочая температура (макс) | Рабочая температура (мин) | Количество каналов | Рассеяние власти | Время ответа | Количество элементов | Количество схем | Пакет устройства поставщика | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Сенсорный экран | Энергопотребление | Выходное напряжение | Вперед | Впередное напряжение | Вывод типа | Изоляционное напряжение | Максимальный входной ток | Оптоэлектронный тип устройства | Вперед тока-макс | Изоляция напряжения-макс | Время подъема | Время падения (тип) | Конфигурация | Напряжение - изоляция | Обратное напряжение разбивки | Максимальное обратное напряжение (DC) | Напряжение насыщения насыщения коллекционера | Напряжение излучателя коллекционера (VCEO) | Макс Коллекторный ток | Напряжение - вперед (vf) (тип) | Время подъема / падения (тип) | Current - DC Forward (if) (max) | Выходной ток на канал | Коэффициент передачи тока | Дисплей тип | Стандарты | Длина волны | Ток - выход / канал | Темный ток | Размер | Зона просмотра | Режим отображения | Разрешение (высота) | Разрешение (ширина) | Диагональный размер экрана | Диагональный размер | Напряжение - выход (макс) | Темный ток-макс | Ток на холостом ходу, тип @ 25 ° C | Диапазон ссылок, низкая мощность | Неисправность | Подсветка | Точечные пиксели | Графический цвет | Точечный шаг | Тип подсветки | Соотношение контрастности | Яркость | Напряжение - DC Reverse (VR) (MAX) | Спектральный диапазон | Активная площадь | Цвет - улучшен | Коэффициент переноса тока (мин) | Коэффициент передачи тока (макс) | Vce насыщение (макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GP2W3270YP0F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | -40 ° C ~ 85 ° C. | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85 ° C. | -40 ° C. | ROHS COMPARINT | 1998 | /files/sharpmicroelectronics gp2w3270yp0f-datasheets-1739.pdf | Модуль | 3,6 В. | Вид сбоку | 2,4 В ~ 3,6 В. | 115,2KBS (сэр) | Ирфи 1.4 | 890 нм | 8,3 ммх2,1 ммх1,7 мм | 70 мкА | 20 см | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ070Y3DG3A | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | 50 ° C. | -20 ° C. | ROHS COMPARINT | 2009 | /files/sharpmicroelectronics-lq070y3dg3a-datasheets-9144.pdf | Модуль | Свободно привести | 20 недель | Параллель, 24-битный (RGB) | Нет | 1,54 Вт | TFT - цвет | 152,40 мм W x 91,40 мм ч | Передача | 480 пикселей | 800 пикселей | 7 177,80 мм | 7 в | Светодиод - белый | 800 x 480 (WVGA) | Красный, зеленый, синий (RGB) | 0,19 мм wx0,19 мм ч | ВЕЛ | 300: 1 | 350 CD/M^2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ043Y1DY01 | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2014 | /files/sharp-lq043y1dy01-datasheets-9780.pdf | Свободно привести | 18 недель | Параллель, 24-битный (RGB) | 56,16 мм W X 93,60 мм ч | 800 пикселей | 480 пикселей | 4.3 109,22 мм | 4.3 в | ВЕЛ | 480 x 800 | ВЕЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ190E1LX51 | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | 60 ° C. | 0 ° C. | ROHS COMPARINT | 2010 год | /files/sharpmicroelectronics-lq190e1lx51-datasheets-9753.pdf | Модуль | 18 недель | LVDS | Нет | TFT - цвет | 376,32 мм W x 301,06 мм ч. | Передача | 1024 пиксель | 1280 пикселей | 19 482,60 мм | 19 в | Светодиод - белый | 1280 x 1024 (SXGA) | Красный, зеленый, синий (RGB) | 0,29 мм wx0,29 мм ч | ВЕЛ | 900: 1 | 1000 CD/M^2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ035Q7DB03 | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Винт | Коробка | 1 (неограниченный) | 60 ° C. | -10 ° C. | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/sharp-lq035q7db03-datasheets-9848.pdf | Модуль | 85 мм | 3,4 мм | 65 мм | Содержит свинец | 50 | Параллель, 18-битный (RGB) | Нет | TFT - цвет | 53,64 мм W x 71,52 мм ч | Передача | 320 пикселей | 240 пикселей | 3.52 89,41 мм | 3.52 в | Светодиод - белый | 240 x 320 | Красный, зеленый, синий (RGB) | 0,22 мм wx0,22 мм ч | ВЕЛ | 85: 1 | 55 CD/M^2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD3122FE000F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Трубка | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -25 ° C. | ROHS COMPARINT | 2001 | SMD/SMT | Свободно привести | 5 мкс | 5 мкс | 30 В | 940 нм | 2NA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BS500A0F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -10 ° C ~ 60 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2005 | /files/sharpmicroelectronics-bs500a-datasheets-6112.pdf | Вид сбоку | Свободно привести | 2 | 10 В | 850 нм | 10pa | 10 В | 800 нм ~ 900 нм | 5,34 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC823 | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Трубка | Непригодный | Не совместимый с ROHS | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc823-datasheets-0694.pdf | ОКУНАТЬ | Уль признан | неизвестный | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 100 ° C. | -30 ° C. | 2 | 2 | 35 