Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДетали светодиодного освещения(20436)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальный текущий рейтинг | Особенность | Прямой ток | Прямое напряжение | Угол обзора | Стиль объектива | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Люмен/Ватт@ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Длина волны | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI-N8U2612B0WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | СЛЭ-026 | Поднос | Диаметр 50,00 мм | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6,10 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 700 мА | С разъемом | 33,5 В | 115° | Плоский | Круглый | 33,5 В | 3500К 3-ступенчатый эллипс Макадама | 146 лм/Вт | 75°С | Тип 2450 лм. | 500 мА | 700 мА | Плоский | 80 | Диаметр 19,00 мм | ||||||||||||
| СИ-B9V113280WW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-М272Н | Поднос | 275,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib9r113280ww-datasheets-5647.pdf | 275 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Теплый | 8 недель | 450 мА | 24В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 25 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 92 лм/Вт | 55°С | Тип 1035 лм. | 450 мА | 450 мА | Плоский | 90 | ||||||||||
| СИ-N8R1312B0WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | СЛЭ-013 | Поднос | Диаметр 50,00 мм | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6,10 мм | Белый, Холодный | 6 недель | 350 мА | С разъемом | 33,5 В | 115° | Плоский | Круглый | 33,5 В | 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 146 лм/Вт | 75°С | Тип 1220 лм. | 250 мА | 350 мА | Плоский | 80 | Диаметр 13,50 мм | ||||||||||||
| СИ-B9T151560WW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-М562Г | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib9u111560ww-datasheets-5687.pdf | 560 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 600 мА | 24,7 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24,7 В | 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 105 лм/Вт | 50°С | Тип 1550 лм. | 600 мА | 600 мА | Плоский | 90 | ||||||||||
| SI-B8V061280WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LT-E282A | Поднос | 280,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8v021070ww-datasheets-5697.pdf | 280 мм | 5,80 мм | 24 мм | Белый, Теплый | 360 мА | С разъемом | 18,7 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 18,7 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 126 лм/Вт | 50°С | Тип 705 лм. | 300 мА | 360 мА | Плоский | 80 | ||||||||||
| SI-B8U061280WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LT-E282A | Поднос | 280,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8v021070ww-datasheets-5697.pdf | 280 мм | 5,80 мм | 24 мм | Белый, Теплый | 360 мА | С разъемом | 18,7 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 18,7 В | 3500К 3-ступенчатый эллипс Макадама | 127 лм/Вт | 50°С | Тип 715 лм. | 300 мА | 360 мА | Плоский | 80 | ||||||||||
| СИ-B8R113280WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-М272С | Поднос | 275,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8v051280ww-datasheets-5600.pdf | 275 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Холодный | 450 мА | 24В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24В | 5000К | 142 лм/Вт | 55°С | Тип 1531lm | 450 мА | 450 мА | Плоский | 80 | |||||||||||
| СИ-Б8В09626001 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | Палец-SQ32B | Поднос | 259,00 мм Д x 250,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 259 мм | 5,80 мм | 250 мм | Белый, Теплый | 600 мА | С разъемом | 24В | 115° | Плоский | Прямоугольник | 24В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 142 лм/Вт | 35°С | 1310лм 1183лм~1437лм | 385 мА | 600 мА | Плоский | 80 | |||||||||||
| SI-B9U171560WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LT-M562H | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib9u111560ww-datasheets-5687.pdf | 560 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 900 мА | 24В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24В | 3500К 3-ступенчатый эллипс Макадама | 108 лм/Вт | 50°С | Тип 1820 лм. | 700 мА | 900 мА | Плоский | 90 | ||||||||||
| СИ-B8R09626001 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | Палец-SQ32B | Поднос | 259,00 мм Д x 250,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 259 мм | 5,80 мм | 250 мм | Белый, Холодный | 600 мА | С разъемом | 24В | 115° | Плоский | Прямоугольник | 24В | 5000К 4-ступенчатый эллипс МакАдама | 154 лм/Вт | 35°С | Тип 1420 лм. | 385 мА | 600 мА | Плоский | 80 | |||||||||||
