Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Самсунг Полупроводник, Инк.

Samsung Semiconductor, Inc.(9858)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Упаковка Размер / Размер Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Длина Высота Ширина Цвет Время выполнения заказа на заводе Код Pbfree Достичь кода соответствия Код HTS Максимальный текущий рейтинг Особенность Прямое напряжение Угол обзора Стиль объектива Конфигурация Напряжение — прямое (Vf) (тип.) ЦКТ (К) Люмен/Ватт @ ток — тест Температура - Тест Поток при токе/температуре — испытание Текущий — Тест Ток - Макс. Тип объектива CRI (индекс цветопередачи) Светоизлучающая поверхность (LES)
SI-B8U071280LD SI-B8U071280LD Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Светодиодный модуль ЛТ-С282Н Поднос 280,00 мм Д x 24,00 мм Ш 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2015 год 280 мм 5,80 мм 24 мм Белый, Теплый 6 недель 360 мА С разъемом 35,2 В 115° Плоский Линейная световая полоса 35,2 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 155 лм/Вт 50°С 1090 лм тип. 200 мА 360 мА Плоский 80
SPHWHAHDNK25YZT3D3 SPHWHAHDNK25YZT3D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Поднос 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Нейтральный 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 171 лм/Вт 85°С 6261lm Тип 1,08А 2,76А Плоский 80 Диаметр 22,00 мм
SPHWW1HDNC28YHV32F SPHWW1HDNC28YHV32F Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC026B Коробка 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 1,3А 115° Квадрат 35,5 В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 106 лм/Вт 25°С 2712лм 2440лм~2983лм 720 мА Плоский 95 Диаметр 17,00 мм
SPHWW1HDND25YHT33P SPHWW1HDND25YHT33P Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC033B Коробка 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,50 мм Белый, Нейтральный 6 недель 8541.40.20.00 1,62А 115° Квадрат 35,5 В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 139 лм/Вт 25°С 4437 лм 3815 лм~5058 лм 900 мА Плоский 80 Диаметр 17,00 мм
SPHWHAHDNK28YZT3D2 SPHWHAHDNK28YZT3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) COB D Gen2 Поднос 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Нейтральный 4 недели совместимый 115° Квадрат 34,6 В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 113 лм/Вт 85°С 4241lm Тип 1,08А 2,76А Плоский 95 (тип.) Диаметр 22,00 мм
SPHWW1HDND27YHV33Q SPHWW1HDND27YHV33Q Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC033B Gen2 Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Нейтральный 8541.40.20.00 1,62А 115° Квадрат 35,5 В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 123 лм/Вт 25°С 3938лм 3599лм~4277лм 900 мА Плоский 90 Диаметр 17,00 мм
SPHCW1HDND25YHQT3H SPHCW1HDND25YHQT3H Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC033B Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Холодный 8541.40.20.00 1,62А 115° Квадрат 35,5 В 5700К 155 лм/Вт 25°С 4949лм 4792~5105лм 900 мА Плоский 80 Диаметр 17,00 мм
SPHWHAHDNL251ZW2D2 SPHWHHAHDNL251ZW2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC060D Gen2 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели 115° Квадрат 52В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 144 лм/Вт 85°С 8107lm Тип 1,08А 2,76А Плоский 80 Диаметр 22,00 мм
SPHWHAHDNE25YZW2D3 SPHWHAHDNE25YZW2D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 155 лм/Вт 85°С 2376lm Тип 450 мА 1,15 А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNE27YZU3D2 SPHWHAHDNE27YZU3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC016D Gen2 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели 115° Квадрат 34,6 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 138 лм/Вт 85°С 2146lm Тип 450 мА 1,15 А Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNF27YZW2H9 SPHWHAHDNF27YZW2H9 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC019D Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 1,38А 115° Квадрат 34,6 В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 113 лм/Вт 85°С Тип 2104lm 540 мА Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNE25YZW3D3 SPHWHAHDNE25YZW3D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 155 лм/Вт 85°С 2376lm Тип 450 мА 1,15 А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNG25YZQ3D1 SPHWHAHDNG25YZQ3D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC026D 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdng25yzv3k2-datasheets-0725.pdf 1,50 мм Белый, Холодный 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 151 лм/Вт 85°С 3767lm Тип 720 мА 1,84А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNF25YZQ3D3 SPHWHAHDNF25YZQ3D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Холодный 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 172 лм/Вт 85°С 3157lm Тип 540 мА 1,38А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNK25YZU3C2 SPHWHAHDNK25YZU3C2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) C-серия Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 35В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 127 лм/Вт 85°С 4657lm Тип 1,05А 1,61А Плоский 80 Диаметр 11,50 мм
