Samsung Semiconductor, Inc.(9858)

Имя	Производитель	Количество	Статус детали	Тип	Ряд	Упаковка	Размер / Размер	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Длина	Высота	Ширина	Цвет	Время выполнения заказа на заводе	Код Pbfree	Достичь кода соответствия	Код HTS	Максимальный текущий рейтинг	Особенность	Прямое напряжение	Угол обзора	Стиль объектива	Конфигурация	Напряжение — прямое (Vf) (тип.)	ЦКТ (К)	Люмен/Ватт @ ток — тест	Температура - Тест	Поток при токе/температуре — испытание	Текущий — Тест	Ток - Макс.	Тип объектива	CRI (индекс цветопередачи)	Светоизлучающая поверхность (LES)
SPHWHAHDNE25YZW3H9	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC016D	Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf		1,50 мм		Белый, Теплый				8541.40.20.00	1,15 А			115°		Квадрат	34,6 В	2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	133 лм/Вт	85°С	2065 лм Тип	450 мА		Плоский	80	Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDN945YHU3KE	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC008B	Коробка	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS	2015 год			1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00	430 мА			115°		Квадрат	36,5 В	3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	139 лм/Вт	25°С	1215лм 1092~1338лм	240 мА		Плоский	80	Диаметр 8,00 мм
SPHWW1HDN945YHV3KE	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC008B	Коробка	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS	2015 год			1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00	430 мА			115°		Квадрат	36,5 В	3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	139 лм/Вт	25°С	1215лм 1092~1338лм	240 мА		Плоский	80	Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDNE25YZR3D1	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC016D		19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf		1,50 мм		Белый, Холодный				8541.40.20.00				115°		Квадрат	34,6 В	5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	157 лм/Вт	85°С	2440 лм Тип.	450 мА	1,15 А	Плоский	80	Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNF27YZR3C2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	C-серия Gen2	Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш				https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf		1,50 мм		Белый, Холодный	4 недели		совместимый					115°		Квадрат	35В	5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	113 лм/Вт	85°С	2372lm Тип	600 мА	920 мА	Плоский	90	Диаметр 8,50 мм
SPHWHAHDNC25YZV3D3	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen3	Лента и катушка (TR)	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш		Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели		совместимый					115°		Квадрат	34В	3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	161 лм/Вт	85°С	1476 лм Тип.	270 мА	690мА	Плоский	80	Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNC27YZT3D3	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen3	Лента и катушка (TR)	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш		Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Нейтральный	4 недели		совместимый					115°		Квадрат	34В	4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	145 лм/Вт	85°С	1329 лм Тип.	270 мА	690мА	Плоский	90	Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDND27YZV2H3	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC013D	Поднос	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS		/files/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf		1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00	920 мА			115°		Квадрат	34,6 В	3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама	114 лм/Вт	85°С	1423lm Тип	360 мА		Плоский	90	Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDND25YZU2D2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC013D Gen2	Поднос	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели	да						115°		Квадрат	34,6 В	3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама	154 лм/Вт	85°С	1915лм Тип	360 мА	920 мА	Плоский	80	Диаметр 9,80 мм
SL-B8T1N30LAWW	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Светодиодный модуль	H приток	Поднос	280,00 мм Д x 24,00 мм Ш	1 (без ограничений)			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf		5,20 мм		Белый, Нейтральный	4 недели							118°		Линейная световая полоса	11,1 В	4000К	193 лм/Вт	55°С	2140 лм Тип	1А	1,6А	Плоский	80
СИ-B8R11428001	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Светодиодный модуль	LT-M282C Gen3		275,00 мм Д x 18,00 мм Ш	1 (без ограничений)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t11428001-datasheets-3505.pdf		5,80 мм		Белый, Холодный	4 недели							115°		Линейная световая полоса	24,8 В	5000К	148 лм/Вт		1650лм	450 мА	540 мА	Плоский	80
СИ-B8R201B20US	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Светодиодный двигатель	LT-QB22A		1120,00 мм Д x 18,00 мм Ш	1 (без ограничений)		2017 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf		5,20 мм		Белый, Холодный	4 недели									Линейная световая полоса	43,8 В	5000К	203 лм/Вт	40°С	4000 лм тип.	450 мА		Плоский	80
SPHWHAHDNE2VYZAVD2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB R-серия	Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели			8541.40.20.00				115°		Квадрат	34,6 В	3300К	105 лм/Вт	85°С	1823lm Тип	450 мА	1,15 А	Плоский		Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNF27YZV2D3	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen3	Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш		Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели		совместимый					115°		Квадрат	34В	3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама	139 лм/Вт	85°С	2554lm Тип	540 мА	1,38А	Плоский	90	Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNF27YZU3D2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC019D Gen2		19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели			8541.40.20.00				115°		Квадрат	34,6 В	3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	136 лм/Вт	85°С	Тип 2539lm	540 мА	1,38А	Плоский	90	Диаметр 14,50 мм