| СИ-B9W171560WW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LT-M562H | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib9u111560ww-datasheets-5687.pdf | 560 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 900 мА | 24В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24В | 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 99 лм/Вт | 50°С | Тип 1660 лм. | 700 мА | 900 мА | Плоский | 90 | ||||||||||
| SI-B9V071280WW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-М272Г | Поднос | 275,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib9r113280ww-datasheets-5647.pdf | 275 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Теплый | 360 мА | 24В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 96 лм/Вт | 50°С | Тип 690 лм. | 300 мА | 360 мА | Плоский | 90 | |||||||||||
| СИ-N8T1312B0WW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | СЛЭ-013 | Поднос | Диаметр 50,00 мм | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6,10 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 350 мА | С разъемом | 33,5 В | 115° | Плоский | Круглый | 33,5 В | 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 141 лм/Вт | 75°С | Тип 1180 лм. | 250 мА | 350 мА | Плоский | 80 | Диаметр 13,50 мм | ||||||||||||
| LXS0-PR00-0017 | Люмиледы | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | ЛЮКСЕОН С2000 | Поднос | 14,40 мм Д x 30,90 мм Ш | 1 (без блокировки) | 120°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/lumileds-lxs9pw300017-datasheets-3469.pdf | СМД/СМТ | 5,21 мм | Синий | 12 недель | 1,05А | С разъемом | 700 мА | 105° | Плоский, Прямоугольный | Прямоугольник | 47В | Плоский | Диаметр 10,50 мм | ||||||||||||||
| СИ-N8V2612B0WW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | СЛЭ-026 | Поднос | Диаметр 50,00 мм | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6,10 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 700 мА | С разъемом | 33,5 В | 115° | Плоский | Круглый | 33,5 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 144 лм/Вт | 75°С | 2420 лм Тип | 500 мА | 700 мА | Плоский | 80 | Диаметр 19,00 мм | ||||||||||||
| СИ-B8R112560WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LT-E562A | Поднос | 560,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8v021070ww-datasheets-5697.pdf | 560 мм | 5,80 мм | 24 мм | Белый, Холодный | 360 мА | С разъемом | 37,4 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 37,4 В | 5000К 4-ступенчатый эллипс МакАдама | 135 лм/Вт | 50°С | 1518 лм Тип | 300 мА | 360 мА | Плоский | 80 | ||||||||||
| СИ-B8R021070WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LT-E072A | Поднос | 70,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8v021070ww-datasheets-5697.pdf | 70 мм | 5,80 мм | 24 мм | Белый, Холодный | 360 мА | С разъемом | 6,3 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 6,3 В | 5000К 4-ступенчатый эллипс МакАдама | 135 лм/Вт | 50°С | 255 лм 235 лм~275 лм | 300 мА | 360 мА | Плоский | 80 | ||||||||||
| СИ-B9T171560WW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LT-M562H | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib9u111560ww-datasheets-5687.pdf | 560 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 900 мА | 24В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24В | 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 113 лм/Вт | 50°С | Тип 1900 лм. | 700 мА | 900 мА | Плоский | 90 | ||||||||||
| СИ-N8W1312B0WW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | СЛЭ-013 | Поднос | Диаметр 50,00 мм | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6,10 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 350 мА | С разъемом | 33,5 В | 115° | Плоский | Круглый | 33,5 В | 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 128 лм/Вт | 75°С | Тип 1070 лм. | 250 мА | 350 мА | Плоский | 80 | Диаметр 13,50 мм | ||||||||||||
| SI-B9W071280WW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-М272Г | Поднос | 275,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib9r113280ww-datasheets-5647.pdf | 275 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Теплый | 360 мА | 24В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24В | 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 94 лм/Вт | 50°С | Тип 675 лм. | 300 мА | 360 мА | Плоский | 90 | |||||||||||