SI-N8T0754B0WW SI-N8T0754B0WW Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Светодиодный модуль Диаметр 90,00 мм 1 (без ограничений) 5,20 мм Белый, Нейтральный 8 недель С разъемом 120° Круглый 27,5 В 4000К 188 лм/Вт 25°С 1240 лм тип. 240 мА Плоский 80
SPHWW1HDNA25YHT31F SPHWW1HDNA25YHT31F Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC013B Поднос 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdna25yhw31f-datasheets-3590.pdf 1,50 мм Белый, Нейтральный 6 недель да 660 мА 115° Квадрат 35,5 В 4000К 130 лм/Вт 25°С 1665лм 1430лм~1900лм 360 мА Плоский 80 Диаметр 11,00 мм
SPHWHAHDNG27YZW2J6 SPHWHAHDNG27YZW2J6 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC026D Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdng25yzv3k2-datasheets-0725.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 1,84А 115° Квадрат 34,6 В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 111 лм/Вт 85°С 2760 лм тип. 720 мА Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDNA27YHV31F SPHWW1HDNA27YHV31F Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC013B Поднос 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2014 год 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель да 660 мА 115° Квадрат 35,5 В 3000К 103 лм/Вт 25°С 1320 лм 1080 лм~1560 лм 360 мА Плоский 90 Диаметр 11,00 мм
SPHWHAHDNG27YZV2D1 SPHWHAHDNG27YZV2D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC026D 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdng25yzv3k2-datasheets-0725.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 122 лм/Вт 85°С Тип 3048lm 720 мА 1,84А Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNG25YZT3D2 SPHWHAHDNG25YZT3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC026D Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Нейтральный 4 недели 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 159 лм/Вт 85°С 3950 лм Тип. 720 мА 1,84А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWH2HDNC07YHV3C1 SPHWH2HDNC07YHV3C1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC020C Поднос 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 810мА 115° Прямоугольник 34,5 В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 93 лм/Вт 85°С 1730 лм тип. 540 мА Плоский 90 Диаметр 8,00 мм
SI-N8V1856B0WW СИ-N8V1856B0WW Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Светодиодный модуль Диаметр 130,00 мм 1 (без ограничений) 5,20 мм Белый, Теплый 8 недель С разъемом 120° Круглый 27,9 В 3000К 178 лм/Вт 25°С 3170 лм Тип. 640 мА Плоский 80
SPHWW1HDND27YHV23P SPHWW1HDND27YHV23P Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC033B Коробка 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 1,62А 115° Квадрат 35,5 В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 115 лм/Вт 25°С 3663лм 3205лм~4121лм 900 мА Плоский 90 Диаметр 17,00 мм
SPHWW1HDNE25YHT34H SPHWW1HDNE25YHT34H Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC040B Gen2 Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Нейтральный 1,9 А 115° Квадрат 35,5 В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 152 лм/Вт 25°С 5830 лм 5635 лм~6025 лм 1,08А Плоский 80 Диаметр 17,00 мм
SPHWW1HDNE23YHVT4J SPHWW1HDNE23YHVT4J Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC040B Gen2 Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 1,9 А 115° Квадрат 35,5 В 3000К 142 лм/Вт 25°С 5428лм 4776лм~6079лм 1,08А Плоский 70 Диаметр 17,00 мм
SPHWHAHDNL271ZV3D2 SPHWHHAHDNL271ZV3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC060D Gen2 Поднос 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 52В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 131 лм/Вт 85°С 7352lm Тип 1,08А 2,76А Плоский 90 Диаметр 22,00 мм
SI-B8P115280WW СИ-B8P115280WW Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Светодиодный модуль ФИН-РТ30 Коробка 216,00 мм Д x 273,00 мм Ш 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t115280ww-datasheets-6671.pdf 216 мм 5,80 мм 273 мм Белый, Холодный 6 недель 450 мА С разъемом 30,2 В 115° Плоский Прямоугольник 30,2 В 6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 152 лм/Вт 50°С 1610 лм тип. 350 мА 450 мА Плоский 80
SPHWHAHDNG28YZW3D2 SPHWHAHDNG28YZW3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) COB D Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 99 лм/Вт 85°С 2470 лм Тип. 720 мА 1,84А Плоский 95 (тип.) Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDNA27YHV21G SPHWW1HDNA27YHV21G Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC013B Gen2 Поднос 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,60 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 115° Квадрат 35,5 В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 123 лм/Вт 25°С 1575лм 1440лм~1710лм 360 мА 660 мА Плоский 90 Диаметр 11,00 мм

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.