Самсунг Полупроводник, Инк.
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Samsung Semiconductor, Inc.(9858)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Упаковка Размер / Размер Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Длина Высота Ширина Цвет Время выполнения заказа на заводе Код Pbfree Достичь кода соответствия Код HTS Максимальный текущий рейтинг Особенность Прямое напряжение Угол обзора Стиль объектива Конфигурация Напряжение — прямое (Vf) (тип.) ЦКТ (К) Люмен/Ватт @ ток — тест Температура - Тест Поток при токе/температуре — испытание Текущий — Тест Ток - Макс. Тип объектива CRI (индекс цветопередачи) Светоизлучающая поверхность (LES)
SPHWHAHDNL271ZV2D2 SPHWHHAHDNL271ZV2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC060D Gen2 Поднос 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 52В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 131 лм/Вт 85°С 7352lm Тип 1,08А 2,76А Плоский 90 Диаметр 22,00 мм
SPHWHAHDNE27YZT2D3 SPHWHAHDNE27YZT2D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Нейтральный 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 147 лм/Вт 85°С 2248lm Тип 450 мА 1,15 А Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNE27YZR3D2 SPHWHAHDNE27YZR3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC016D Gen2 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Холодный 4 недели 115° Квадрат 34,6 В 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 142 лм/Вт 85°С 2209lm Тип 450 мА 1,15 А Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNE2VYZA2D2 SPHWHAHDNE2VYZA2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB R-серия Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели 115° Квадрат 34,6 В 3300K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 117 лм/Вт 85°С 1823lm Тип 450 мА 1,15 А Плоский Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNE25YZV3D3 SPHWHAHDNE25YZV3D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 163 лм/Вт 85°С 2497 лм Тип 450 мА 1,15 А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNG25YZW3D1 SPHWHAHDNG25YZW3D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC026D 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdng25yzv3k2-datasheets-0725.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 136 лм/Вт 85°С 3386lm Тип 720 мА 1,84А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNF27YZU3D3 SPHWHAHDNF27YZU3D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 143 лм/Вт 85°С 2630 лм тип. 540 мА 1,38А Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNG27YZU3D1 SPHWHAHDNG27YZU3D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC026D 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdng25yzv3k2-datasheets-0725.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 126 лм/Вт 85°С 3139lm Тип 720 мА 1,84А Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SI-N8V0754B0WW СИ-N8V0754B0WW Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Светодиодный модуль Диаметр 90,00 мм 1 (без ограничений) 5,20 мм Белый, Теплый 8 недель С разъемом 120° Круглый 27,5 В 3000К 180 лм/Вт 25°С 1190 лм тип. 240 мА Плоский 80
SPHWW1HDNA25YHT31D SPHWW1HDNA25YHT31D Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC013B Gen2 Поднос 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdna25yhu31d-datasheets-3508.pdf 1,60 мм Белый, Нейтральный 8541.40.20.00 660 мА 115° Квадрат 35,5 В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 146 лм/Вт 25°С 1870 лм 1760 лм~1980 лм 360 мА Плоский 80 Диаметр 11,00 мм
SPHWHAHDNG25YZW2D2 SPHWHAHDNG25YZW2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC026D Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели да 115° Квадрат 34,6 В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 144 лм/Вт 85°С 3580 лм тип. 720 мА 1,84А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNG25YZT2D1 SPHWHAHDNG25YZT2D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC026D 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdng25yzv3k2-datasheets-0725.pdf 1,50 мм Белый, Нейтральный 6 недель 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 150 лм/Вт 85°С 3736lm Тип 720 мА 1,84А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDNA25YHT31E SPHWW1HDNA25YHT31E Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC013B Gen2 Поднос 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdna25yhu31d-datasheets-3508.pdf 1,60 мм Белый, Нейтральный 8541.40.20.00 660 мА 115° Квадрат 35,5 В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 155 лм/Вт 25°С 1980 лм 1870 лм~2090 лм 360 мА Плоский 80 Диаметр 11,00 мм