SPHWHHAHDNH2VYZUVD2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB R-серия	Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели			8541.40.20.00				115°		Квадрат	34,6 В	3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	115 лм/Вт	85°С	3588 лм Тип	900 мА	2,3А	Плоский		Диаметр 14,50 мм
SPHWHHAHDNH2VYZVVD2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB R-серия	Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели			8541.40.20.00				115°		Квадрат	34,6 В	3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	107 лм/Вт	85°С	3339lm Тип	900 мА	2,3А	Плоский		Диаметр 14,50 мм
SPHCW1HDNC25YHR32G	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC026B	Поднос	21,50 мм Д x 21,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS			21,5 мм	1,50 мм	21,5 мм	Белый, Холодный					1,3А		35,5 В	115°	Плоский	Квадрат	35,5 В	5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	158 лм/Вт	25°С	4050лм 3820лм~4280лм	720 мА	1,3А	Плоский	80	Диаметр 17,00 мм
SPHWW1HDNC23YHVT3F	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC026B Gen2	Поднос	21,50 мм Д x 21,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Теплый				8541.40.20.00	1,3А			115°		Квадрат	35,5 В	3000К	145 лм/Вт	25°С	3712лм 3266лм~4157лм	720 мА		Плоский	70	Диаметр 17,00 мм
SPHWHAHDND2VYZA2D2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB R-серия	Лента и катушка (TR)	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш						1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели							115°		Квадрат	34,6 В	3300K 2-ступенчатый эллипс МакАдама	112 лм/Вт	85°С	1394 лм Тип	360 мА	920 мА	Плоский		Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNF25YZP3J5	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC019D	Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf		1,50 мм		Белый, Холодный				8541.40.20.00	1,38А			115°		Квадрат	34,6 В	6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	146 лм/Вт	85°С	2726lm Тип	540 мА		Плоский	80	Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNE27YZW2H6	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC016D	Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf		1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00	1,15 А			115°		Квадрат	34,6 В	2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама	114 лм/Вт	85°С	1771lm Тип	450 мА		Плоский	90	Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNE25YZT2D1	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC016D		19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf		1,50 мм		Белый, Нейтральный	6 недель			8541.40.20.00				115°		Квадрат	34,6 В	4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама	155 лм/Вт	85°С	2419lm Тип	450 мА	1,15 А	Плоский	80	Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDN947YHT2FH	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC008B Gen2	Поднос	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhrtkg-datasheets-0358.pdf		1,50 мм		Белый, Нейтральный				8541.40.20.00	430 мА			115°		Квадрат	36,5 В	4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама	125 лм/Вт	25°С	1091лм 1010лм~1171лм	240 мА		Плоский	90	Диаметр 8,00 мм
SPHWHHAHDNH25YZT2D3	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen3	Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш		Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Нейтральный	4 недели		совместимый					115°		Квадрат	34В	4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама	166 лм/Вт	85°С	5089lm Тип	900 мА	2,3А	Плоский	80	Диаметр 14,50 мм
СИ-N8T1254B0WW	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Светодиодный модуль			Диаметр 110,00 мм	1 (без ограничений)					5,20 мм		Белый, Нейтральный	8 недель					С разъемом		120°		Круглый	27,8 В	4000К	185 лм/Вт	25°С	Тип 2210lm	430 мА		Плоский	80
SPHWHHAHDNH27YZW3D3	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen3	Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш		Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели		совместимый					115°		Квадрат	34В	2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	129 лм/Вт	85°С	3947lm Тип	900 мА	2,3А	Плоский	90	Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDNC27YHU32F	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC026B	Поднос	21,50 мм Д x 21,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS	2014 год			1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00	1,3А			115°		Квадрат	35,5 В	3500К	106 лм/Вт	25°С	2710лм 2220лм~3200лм	720 мА		Плоский	90	Диаметр 17,00 мм
SPHWHAHDNK2VYZT2D2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB R-серия	Поднос	28,00 мм Д x 28,00 мм Ш						1,50 мм		Белый, Нейтральный	4 недели							115°		Квадрат	34,6 В	4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама	128 лм/Вт	85°С	4768lm Тип	1,08А	2,76А	Плоский		Диаметр 22,00 мм
SPHWW1HDNC23YHTN3F	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC026B	Поднос	21,50 мм Д x 21,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS			21,5 мм	1,50 мм	21,5 мм	Белый, Нейтральный	6 недель				1,3А		35,5 В	115°	Плоский	Квадрат	35,5 В	4000К	152 лм/Вт	25°С	3897лм 3429лм~4365лм	720 мА	1,3А	Плоский	70	Диаметр 17,00 мм

Samsung Semiconductor, Inc.(9858)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии