Samsung Semiconductor, Inc.(9858)

Имя	Производитель	Количество	Статус детали	Тип	Ряд	Тип монтажа	Упаковка	Размер / Размер	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Высота сидя (макс.)	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/кейс	Длина	Высота	Ширина	Цвет	Время выполнения заказа на заводе	Код Pbfree	Достичь кода соответствия	Код HTS	Максимальный текущий рейтинг	Особенность	Прямое напряжение	Тип оптоэлектронного устройства	Угол обзора	Стиль объектива	Конфигурация	Напряжение — прямое (Vf) (тип.)	ЦКТ (К)	Термическое сопротивление упаковки	Люмен/Ватт @ ток — тест	Температура - Тест	Поток при токе/температуре — испытание	Текущий — Тест	Ток - Макс.	Тип объектива	CRI (индекс цветопередачи)	Поток при 25°C, ток — испытание	Светоизлучающая поверхность (LES)
SPMWH3326FD5GBPYSA	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		LM302Z	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм	2А (4 недели)	0,024 0,60 мм				1212 (3030 метрических единиц)				Белый, Холодный			совместимый					ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД	120°			6,3 В	6500К	12°С/Вт	140 лм/Вт			150 мА	200 мА		80	132 лм 127 лм~137 лм
SPMWH3326MD5WAR0SA	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		LM301Z	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм	2А (4 недели)	0,024 0,60 мм	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-spmwh3326md5waq0sa-datasheets-0478.pdf	1212 (3030 метрических единиц)				Белый, Холодный			совместимый					ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД	120°			2,75 В	5000К	12°С/Вт	196 лм/Вт			65 мА	200 мА		80	35лм 33лм~36лм
SPMWH3326MD5WARYSA	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		LM301Z	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм	2А (4 недели)	0,024 0,60 мм	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-spmwh3326md5waq0sa-datasheets-0478.pdf	1212 (3030 метрических единиц)				Белый, Холодный			совместимый	8541.40.20.00				ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД	120°			2,75 В	5000К	12°С/Вт	196 лм/Вт			65 мА	200 мА		80	35лм 33лм~36лм
SPMWH3326MD7WAV3SA	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		LM301Z	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм	2А (4 недели)	0,024 0,60 мм			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-spmwh3326md7wapysa-datasheets-9011.pdf	1212 (3030 метрических единиц)				Белый, Теплый	6 недель								120°			2,75 В	3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	12°С/Вт	145 лм/Вт			65 мА	400 мА		90	26лм 25~28лм
СИ-B8T221B2CUS	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Светодиодный модуль	ЛТ-ВБ22А		Поднос	1120,00 мм Д x 18,00 мм Ш	1 (без ограничений)		Соответствует RoHS	2016 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf			5,50 мм		Белый, Нейтральный	4 недели					С разъемом			120°		Линейная световая полоса	25,2 В	4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		137 лм/Вт	50°С	2904lm Тип	840 мА	1,08А	Плоский	80
СИ-B8R071280LD	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Светодиодный модуль	ЛТ-С282Н		Поднос	280,00 мм Д x 24,00 мм Ш	1 (без ограничений)		Соответствует RoHS	2015 год			280 мм	5,80 мм	24 мм	Белый, Холодный	6 недель				360 мА	С разъемом	35,2 В		115°	Плоский	Линейная световая полоса	35,2 В	5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		162 лм/Вт	50°С	1140 лм тип.	200 мА	360 мА	Плоский	80
СИ-B8T342560WW	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Светодиодный модуль	LT-F562A_G2		Поднос	560,00 мм Д x 18,00 мм Ш	1 (без ограничений)		Соответствует RoHS	2015 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8r342560ww-datasheets-5423.pdf		560 мм	3,80 мм	18 мм	Белый, Нейтральный	6 недель				1,62 А	С разъемом	24,8 В		115°	Плоский	Линейная световая полоса	24,8 В	4000K 4-ступенчатый эллипс МакАдама		144 лм/Вт	50°С	4820 лм Тип.	1,35 А	1,62 А	Плоский	80
SPHWHAHDNA25YZP3D1	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC003D		Поднос	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf			1,50 мм		Белый, Холодный				8541.40.20.00					115°		Квадрат	34,6 В	6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		154 лм/Вт	85°С	480 лм тип.	90 мА	230 мА	Плоский	80		Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNA25YZT3D1	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC003D		Поднос	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf			1,50 мм		Белый, Нейтральный				8541.40.20.00					115°		Квадрат	34,6 В	4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		154 лм/Вт	85°С	480 лм тип.	90 мА	230 мА	Плоский	80		Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNC25YZP3H2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC009D		Поднос	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzr3h2-datasheets-2037.pdf			1,50 мм		Белый, Холодный				8541.40.20.00	690мА				115°		Квадрат	34,6 В	6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		144 лм/Вт	85°С	1341lm Тип	270 мА		Плоский	80		Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNC25YZV3D1	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC009D			13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzr3h2-datasheets-2037.pdf			1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00					115°		Квадрат	34,6 В	3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		144 лм/Вт	85°С	1342lm Тип	270 мА	690мА	Плоский	80		Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNC27YZW2G8	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC009D		Поднос	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzr3h2-datasheets-2037.pdf			1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00	690мА				115°		Квадрат	34,6 В	2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама		111 лм/Вт	85°С	Тип: 1038 лм	270 мА		Плоский	90		Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNC25YZW2D1	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC009D			13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzr3h2-datasheets-2037.pdf			1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00					115°		Квадрат	34,6 В	2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама		136 лм/Вт	85°С	1270 лм тип.	270 мА	690мА	Плоский	80		Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDND25YZP3D1	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC013D			13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf			1,50 мм		