| SI-B9U111560WW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-М562Ф | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib9u111560ww-datasheets-5687.pdf | 560 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 450 мА | 24,7 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24,7 В | 3500К 3-ступенчатый эллипс Макадама | 101 лм/Вт | 50°С | Тип 1120 лм. | 450 мА | 450 мА | Плоский | 90 | ||||||||||
| SI-B9W051280WW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-М272Ф | Поднос | 275,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib9r113280ww-datasheets-5647.pdf | 275 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 450 мА | 12 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 12 В | 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 94 лм/Вт | 55°С | Тип 510 лм. | 450 мА | 450 мА | Плоский | 90 | ||||||||||
| СИ-B8V021070WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LT-E072A | Поднос | 70,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8v021070ww-datasheets-5697.pdf | 70 мм | 5,80 мм | 24 мм | Белый, Теплый | 360 мА | С разъемом | 6,3 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 6,3 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 124 лм/Вт | 50°С | 235 лм 215 лм~255 лм | 300 мА | 360 мА | Плоский | 80 | ||||||||||
| BXRC-40G4000-F-Z2 | Бриджлюкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | Массив Vero® 18 | Поднос | Диаметр 36,20 мм | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/bridgelux-bxrc40e4000f23-datasheets-4672.pdf | 1,90 мм | Белый, Нейтральный | 2,1А | С разъемом | 28,8 В | 120° | Плоский | Круглый | 28,8 В | 4000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 101 лм/Вт | 85°С | Тип 3058лм | 1,05А | 2,1А | Плоский | 90 | Диаметр 18,40 мм | |||||||||||
| SI-B9U151560WW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-М562Г | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib9u111560ww-datasheets-5687.pdf | 560 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 600 мА | 24,7 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24,7 В | 3500К 3-ступенчатый эллипс Макадама | 100 лм/Вт | 50°С | Тип 1480 лм. | 600 мА | 600 мА | Плоский | 90 | ||||||||||
| СИ-B9T111560WW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-М562Ф | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib9u111560ww-datasheets-5687.pdf | 560 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 450 мА | 24,7 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24,7 В | 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 105 лм/Вт | 50°С | Тип 1170 лм. | 450 мА | 450 мА | Плоский | 90 | ||||||||||
| СИ-B9V151560WW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-М562Г | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib9u111560ww-datasheets-5687.pdf | 560 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 600 мА | 24,7 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24,7 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 93 лм/Вт | 50°С | Тип 1380 лм. | 600 мА | 600 мА | Плоский | 90 | ||||||||||
| SI-B8T051280WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-М272А | Поднос | 275,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8v051280ww-datasheets-5600.pdf | 275 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Нейтральный | 450 мА | 12 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 12 В | 4000К | 138 лм/Вт | 55°С | Тип 743лм | 450 мА | 450 мА | Плоский | 80 | |||||||||||
| LZ4-20MD0C-0000 | OSRAM SYLVANIA Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LZ4 | Диаметр 19,90 мм | 1 (без блокировки) | 5,60 мм | Красный, зеленый, синий, белый — холодный (RGBW) | 95° | Правый борт | 2,7 Красный 3,7 Зеленый 3,6 Синий 3,6 Белый | 6500К | 61 лм/Вт Красный 62 лм/Вт Зеленый 12 лм/Вт Синий 75 лм/Вт Белый | 25°С | 115 лм Красный 160 лм Зеленый 30 лм Синий 190 лм Белый | 624 нм Красный 525 нм Зеленый 457 нм Синий | 700 мА Красный 700 мА Зеленый 700 Синий мА 700 мА Белый | 1А Красный 1А Зеленый 1А Синий 1А Белый | Куполообразный | 75 (тип.) | Диаметр 5,60 мм | ||||||||||||||||||
| СИ-B8V071280WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-М272Б | Поднос | 275,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8v051280ww-datasheets-5600.pdf | 275 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Теплый | 360 мА | 24В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24В | 3000К | 131 лм/Вт | 50°С | Тип 946лм | 300 мА | 360 мА | Плоский | 80 |
