Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактЗaphayti -yswotodiodonnogo oswehenipe (20436)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | ТИП | В припании | Упако | Raзmer / yзmerenee | Вернояж | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Вес | Шyrina | ЦВ | СОУДНО ПРИОН | Верна - | HTS -KOD | МАКСИМАЛНГ | Особз | Верна | ВАМОЛЕЕ ПРОСМОТРА | Стиль Обюктива | Коунфигура | На | CCT (k) | Lumens/watt @ current - тепла | ТЕМПЕРАТУРА - ТЕСА | Flux @ current/temret - теф | Делина Вонн | ТОК - ТЕСТР | ТОК - МАКС | ТИПЛИН | Cri (инкс | СОЗОВО |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Gw kahnb1.cm-tttu-27s3-t02 | Osram Opto Semiconductors Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чip nabortu (Cob) | Soleriq® S 19 | Поднос | 24,00 мм LX24,00 мм ш | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/osramoptosemonductorsinc-gwkahnb1cmtttu27s3t02-datasheets-1036.pdf | 1,40 мм | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | 120 ° | Квадрат | 43,2 В. | 2700K | 93 LM/W. | 85 ° С | 4200LM 3900LM ~ 4500LM | 1.05A | 1.4a | Плоски | 90 | 17,80 ммдиа | |||||||||||||||
| SI-B8T081280WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | LT-H284A | Поднос | 280,00 мм LX40,00 мм ш | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2013 | 280 мм | 5,60 мм | 40 ММ | БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ | 6 | 1.2a | С. | 11,6 В. | 115 ° | Плоски | Lehneйnavyly -ylegaypolosa | 11,6 В. | 4000k 3-of | 140 LM/W. | 45 ° С | 1140LM Тип | 700 май | 1.2a | Плоски | 80 | |||||||||
| Si-B8R161560WW | Samsung Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | LT-H564A | Поднос | 560,00 мм LX40,00 мм W. | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2013 | 560 ММ | 5,60 мм | 40 ММ | БЕЛЯ, КРУТО | 1.2a | С. | 23.2V | 115 ° | Плоски | Lehneйnavyly -ylegaypolosa | 23.2V | 5000k 3-of | 143 LM/W. | 45 ° С | 2320LM Тип | 700 май | 1.2a | Плоски | 80 | ||||||||||
| Si-B8U111250WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | LAM-SQ30B | Поднос | 259,00 мм LX250,00 мм ш | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | 259 мм | 6,70 мм | 250 ММ | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | 900 май | С. | 15,3 В. | 145 ° | Купол | Прхмогольник | 15,3 В. | 3500k 3-ytupeNчaToe эllips macadam | 120 LM/W. | 35 ° С | 1290LM Тип | 700 май | 900 май | Купол | 80 | ||||||||||
| Si-B8U162560WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | LT-E564A | Поднос | 560,00 мм LX40,00 мм W. | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2013 | 560 ММ | 5,60 мм | 40 ММ | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | 750 май | С. | 24,3 В. | 115 ° | Плоски | Lehneйnavyly -ylegaypolosa | 24,3 В. | 3500k 3-ytupeNчaToe эllips macadam | 122 LM/W. | 45 ° С | 2080LM Тип | 700 май | 750 май | Плоски | 80 | ||||||||||
| Si-B8T162560WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | LT-E564A | Поднос | 560,00 мм LX40,00 мм W. | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2013 | 560 ММ | 5,60 мм | 40 ММ | БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ | 6 | 750 май | С. | 24,3 В. | 115 ° | Плоски | Lehneйnavyly -ylegaypolosa | 24,3 В. | 4000k 3-of | 127 LM/W. | 45 ° С | 2160LM Тип | 700 май | 750 май | Плоски | 80 | |||||||||
| Si-B8R081280WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | LT-H284A | Поднос | 280,00 мм LX40,00 мм ш | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2013 | 280 мм | 5,60 мм | 40 ММ | БЕЛЯ, КРУТО | 26 nedely | 1.2a | С. | 11,6 В. | 115 ° | Плоски | Lehneйnavyly -ylegaypolosa | 11,6 В. | 5000k 3-of | 143 LM/W. | 45 ° С | 1160LM Тип | 700 май | 1.2a | Плоски | 80 | |||||||||
| Si-B8U112280WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | Finger-Rt30b | Поднос | 216,00 мм LX273,00 мм W. | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemonondonductorinc-sib8t112280ww-datasheets-0971.pdf | 216 ММ | 5,80 мм | 273 ММ | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | 900 май | С. | 15,3 В. | 115 ° | Плоски | Прхмогольник | 15,3 В. | 3500k 3-ytupeNчaToe эllips macadam | 128 LM/W. | 35 ° С | 1370LM Тип | 700 май | 900 май | Плоски | 80 | |||||||||
| Si-B8R082280WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | LT-E284A | Поднос | 280,00 мм LX40,00 мм ш | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | 280 мм | 5,60 мм | 40 ММ | БЕЛЯ, КРУТО | 750 май | С. | 12.1V | 115 ° | Плоски | Lehneйnavyly -ylegaypolosa | 12.1V | 5000k 3-of | 129 LM/W. | 45 ° С | 1090LM Тип | 700 май | 750 май | Плоски | 80 | ||||||||||