Белый, Холодный				8541.40.20.00					115°		Квадрат	34,6 В	6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		147 лм/Вт	85°С	Тип 1834lm	360 мА	920 мА	Плоский	80		Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNA27YZV3D1	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC003D			13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf			1,50 мм		Белый, Теплый				8541.40.20.00					115°		Квадрат	34,6 В	3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		123 лм/Вт	85°С	384 лм тип.	90 мА	230 мА	Плоский	90		Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNA25YZU3D2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC003D Gen2			13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzv2d2-datasheets-8310.pdf			1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели								115°		Квадрат	34,6 В	3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		161 лм/Вт	85°С	501 лм тип.	90 мА	230 мА	Плоский	80		Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNA25YZR3D3	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen3		Лента и катушка (TR)	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш			Соответствует RoHS					1,50 мм		Белый, Холодный	4 недели		совместимый						115°		Квадрат	34В	5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		173 лм/Вт	85°С	529 лм тип.	90 мА		Плоский	80		Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNA27YZU3D3	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen3		Лента и катушка (TR)	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш			Соответствует RoHS					1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели		совместимый						115°		Квадрат	34В	3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		144 лм/Вт	85°С	441 лм Тип	90 мА		Плоский	90		Диаметр 9,80 мм
SPHWHHAHDNB25YZQ3F8	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC006D		Поднос	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf			1,50 мм		Белый, Холодный				8541.40.20.00	460 мА				115°		Квадрат	34,6 В	5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		149 лм/Вт	85°С	928 лм тип.	180 мА		Плоский	80		Диаметр 9,80 мм
SPHWHHAHDNB27YZU3D1	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC006D			13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf			1,50 мм		Белый, Теплый				8541.40.20.00					115°		Квадрат	34,6 В	3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		130 лм/Вт	85°С	Тип 807lm	180 мА	460 мА	Плоский	90		Диаметр 9,80 мм
SPHWHHAHDNB25YZW2D2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC006D Gen2		Поднос	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS					1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели	да							115°		Квадрат	34,6 В	2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама		148 лм/Вт	85°С	Тип: 924 лм	180 мА	460 мА	Плоский	80		Диаметр 9,80 мм
SPHWHHAHDNB27YZR3D2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC006D Gen2			13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS					1,50 мм		Белый, Холодный	4 недели								115°		Квадрат	34,6 В	5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		140 лм/Вт	85°С	Тип: 874 лм	180 мА	460 мА	Плоский	90		Диаметр 9,80 мм
SPHWHHAHDNB27YZT2D3	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen3		Лента и катушка (TR)	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш			Соответствует RoHS					1,50 мм		Белый, Нейтральный	4 недели		совместимый						115°		Квадрат	34В	4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама		146 лм/Вт	85°С	895 лм тип.	180 мА	460 мА	Плоский	90		Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDND27YZW2D1	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC013D			13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf			1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00					115°		Квадрат	34,6 В	2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама		115 лм/Вт	85°С	1427 лм Тип	360 мА	920 мА	Плоский	90		Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDND27YZU2D3	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen3		Лента и катушка (TR)	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш			Соответствует RoHS					1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели		совместимый						115°		Квадрат	34В	3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама		140 лм/Вт	85°С	1710 лм Тип.	360 мА	920 мА	Плоский	90		Диаметр 9,80 мм
SPHWW1HDN828YHW3CC	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC006B		Коробка	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS	2015 год				1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00	320 мА				115°		Квадрат	35,5 В	2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		105 лм/Вт	25°С	668лм 601лм~734лм	180 мА		Плоский	95		Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDND25YZQ3D3	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen3		Лента и катушка (TR)	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш			Соответствует RoHS					1,50 мм		Белый, Холодный	4 недели		совместимый						115°		Квадрат	34В	5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		168 лм/Вт	85°С	2053lm Тип	360 мА	920 мА	Плоский	80		Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNE27YZT3H8	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC016D		Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf			1,50 мм		Белый, Нейтральный				8541.40.20.00	1,15 А				115°		Квадрат	34,6 В	4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		127 лм/Вт	85°С	1971lm Тип.	450 мА		Плоский	90		Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNF27YZT3C2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	C-серия Gen2		Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш					https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf			1,50 мм		Белый, Нейтральный	4 недели		совместимый						115°		Квадрат	35В	4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		112 лм/Вт	85°С	2351lm Тип	600 мА	920 мА	Плоский	90		Диаметр 8,50 мм
SPHWHAHDND27YZV3D1	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC013D			13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf			1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00					115°		Квадрат	34,6 В	3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		120 лм/Вт	85°С	1494lm Тип	360 мА	920 мА	Плоский	90		Диаметр 9,80 мм

Samsung Semiconductor, Inc.(9858)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии