Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Самсунг Полупроводник, Инк.

Samsung Semiconductor, Inc.(9858)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Упаковка Размер / Размер Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Длина Высота Ширина Цвет Время выполнения заказа на заводе Код Pbfree Достичь кода соответствия Код HTS Максимальный текущий рейтинг Особенность Прямое напряжение Угол обзора Стиль объектива Конфигурация Напряжение — прямое (Vf) (тип.) ЦКТ (К) Люмен/Ватт @ ток — тест Температура - Тест Поток при токе/температуре — испытание Текущий — Тест Ток - Макс. Тип объектива CRI (индекс цветопередачи) Светоизлучающая поверхность (LES)
SPHWHAHDNB27YZU3D1 SPHWHHAHDNB27YZU3D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC006D 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 130 лм/Вт 85°С Тип 807lm 180 мА 460 мА Плоский 90 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNB25YZW2D2 SPHWHHAHDNB25YZW2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC006D Gen2 Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели да 115° Квадрат 34,6 В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 148 лм/Вт 85°С Тип: 924 лм 180 мА 460 мА Плоский 80 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNB27YZR3D2 SPHWHHAHDNB27YZR3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC006D Gen2 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Холодный 4 недели 115° Квадрат 34,6 В 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 140 лм/Вт 85°С Тип: 874 лм 180 мА 460 мА Плоский 90 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNB27YZT2D3 SPHWHHAHDNB27YZT2D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Лента и катушка (TR) 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Нейтральный 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 146 лм/Вт 85°С 895 лм тип. 180 мА 460 мА Плоский 90 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDND27YZW2D1 SPHWHAHDND27YZW2D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC013D 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 115 лм/Вт 85°С 1427 лм Тип 360 мА 920 мА Плоский 90 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDND27YZU2D3 SPHWHAHDND27YZU2D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Лента и катушка (TR) 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 140 лм/Вт 85°С 1710 лм Тип. 360 мА 920 мА Плоский 90 Диаметр 9,80 мм
SPHWW1HDN828YHW3CC SPHWW1HDN828YHW3CC Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC006B Коробка 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 320 мА 115° Квадрат 35,5 В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 105 лм/Вт 25°С 668лм 601лм~734лм 180 мА Плоский 95 Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDND25YZQ3D3 SPHWHAHDND25YZQ3D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Лента и катушка (TR) 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Холодный 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 168 лм/Вт 85°С 2053lm Тип 360 мА 920 мА Плоский 80 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNE27YZT3H8 SPHWHAHDNE27YZT3H8 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC016D Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf 1,50 мм Белый, Нейтральный 8541.40.20.00 1,15 А 115° Квадрат 34,6 В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 127 лм/Вт 85°С 1971lm Тип. 450 мА Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNF27YZT3C2 SPHWHAHDNF27YZT3C2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) C-серия Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf 1,50 мм Белый, Нейтральный 4 недели совместимый 115° Квадрат 35В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 112 лм/Вт 85°С 2351lm Тип 600 мА 920 мА Плоский 90 Диаметр 8,50 мм
SPHWHAHDND27YZV3D1 SPHWHAHDND27YZV3D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC013D 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 120 лм/Вт 85°С 1494lm Тип 360 мА 920 мА Плоский 90 Диаметр 9,80 мм
SPHWW1HDN827YHU3CF SPHWW1HDN827YHU3CF Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC006B Коробка 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 320 мА 115° Квадрат 35,5 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 123 лм/Вт 25°С 786лм 695~876лм 180 мА Плоский 90 Диаметр 8,00 мм
SPHWW1HDN825YHV3EE SPHWW1HDN825YHV3EE Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC006B Gen2 Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 320 мА 115° Квадрат 35,5 В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 148 лм/Вт 25°С 945 лм 887 лм~1003 лм 180 мА Плоский 80 Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDND27YZW2D2 SPHWHAHDND27YZW2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC013D Gen2 Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели да 115° Квадрат 34,6 В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 121 лм/Вт 85°С 1509 лм Тип. 360 мА 920 мА Плоский 90 Диаметр 9,80 мм
