| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Достичь кода соответствия | Код HTS | Максимальный текущий рейтинг | Особенность | Прямое напряжение | Тип оптоэлектронного устройства | Угол обзора | Стиль объектива | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Термическое сопротивление упаковки | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Поток при 85°C, ток — испытание | Поток при 25°C, ток — испытание | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СИ-N8V0754B0WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | Диаметр 90,00 мм | 1 (без ограничений) | 5,20 мм | Белый, Теплый | 8 недель | С разъемом | 120° | Круглый | 27,5 В | 3000К | 180 лм/Вт | 25°С | 1190 лм тип. | 240 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDNA25YHT31D | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen2 | Поднос | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdna25yhu31d-datasheets-3508.pdf | 1,60 мм | Белый, Нейтральный | 8541.40.20.00 | 660 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 146 лм/Вт | 25°С | 1870 лм 1760 лм~1980 лм | 360 мА | Плоский | 80 | Диаметр 11,00 мм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNG25YZW2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс Макадама | 144 лм/Вт | 85°С | 3580 лм тип. | 720 мА | 1,84А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNG25YZT2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdng25yzv3k2-datasheets-0725.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс Макадама | 150 лм/Вт | 85°С | 3736lm Тип | 720 мА | 1,84А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDNA25YHT31E | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen2 | Поднос | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdna25yhu31d-datasheets-3508.pdf | 1,60 мм | Белый, Нейтральный | 8541.40.20.00 | 660 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 155 лм/Вт | 25°С | 1980 лм 1870 лм~2090 лм | 360 мА | Плоский | 80 | Диаметр 11,00 мм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNG25YZV3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2017 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 151 лм/Вт | 85°С | 3762 лм Тип | 720 мА | 1,84А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||||||||
| SPHWH2HDNC05YHW3C1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC020C | Поднос | 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 810мА | 115° | Прямоугольник | 34,5 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 115 лм/Вт | 85°С | 2140 лм Тип | 540 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNG25YZU3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 165 лм/Вт | 85°С | 4032lm Тип | 720 мА | 1,84А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDND27YHT23P | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033B | Коробка | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 1,62 А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс Макадама | 115 лм/Вт | 25°С | 3663лм 3205лм~4121лм | 900 мА | Плоский | 90 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||||||||||||
| SPHCW1HDNE25YHRT4G | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040B | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 1,9 А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000К | 148 лм/Вт | 25°С | 5690лм 5295~6085лм | 1,08А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNL271ZW2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 51В | 2700K 2-ступенчатый эллипс Макадама | 130 лм/Вт | 85°С | 7177lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDNE27YHW34K | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040B Gen2 | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2016 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 1,9 А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 118 лм/Вт | 25°С | 4516лм 4126лм~4906лм | 1,08А | Плоский | 90 | Диаметр 17,00 мм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNG2VYZT2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB R-серия | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс Макадама | 125 лм/Вт | 85°С | 3108lm Тип | 720 мА | 1,84А | Плоский | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNG2VYZUVD2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB R-серия | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 117 лм/Вт | 85°С | 2907lm Тип | 720 мА | 1,84А | Плоский | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH27YZU2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 132 лм/Вт | 85°С | Тип 4096lm | 900 мА | 2,3А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNK25YZW3M7 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf | 28 мм | 1,50 мм | 28 мм | Белый, Теплый | 2,76А | 34,6 В | 115° | Плоский | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 134 лм/Вт | 85°С | 4996 лм Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH25YZP3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 6500K 2-ступенчатый эллипс Макадама | 157 лм/Вт | 85°С | 4875 лм Тип. | 900 мА | 2,3А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDNB25YHT31G | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen2 | Поднос | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2016 год | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 7 недель | 8541.40.20.00 | 980 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 146 лм/Вт | 25°С | 2805лм 2621лм~2988лм | 540 мА | Плоский | 80 | Диаметр 12,40 мм | ||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH23YZR3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 169 лм/Вт | 85°С | 5255 лм Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | 70 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDNB25YHU31G | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen2 | Поднос | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 980 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 142 лм/Вт | 25°С | 2726лм 2547~2904лм | 540 мА | Плоский | 80 | Диаметр 12,40 мм | ||||||||||||||||||||||||
| СИ-B8T116280WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛАМ-РТ30 | Коробка | 273,00 мм Д x 216,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8p116280ww-datasheets-8674.pdf | 273 мм | 6,60 мм | 216 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 540 мА | С разъемом | 30,2 В | 145° | Куполообразный | Прямоугольник | 30,2 В | 4000K 4-ступенчатый эллипс МакАдама | 143 лм/Вт | 50°С | 1515 лм Тип. | 350 мА | 540 мА | Куполообразный | 80 | |||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNM271ZT3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC080D Gen2 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 52В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 134 лм/Вт | 85°С | 11247lm Тип | 1,62 А | 4.14А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||||||||||||
| SPMWHT541ML5XAR0S6 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LM561C | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,197Дx0,118Вт 5,00x3,00 мм | 2А (4 недели) | 0,031 0,80 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | 4-SMD, плоские выводы | Белый, Холодный | 4 недели | да | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 120° | 2,75 В | 5000К | 12°С/Вт | 212 лм/Вт | 65 мА | 200 мА | 80 | 38лм 37лм~39лм | |||||||||||||||||||||||
| СИ-B8T104280WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ФИН-RT64 | Коробка | 230,00 мм Д x 273,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8r104280ww-datasheets-9689.pdf | 230 мм | 5,80 мм | 273 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 2,4А | С разъемом | 11,2 В | 115° | Плоский | Прямоугольник | 11,2 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 185 лм/Вт | 35°С | 1450 лм тип. | 700 мА | 2,4А | Плоский | 80 | |||||||||||||||||
| SPMWHD32AMD7XAU0S0 | Самсунг Полупроводник, Инк. | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LM301B | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм | 2А (4 недели) | 0,033 0,85 мм | Соответствует RoHS | 1212 (3030 метрических единиц) | Белый, Теплый | 6 недель | совместимый | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 120° | 2,75 В | 3500К | 7,5°С/Вт | 173 лм/Вт | 65 мА | 180 мА | 90 | 31лм 28~34лм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNM271ZT3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 51В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 142 лм/Вт | 85°С | 11766lm Тип | 1,62 А | 4.14А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||||||||||||
| SPMWHT541MP5WAUMS4 | Самсунг Полупроводник, Инк. | 0,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LM561B Плюс | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,197Дx0,118Вт 5,00x3,00 мм | 2А (4 недели) | 0,031 0,80 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | 4-SMD, плоские выводы | Белый, Теплый | 4 недели | да | 8541.40.20.00 | 180 мА | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 120° | 2,95 В | 3500К | 16°С/Вт | 167 лм/Вт | 65 мА | 80 | 32лм 31лм~33лм | ||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNM251ZW3T1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC080D | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 52В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 126 лм/Вт | 85°С | 10612lm Тип | 1,62 А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||||||||||||
| SPHWHTL3DA0EF4VPR6 | Самсунг Полупроводник, Инк. | 1,96 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LH351D | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,138Дx0,138Ш 3,50x3,50 мм | 2А (4 недели) | 0,097 2,46 мм | Соответствует RoHS | 1414 (3535 Метрическая единица) | Белый, Теплый | 4 недели | 8541.40.20.00 | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 128° | 3В | 3000К | 2,2°С/Вт | 124 лм/Вт | 1,05А | 3А | 80 | 390 лм 360 лм~420 лм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNL251ZV3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 51В | 3000K 3-ступенчатый эллипс Макадама | 160 лм/Вт | 85°С | 8813lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.