| BXRH-30E8000-J-23 | Bridgelux | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чip nabortu (Cob) | H Series | Трубка | 19,00 мм LX19,00 мм ш | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2016 | /files/bridgelux-bxrh30g8000j23-datasheets-1003.pdf | 1,60 мм | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | СОУДНО ПРИОН | 8 | 3.5a | 112 ° | Квадрат | 35,1 В. | 3000k 3-ytupeNчaToToE эlkyps macadam | 82 LM/W. | 85 ° С | 7233LM Тип | 2.5A | Плоски | 80 | 14,90 ммдиа | ||||||||||||
| Le UW E3A-QXQZ-ERJV | Osram Opto Semiconductors Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 2 (1 годы) | Rohs3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Si-B8R162560WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | LT-E564A | Поднос | 560,00 мм LX40,00 мм W. | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2013 | 560 ММ | 5,60 мм | 40 ММ | БЕЛЯ, КРУТО | 750 май | С. | 24,3 В. | 115 ° | Плоски | Lehneйnavyly -ylegaypolosa | 24,3 В. | 5000k 3-of | 128 LM/W. | 45 ° С | 2180LM Тип | 700 май | 750 май | Плоски | 80 | ||||||||||
| Le UW E3A-PXQZ-ERJV | Osram Opto Semiconductors Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 2 (1 годы) | Rohs3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI-B8V111280WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | LAM-RT30B | Поднос | 216,00 мм LX273,00 мм W. | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | 216 ММ | 6,70 мм | 273 ММ | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | 900 май | С. | 15,3 В. | 145 ° | Купол | Прхмогольник | 15,3 В. | 3000k 3-ytupeNчaToToE эlkyps macadam | 119 LM/W. | 35 ° С | 1270LM Тип | 700 май | 900 май | Купол | 80 | ||||||||||
| Si-B8V161560WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | LT-H564A | Поднос | 560,00 мм LX40,00 мм W. | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2013 | 560 ММ | 5,60 мм | 40 ММ | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | 1.2a | С. | 23.2V | 115 ° | Плоски | Lehneйnavyly -ylegaypolosa | 23.2V | 3000k 3-ytupeNчaToToE эlkyps macadam | 132 LM/W. | 45 ° С | 2140LM Тип | 700 май | 1.2a | Плоски | 80 | ||||||||||
| Si-B8U161560WW | Samsung Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | LT-H564A | Поднос | 560,00 мм LX40,00 мм W. | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2013 | 560 ММ | 5,60 мм | 40 ММ | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | 1.2a | С. | 23.2V | 115 ° | Плоски | Lehneйnavyly -ylegaypolosa | 23.2V | 3500k 3-ytupeNчaToe эllips macadam | 135 LM/W. | 45 ° С | 2200LM Тип | 700 май | 1.2a | Плоски | 80 | ||||||||||
| SL-P7R2F37MZWW | Samsung Semiconductor, Inc. | $ 5,47 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 2а (4 nedeli) | ROHS COMPRINT | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Si-B8V112250WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | Finger-Sq30b | Поднос | 259,00 мм LX250,00 мм ш | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemonondonductorinc-sib8t112280ww-datasheets-0971.pdf | 259 мм | 5,80 мм | 250 ММ | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | 900 май | С. | 15,3 В. | 115 ° | Плоски | Прхмогольник | 15,3 В. | 3000k 3-ytupeNчaToToE эlkyps macadam | 125 LM/W. | 35 ° С | 1340LM Тип | 700 май | 900 май | Плоски | 80 | |||||||||
| Si-B8T111280WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | LAM-RT30B | Поднос | 216,00 мм LX273,00 мм W. | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | 216 ММ | 6,70 мм | 273 ММ | БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ | 900 май | С. | 15,3 В. | 145 ° | Купол | Прхмогольник | 15,3 В. | 4000k 3-of | 127 LM/W. | 35 ° С | 1360LM Тип | 700 май | 900 май | Купол | 80 | ||||||||||
| SI-B8P112280WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | Finger-Rt30b | Поднос | 216,00 мм LX273,00 мм W. | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemonondonductorinc-sib8t112280ww-datasheets-0971.pdf | Модул | 216 ММ | 5,80 мм | 273 ММ | БЕЛЯ, КРУТО | 900 май | С. | 15,3 В. | 115 ° | Плоски | Прхмогольник | 15,3 В. | 6500k 4-ytupenshogogogogogogogogogogo эllilipsa macadam | 134 LM/W. | 35 ° С | 1440LM Тип | 700 май | 900 май | Плоски | 80 | ||||||||