SPHWHAHDNG25YZV3D2 SPHWHAHDNG25YZV3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC026D Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2017 год 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 151 лм/Вт 85°С 3762 лм Тип 720 мА 1,84А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWH2HDNC05YHW3C1 SPHWH2HDNC05YHW3C1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC020C Поднос 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 810мА 115° Прямоугольник 34,5 В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 115 лм/Вт 85°С 2140 лм Тип 540 мА Плоский 80 Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDNG25YZU3D3 SPHWHAHDNG25YZU3D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 165 лм/Вт 85°С 4032lm Тип 720 мА 1,84А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDND27YHT23P SPHWW1HDND27YHT23P Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC033B Коробка 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,50 мм Белый, Нейтральный 6 недель 8541.40.20.00 1,62 А 115° Квадрат 35,5 В 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 115 лм/Вт 25°С 3663лм 3205лм~4121лм 900 мА Плоский 90 Диаметр 17,00 мм
SPHCW1HDNE25YHRT4G SPHCW1HDNE25YHRT4G Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC040B Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Холодный 1,9 А 115° Квадрат 35,5 В 5000К 148 лм/Вт 25°С 5690лм 5295~6085лм 1,08А Плоский 80 Диаметр 17,00 мм
SPHWHAHDNL271ZW2D3 SPHWHHAHDNL271ZW2D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Поднос 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 51В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 130 лм/Вт 85°С 7177lm Тип 1,08А 2,76А Плоский 90 Диаметр 22,00 мм
SPHWW1HDNE27YHW34K SPHWW1HDNE27YHW34K Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC040B Gen2 Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2016 год 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 1,9 А 115° Квадрат 35,5 В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 118 лм/Вт 25°С 4516лм 4126лм~4906лм 1,08А Плоский 90 Диаметр 17,00 мм
SPHWHAHDNG2VYZT2D2 SPHWHAHDNG2VYZT2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB R-серия Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 1,50 мм Белый, Нейтральный 4 недели 115° Квадрат 34,6 В 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 125 лм/Вт 85°С 3108lm Тип 720 мА 1,84А Плоский Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNG2VYZUVD2 SPHWHAHDNG2VYZUVD2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB R-серия Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 117 лм/Вт 85°С 2907lm Тип 720 мА 1,84А Плоский Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNH27YZU2D2 SPHWHHAHDNH27YZU2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC033D Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели да 115° Квадрат 34,6 В 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 132 лм/Вт 85°С Тип 4096lm 900 мА 2,3А Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNK25YZW3M7 SPHWHAHDNK25YZW3M7 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC040D Поднос 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf 28 мм 1,50 мм 28 мм Белый, Теплый 2,76А 34,6 В 115° Плоский Квадрат 34,6 В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 134 лм/Вт 85°С 4996 лм Тип 1,08А 2,76А Плоский 80 Диаметр 22,00 мм
SPHWHAHDNH25YZP3D2 SPHWHHAHDNH25YZP3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC033D Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Холодный 4 недели 115° Квадрат 34,6 В 6500K 2-ступенчатый эллипс Макадама 157 лм/Вт 85°С 4875 лм Тип. 900 мА 2,3А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDNB25YHT31G SPHWW1HDNB25YHT31G Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC019B Gen2 Поднос 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2016 год 1,50 мм Белый, Нейтральный 7 недель 8541.40.20.00 980 мА 115° Квадрат 35,5 В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 146 лм/Вт 25°С 2805лм 2621лм~2988лм 540 мА Плоский 80 Диаметр 12,40 мм
SPHWHAHDNH23YZR3D2 SPHWHHAHDNH23YZR3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC033D Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 1,50 мм Белый, Холодный 4 недели 115° Квадрат 34,6 В 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 169 лм/Вт 85°С 5255 лм Тип 900 мА 2,3А Плоский 70 Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDNB25YHU31G SPHWW1HDNB25YHU31G Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC019B Gen2 Поднос 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 980 мА 115° Квадрат 35,5 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 142 лм/Вт 25°С 2726лм 2547~2904лм 540 мА Плоский 80 Диаметр 12,40 мм
SI-B8T116280WW СИ-B8T116280WW Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Светодиодный модуль ЛАМ-РТ30 Коробка 273,00 мм Д x 216,00 мм Ш 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8p116280ww-datasheets-8674.pdf 273 мм 6,60 мм 216 мм Белый, Нейтральный 6 недель 540 мА С разъемом 30,2 В 145° Куполообразный Прямоугольник 30,2 В 4000K 4-ступенчатый эллипс МакАдама 143 лм/Вт 50°С 1515 лм Тип. 350 мА 540 мА Куполообразный 80
SPHWHAHDNM271ZT3D2 SPHWHHAHDNM271ZT3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC080D Gen2 Поднос 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 1,50 мм Белый, Нейтральный 4 недели совместимый 115° Квадрат 52В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 134 лм/Вт 85°С 11247lm Тип 1,62 А 4.14А Плоский 90 Диаметр 22,00 мм
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)