SI-B8T521B2CUS СИ-B8T521B2CUS Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Светодиодный модуль ЛТ-ВБ22Ф 1120,00 мм Д x 18,00 мм Ш 1 (без ограничений) 2017 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf 5,50 мм Белый, Нейтральный 4 недели Линейная световая полоса 48,8 В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 143 лм/Вт 65°С 7816лм 7035лм~8600лм 1,12А 1,62А Плоский 80
SI-B8V111560WW СИ-B8V111560WW Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Светодиодный модуль ЛТ-М562А Поднос 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год 560 мм 5,80 мм 18 мм Белый, Теплый 450 мА С разъемом 24,7 В 115° Плоский Линейная световая полоса 24,7 В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 132 лм/Вт 50°С 1460 лм тип. 450 мА 450 мА Плоский 80
SL-B8R5C9H1AWW SL-B8R5C9H1AWW Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Светодиодный модуль Садоводство L2 281,00 мм Д x 41,00 мм Ш 1 (без ограничений) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-slb8r5c9h1aww-datasheets-4298.pdf 5,20 мм Белый, Холодный 4 недели 118° Линейная световая полоса 21,5 В 5390К (4990К ~ 5820К) 159 лм/Вт 25°С 4110лм 3600лм~4400лм 1,2А 1,6А Плоский
SPHWHAHDNE2VYZUVD2 SPHWHAHDNE2VYZUVD2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) COB R-серия Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 108 лм/Вт 85°С Тип 1875lm 450 мА 1,15 А Плоский Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNF27YZU2D3 SPHWHAHDNF27YZU2D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 143 лм/Вт 85°С 2630 лм тип. 540 мА 1,38А Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNF25YZU3D2 SPHWHAHDNF25YZU3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC019D Gen2 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 159 лм/Вт 85°С 2965 лм Тип. 540 мА 1,38А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDNB28YHU31F SPHWW1HDNB28YHU31F Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC019B Коробка 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnb28yhu31f-datasheets-1709.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 980 мА 115° Квадрат 35,5 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 106 лм/Вт 25°С 2023лм 1820лм~2225лм 540 мА Плоский 95 Диаметр 12,40 мм
SPHWHAHDNK27YZW2M0 SPHWHAHDNK27YZW2M0 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC040D Поднос 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 2,76А 115° Квадрат 34,6 В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 115 лм/Вт 85°С 4283lm Тип 1,08А Плоский 90 Диаметр 22,00 мм
SPHWW1HDNC25YHV32G SPHWW1HDNC25YHV32G Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC026B Gen2 Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 1,3А 115° Квадрат 35,5 В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 147 лм/Вт 25°С 3770 лм 3550 лм~3990 лм 720 мА Плоский 80 Диаметр 17,00 мм
SPHCW1HDNC25YHRT2G SPHCW1HDNC25YHRT2G Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC026B Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Холодный 8541.40.20.00 1,3А 115° Квадрат 35,5 В 5000К 149 лм/Вт 25°С 3820 лм 3590 лм~4050 лм 720 мА Плоский 80 Диаметр 17,00 мм
SPHWW1HDN945YHW3KH SPHWW1HDN945YHW3KH Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC008B Gen2 Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhrtkg-datasheets-0358.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 430 мА 115° Квадрат 36,5 В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 137 лм/Вт 25°С 1201лм 1141лм~1260лм 240 мА Плоский 80 Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDNF25YZW3J3 SPHWHAHDNF25YZW3J3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC019D Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 1,38А 115° Квадрат 34,6 В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 132 лм/Вт 85°С 2458 лм Тип 540 мА Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDN828YHV2CC SPHWW1HDN828YHV2CC Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC006B Коробка 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 320 мА 115° Квадрат 35,5 В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 105 лм/Вт 25°С 668лм 601лм~734лм 180 мА Плоский 95 Диаметр 8,00 мм
SPHWW1HDN94VYHV3FG SPHWW1HDN94VYHV3FG Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC008B Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 430 мА 115° Квадрат 35,5 В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 25°С 1008лм 887лм~1128лм Плоский Диаметр 8,00 мм
SPHWW1HDN947YHT2FG SPHWW1HDN947YHT2FG Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC008B Коробка 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,50 мм Белый, Нейтральный 6 недель 8541.40.20.00 430 мА 115° Квадрат 36,5 В 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 120 лм/Вт 25°С 1050лм 929~1171лм 240 мА Плоский 90 Диаметр 8,00 мм
SI-B8U17156CWW SI-B8U17156CWW Самсунг Полупроводник, Инк. $3,03
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Светодиодный модуль Серия V 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш 1 (без ограничений) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf 5,50 мм Белый, Теплый 4 недели Линейная световая полоса 24В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 141 лм/Вт 50°С 2369лм 2132~2606лм 700 мА 900 мА Плоский 80

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.