| Si-B8V112280WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | Finger-Rt30b | Поднос | 216,00 мм LX273,00 мм W. | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemonondonductorinc-sib8t112280ww-datasheets-0971.pdf | 216 ММ | 5,80 мм | 273 ММ | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | 900 май | С. | 15,3 В. | 115 ° | Плоски | Прхмогольник | 15,3 В. | 3000k 3-ytupeNчaToToE эlkyps macadam | 125 LM/W. | 35 ° С | 1340LM Тип | 700 май | 900 май | Плоски | 80 | |||||||||
| Si-B8U112250WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | Finger-Sq30b | Поднос | 259,00 мм LX250,00 мм ш | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemonondonductorinc-sib8t112280ww-datasheets-0971.pdf | 259 мм | 5,80 мм | 250 ММ | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | 900 май | С. | 15,3 В. | 115 ° | Плоски | Прхмогольник | 15,3 В. | 3500k 3-ytupeNчaToe эllips macadam | 128 LM/W. | 35 ° С | 1370LM Тип | 700 май | 900 май | Плоски | 80 | |||||||||
| Si-B8P111280WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | LAM-RT30B | Поднос | 216,00 мм LX273,00 мм W. | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | 216 ММ | 6,70 мм | 273 ММ | БЕЛЯ, КРУТО | 900 май | С. | 15,3 В. | 145 ° | Купол | Прхмогольник | 15,3 В. | 6500k 3-ytupenчatoe эllips macadam | 121 LM/W. | 35 ° С | 1300LM Тип | 700 май | 900 май | Купол | 80 | ||||||||||
| Si-B8U111280WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | LAM-RT30B | Поднос | 216,00 мм LX273,00 мм W. | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | 216 ММ | 6,70 мм | 273 ММ | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | 900 май | С. | 15,3 В. | 145 ° | Купол | Прхмогольник | 15,3 В. | 3500k 3-ytupeNчaToe эllips macadam | 120 LM/W. | 35 ° С | 1290LM Тип | 700 май | 900 май | Купол | 80 | ||||||||||
| L2C2-35951202E0600 | Lumileds | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чip nabortu (Cob) | Luxeon Cob Core Drange Gen 2 | Трубка | 15,00 мм LX12,00 мм ш | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2017 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/lumileds-l2c230701216e2300-datasheets-4753.pdf | 1,50 мм | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | 8541.40.20.00 | 115 ° | Прхмогольник | 34,5 В. | 3500k 3-ytupeNчaToe эllips macadam | 105 LM/W. | 85 ° С | 735LM Тип | 200 май | 400 май | Плоски | 90 | Ди. 6,50 мм | |||||||||||||
| Si-B8V111250WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | LAM-SQ30B | Поднос | 259,00 мм LX250,00 мм ш | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | 259 мм | 6,70 мм | 250 ММ | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | 900 май | С. | 15,3 В. | 145 ° | Купол | Прхмогольник | 15,3 В. | 3000k 3-ytupeNчaToToE эlkyps macadam | 119 LM/W. | 35 ° С | 1270LM Тип | 700 май | 900 май | Купол | 80 | ||||||||||
| BC5500-GS-36 | Bivar Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Сэтод | БЕРЕВОВОЙ АНСЛИЯ C5500 | Трубка | 914,40 мм LX21,00 мм ш | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 12,00 мм | Зelenый | 11 nedely | С. | Lehneйnavion -oponavovovovovowovowovowovyponypolosa, podklючite ygraйte | 24 | 960LM | 528 nm | ||||||||||||||||||||||
| BXRH-30G6000-G-23 | Bridgelux | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чip nabortu (Cob) | H Series | Трубка | 17,85 мм LX17,85 мм ш | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2016 | /files/bridgelux-bxrh30g6000g23-datasheets-0996.pdf | 1,60 мм | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | СОУДНО ПРИОН | 8 | 2.45a | 112 ° | Квадрат | 34,9 В. | 3000k 3-ytupeNчaToToE эlkyps macadam | 68 LM/W. | 85 ° С | 4142lmtp | 1,75а | Плоски | 90 | 12,40 мм диаметро | ||||||||||||
| Si-B8U101280WW | Samsung Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | С. С. | Finger-Rt64b | Поднос | 230,00 мм LX273,00 мм W. | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemonondonductorinc-sib8t101250ww-datasheets-0923.pdf | 230 ММ | 6,70 мм | 273 ММ | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | 1.6a | С. | 11,5. | 115 ° | Плоски | Прхмогольник | 11,5. | 3500k 3-ytupeNчaToe эllips macadam | 153 LM/W. | 35 ° С | 1230LM Тип | 700 май | 1.6a | Плоски | 80 | |||||||||
| BXRH-35A6001-G-23 | Bridgelux | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чip nabortu (Cob) | H Series | Трубка | 17,85 мм LX17,85 мм ш | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2016 | /files/bridgelux-bxrh30g6000g23-datasheets-0996.pdf | 1,60 мм | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | СОУДНО ПРИОН | 8 | 2.45a | 112 ° | Квадрат | 34,9 В. | 3500k 3-ytupeNчaToe эllips macadam | 67 LM/W. | 85 ° С | 4066LM Тип | 1,75а | Плоски | 93 | 12,40 мм диаметро |
