Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактSamsung Semiconductor, Inc.(9858)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Достичь кода соответствия | Код HTS | Максимальный текущий рейтинг | Особенность | Прямое напряжение | Угол обзора | Стиль объектива | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPHWHHAHDNB27YZU3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 130 лм/Вт | 85°С | Тип 807lm | 180 мА | 460 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB25YZW2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 148 лм/Вт | 85°С | Тип: 924 лм | 180 мА | 460 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZR3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D Gen2 | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 140 лм/Вт | 85°С | Тип: 874 лм | 180 мА | 460 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZT2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 146 лм/Вт | 85°С | 895 лм тип. | 180 мА | 460 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZW2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 115 лм/Вт | 85°С | 1427 лм Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZU2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 140 лм/Вт | 85°С | 1710 лм Тип. | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWW1HDN828YHW3CC | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 105 лм/Вт | 25°С | 668лм 601лм~734лм | 180 мА | Плоский | 95 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||
| SPHWHAHDND25YZQ3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 168 лм/Вт | 85°С | 2053lm Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNE27YZT3H8 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 8541.40.20.00 | 1,15 А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 127 лм/Вт | 85°С | 1971lm Тип. | 450 мА | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNF27YZT3C2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | C-серия Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 35В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 112 лм/Вт | 85°С | 2351lm Тип | 600 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZV3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 120 лм/Вт | 85°С | 1494lm Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWW1HDN827YHU3CF | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 123 лм/Вт | 25°С | 786лм 695~876лм | 180 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWW1HDN825YHV3EE | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 148 лм/Вт | 25°С | 945 лм 887 лм~1003 лм | 180 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZW2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 121 лм/Вт | 85°С | 1509 лм Тип. | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| СИ-B8T521B2CUS | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-ВБ22Ф | 1120,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | Линейная световая полоса | 48,8 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 143 лм/Вт | 65°С | 7816лм 7035лм~8600лм | 1,12А | 1,62А | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||
| СИ-B8V111560WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-М562А | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | 560 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Теплый | 450 мА | С разъемом | 24,7 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24,7 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 132 лм/Вт | 50°С | 1460 лм тип. | 450 мА | 450 мА | Плоский | 80 | |||||||||||
| SL-B8R5C9H1AWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | Садоводство L2 | 281,00 мм Д x 41,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-slb8r5c9h1aww-datasheets-4298.pdf | 5,20 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 118° | Линейная световая полоса | 21,5 В | 5390К (4990К ~ 5820К) | 159 лм/Вт | 25°С | 4110лм 3600лм~4400лм | 1,2А | 1,6А | Плоский | ||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNE2VYZUVD2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB R-серия | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 108 лм/Вт | 85°С | Тип 1875lm | 450 мА | 1,15 А | Плоский | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNF27YZU2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 143 лм/Вт | 85°С | 2630 лм тип. | 540 мА | 1,38А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNF25YZU3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D Gen2 | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 159 лм/Вт | 85°С | 2965 лм Тип. | 540 мА | 1,38А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWW1HDNB28YHU31F | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B | Коробка | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnb28yhu31f-datasheets-1709.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 980 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 106 лм/Вт | 25°С | 2023лм 1820лм~2225лм | 540 мА | Плоский | 95 | Диаметр 12,40 мм | |||||||||||||
| SPHWHAHDNK27YZW2M0 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 2,76А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 115 лм/Вт | 85°С | 4283lm Тип | 1,08А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||
| SPHWW1HDNC25YHV32G | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B Gen2 | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 1,3А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 147 лм/Вт | 25°С | 3770 лм 3550 лм~3990 лм | 720 мА | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHCW1HDNC25YHRT2G | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 1,3А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000К | 149 лм/Вт | 25°С | 3820 лм 3590 лм~4050 лм | 720 мА | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWW1HDN945YHW3KH | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhrtkg-datasheets-0358.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 137 лм/Вт | 25°С | 1201лм 1141лм~1260лм | 240 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNF25YZW3J3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 1,38А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 132 лм/Вт | 85°С | 2458 лм Тип | 540 мА | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||
| SPHWW1HDN828YHV2CC | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 105 лм/Вт | 25°С | 668лм 601лм~734лм | 180 мА | Плоский | 95 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||
| SPHWW1HDN94VYHV3FG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 25°С | 1008лм 887лм~1128лм | Плоский | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||||||
| SPHWW1HDN947YHT2FG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 120 лм/Вт | 25°С | 1050лм 929~1171лм | 240 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||
| SI-B8U17156CWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | $3,03 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | Серия V | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | Линейная световая полоса | 24В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 141 лм/Вт | 50°С | 2369лм 2132~2606лм | 700 мА | 900 мА | Плоский | 80 |