В. | Входной транс-пастур переменного тока Optocoupler | 0,05а | 5000 В. | 4 мкс | 200 мВ | 50 мА | 20% | 100NA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81106NSZ | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81102nsz-datasheets-0683.pdf | ОКУНАТЬ | Содержит свинец | Уль признан | неизвестный | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | -30 ° C. | 1 | 1 | 70В | Транзистор выходной оптокуплер | 0,05а | 5000 В. | 3 мкс | Одиночный со встроенным диодом и резистором | 350 мВ | 30 мА | 100% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC357MJ0000F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS COMPARINT | 4-минутный | 4 | 170 МВт | 1 | 80 В | Транзистор | 50 мА | 3750vrms | 200 мВ | 80 В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC364M1J000F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | AC, DC | ROHS COMPARINT | 4-минутный | 4 | 170 МВт | 1 | 80 В | Транзистор | 10 мА | 3750vrms | 200 мВ | 80 В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 100% @ 500 мкА | 300% @ 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H4J00001B | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | AC, DC | ROHS COMPARINT | 4 Soic (0,173, ширина 4,40 мм) | 1 | Транзистор | 2500vrms | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 В | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H7BJ0001B | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS COMPARINT | 4 Soic (0,173, ширина 4,40 мм) | 1 | Транзистор | 2500vrms | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 В | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC851XNNIP0F | Островая микроэлектроника | $ 0,09 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -25 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS COMPARINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc851xnnip0f-datasheets-2663.pdf | 4-SMD, Крыло Чайки | 4 | UL признан, одобрен VDE | неизвестный | E2 | Жестяная медь | 200 МВт | 1 | 200 МВт | 1 | 350 В. | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 10 мкс | 12 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 дюймов | 6 В | 300 мВ | 350 В. | 1,2 В. | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 40% | 40% @ 5MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3Q65 | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Вырезать ленту (CT) | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3q65-datasheets-6706.pdf | 16 Soic (0,173, ширина 4,40 мм) | Содержит свинец | 16 | Уль признан | неизвестный | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 4 | 4 | 35 В. | Дарлингтон | 0,05а | 60 мкс | 2500vrms | 1V | 1,2 В. | 60 мкс 53 мкм | 50 мА | 80 мА | 1600% | 80 мА | 1000NA | 600% @ 1MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H711NIP | Островая микроэлектроника | $ 0,20 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Вырезать ленту (CT) | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h710nip-datasheets-6693.pdf | 4 Soic (0,173, ширина 4,40 мм) | Содержит свинец | 4 | 1 | 1 | 4-минутный флат | 80 В | Транзистор | 4 мкс | 2500vrms | 200 мВ | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80 В | 140% @ 500 мкА | 350% @ 500 мкА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81410NSZ | Островая микроэлектроника | $ 0,05 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | AC, DC | Не совместимый с ROHS | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81410nsz-datasheets-6781.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-Dip | 80 В | Транзистор | 4 мкс | 5000 дюймов | 200 мВ | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80 В | 50% @ 500 мкА | 400% @ 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H7A | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Вырезать ленту (CT) | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h7-datasheets-6687.pdf | 4 Soic (0,173, ширина 4,40 мм) | Содержит свинец | 4 | 1 | 4-минутный флат | 80 В | Транзистор | 2500vrms | 200 мВ | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80 В | 35% @ 1MA | 70% @ 1MA | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC827AB | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc827-datasheets-6791.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | Уль признан | неизвестный | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 2 | 2 | 35 В. | Транзистор | 0,05а | 4 мкс | 5000 дюймов | 200 мВ | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 100NA | 80% @ 5MA | 260% @ 5MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC723V0SZX | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -25 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc723v0nszx-datasheets-6806.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм) | 6 | VDE одобрен, UL, признан, совместимый с TTL | неизвестный | 1 | 1 | 80 В | Транзистор с базой | Транзистор выходной оптокуплер | 0,05а | 6 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 дюймов | 300 мВ | 1,2 В. | 6 мкс 7 мкс | 50 мА | 100% | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC716V0NSZX | Островая микроэлектроника | $ 1,04 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -25 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc716v0nszx-datasheets-6846.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм) | 6 | Уль признан | неизвестный | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 1 | 1 | 35 В. | Дарлингтон | 0,05а | 130 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 дюймов | 1,2 В. | 130 мкс 60 мкс | 50 мА | 150 мА | 6000% | 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC825Y | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815-datasheets-6794.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 2 | 35 В. | Дарлингтон | 60 мкс | 5000 дюймов | 1V | 1,2 В. | 60 мкс 53 мкм | 50 мА | 80 мА | 80 мА | 600% @ 1MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81411NSZ0F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | AC, DC | ROHS COMPARINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81411nsz0f-datasheets-6918.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Свободно привести | 4 | Уль признан | неизвестный | E2 | Олово/медь (sn/cu) | 170 МВт | 1 | 1 | 80 В | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 дюймов | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 100% @ 500 мкА | 300% @ 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC847X7J000F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -30 ° C. | Ток | ROHS COMPARINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc847x7j000f-datasheets-6947.pdf | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | Свободно привести | 16 | 200 МВт | 4 | 200 МВт | 4 | 4 | 16-Dip | 80 В | 80 В | 50 мА | 1,2 В. | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5000 дюймов | 6 В | 200 мВ | 80 В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80 В | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4N290NSZX | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 проводников | 6 | 1 | 30 В | Дарлингтон с базой | 2500vrms | 1V | 100 мА | 100 мА | 100% @ 10ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC844X1J000F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | AC, DC | ROHS COMPARINT | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc8444ij1-datasheets-6942.pdf | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | Свободно привести | 16 | Уль признан | неизвестный | E2 | Олово/медь (sn/cu) | 200 МВт | 200 МВт | 4 | 80 В | 50 мА | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5000 дюймов | 200 мВ | 80 В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 100NA | 50% @ 1MA | 150% @ 1MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC123ZY2 | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Вырезать ленту (CT) | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123p-datasheets-0663.pdf | SMD/SMT | Содержит свинец | 4 | UL признан, одобрен VDE | неизвестный | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | -30 ° C. | 1 | 1 | 70В | Транзистор выходной оптокуплер | 0,05а | 5000 В. | ОДИНОКИЙ | 200 мВ | 50 мА | 100% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC123PY2J00F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -30 ° C. | Не совместимый с ROHS | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123yj0000f-datasheets-6932.pdf | SMD/SMT | Свободно привести | 4 | UL признан, одобрен VDE | неизвестный | E6/E2 | Олово висмут/оловянный медь | 200 МВт | 200 МВт | 1 | 70В | 70В | 50 мА | 1,4 В. | 5 кВ | Транзистор выходной оптокуплер | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 6 В | 200 мВ | 70В | 50 мА | 50 мА | 400 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81710NIP0F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS COMPARINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81716nip0f-datasheets-3501.pdf | 4-SMD, Крыло Чайки | Свободно привести | 4 | Уль признан | неизвестный | E2 | Олово/медь (sn/cu) | 170 МВт | 1 | 1 | 80 В | 5 мА | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 дюймов | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 100% @ 500 мкА | 600% @ 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3Q64Q5J00F | Островая микроэлектроника | $ 12,05 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 100 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -30 ° C. | AC, DC | ROHS COMPARINT | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3q64q5j00f-datasheets-9491.pdf | 16 Soic (0,173, ширина 4,40 мм) | Свободно привести | 16 | 170 МВт | 4 | 170 МВт | 4 | 4 | 16-минутный флат | 80 В | 50 мА | 1,4 В. | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 2500vrms | 200 мВ | 80 В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80 В | 20% @ 1MA | 400% @ 1MA | 200 мВ |
