Транзисторные оптические датчики — Поиск электронных компонентов — Лучший агент по производству электронных компонентов — ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Пакет/ключи Метод измерения Длина Входной ток Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Материал Срок выполнения заказа на заводе Рейтинги ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Код Pbfree Дополнительная функция Контактное покрытие Материал корпуса Радиационная закалка Максимальное напряжение питания (постоянный ток) Минимальное напряжение питания (постоянный ток) Достичь соответствия кода Количество функций Код JESD-609 Терминальные отделки Напряжение питания-Макс (Vsup) Количество вариантов Рассеяние активности Время ответа Количество элементов Подкатегория Максимальный выходной ток Сенсорный экран Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Прямое напряжение Тип выхода Максимальный входной ток Тип оптоэлектронного устройства Прямой ток-макс. Время подъема Осень (тип.) Расстояние внедрения Размер зазора Конфигурация вывода Обратное напряжение проба Максимальное напряжение проба Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Обратное напряжение (постоянный ток) Coll-Emtr Bkdn Минимальное напряжение напряжения Длина волны Пиковая длина волны Темный ток Темный ток-Макс. Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ширина слота-ном. Номинальный ток коллектора в состоянии включения
EE-SH3-CS EE-SH3-CS Omron Electronics Inc-подразделение EMC
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Припой, сквозное отверстие Припой -25°К~85°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2003 г. /files/omronelectronicsincemcdiv-eesh3-datasheets-8392.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта Без свинца 9 недель Неизвестный 4 да ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 1 100мВт 4 мкс, 4 мкс 20 мА 50 мА 1,2 В 4 мкс 4 мкс 0,134 (3,4 мм) Фототранзистор 30В 30В 20 мА 940 нм 200нА 3,4 мм 1 мА
OPB815WZ ОПБ815WZ ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) Свинцовый провод 80°С -40°С Соответствует RoHS 2016 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb815l-datasheets-7436.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 20 мА 31,75 мм Без свинца 8 недель Нет СВХК 4 Нет 100мВт 1 16 мА Инфракрасный (ИК) 30В 20 мА 1,7 В 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 30В 30В 16 мА 50 мА 890 нм 890 нм 30В
EE-SX953-W 1M EE-SX953-W 1М Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Усиленный EE-SX95 Крепление на шасси -25°К~55°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2015 год Модуль, выводы проводов, тип слота Пересечение объекта 2 недели 0,197 (5 мм) NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору 50 мА 24В 15 мА
RPI-579 РПИ-579 РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2006 г. /files/rohmsemiconductor-rpi579-datasheets-9804.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта Без свинца 4 да Медь, Серебро, Олово 1 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 80мВт 0,05А 10 мкс 10 мкс 0,197 (5 мм) 5 мм Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 800 нм 500нА 30 мА 5 мм
EE-SX953-W 3M EE-SX953-W 3М Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Усиленный EE-SX95 Крепление на шасси -25°К~55°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2015 год Модуль, выводы проводов, тип слота Пересечение объекта 2 недели 0,197 (5 мм) NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору 50 мА 24В 15 мА
EE-SX950P-R 1M EE-SX950P-R 1M Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Усиленный EE-SX95 Крепление на шасси -25°К~55°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2015 год Модуль, выводы проводов, тип слота Пересечение объекта 4 недели 0,197 (5 мм) PNP — Включение темноты/Включение света — по выбору 50 мА 24В 15 мА
HOA2862-002 НОА2862-002 Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Масса 1 (без блокировки) 100°С -55°С Соответствует RoHS 1997 год /files/honeywell-hoa2862002-datasheets-6733.pdf Модуль, прорезной Пересечение объекта 14 недель 4 Полиэстер 75мВт 15 мкс 1 50 мА 1,6 В 15 мкс 15 мкс 0,100 (2,54 мм) Фототранзистор 30В 400мВ 30В 30 мА 50 мА 100 нА 30В 30 мА
EE-SX1161-W11 EE-SX1161-W11 Omron Electronics Inc-подразделение EMC
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Поднос Непригодный Соответствует RoHS 2006 г. /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1161w11-datasheets-9845.pdf Модуль, контакты ПК, тип слота Пересечение объекта 10 недель неизвестный 4 мкс 50 мА 1,2 В 0,126 (3,2 мм) Фототранзистор 30В 20 мА 50 мА
GP1S51VJ000F ГП1С51ВДЖ000Ф SHARP/Цокольная технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -25°С Соответствует RoHS Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 12,2 мм 5 мм 10 мм Без свинца 4 Медь, Серебро, Олово Нет 1 75мВт 3 мкс, 4 мкс 1 20 мА 50 мА 1,25 В 15 мкс 20 мкс 0,118 (3 мм) Фототранзистор 35В 35В 20 мА 50 мА 35В 20 мА
EE-SX970-C1 EE-SX970-C1 Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на раму, винт М3. -25°К~85°К Масса Непригодный 85°С -25°С Соответствует RoHS 2012 год /files/omron-eesx970c1-datasheets-6738.pdf Модуль, прорезной Пересечение объекта 2 недели 4 мкс 0,020 (0,5 мм) 30В 30В 20 мА 50 мА 30В 20 мА
ITR8010 ITR8010 Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2009 год /files/everlightelectronicscoltd-itr8010-datasheets-9878.pdf Щелевой модуль Пересечение объекта 15 недель 4 да Нет 1 75мВт 1 Другая оптоэлектроника 30 мА 50 мА 15 мкс 15 мкс 0,083 (2,1 мм) Фототранзистор 30В 30В 20 мА 50 мА 940 нм 2,1 мм 0,5 мА
EE-SX1160-W11 EE-SX1160-W11 Omron Electronics Inc-подразделение EMC
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~80°К Поднос Непригодный Соответствует RoHS 2013 год /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1160w11-datasheets-9725.pdf Модуль, контакты ПК, тип слота Пересечение объекта 10 недель 4 мкс 50 мА 1,2 В 0,374 (9,5 мм) Фототранзистор 30В 20 мА 50 мА
EE-SX971-C1 EE-SX971-C1 Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на раму, винт М3. -25°К~85°К Масса Непригодный 85°С -25°С Соответствует RoHS 2012 год /files/omron-eesx971c1-datasheets-6740.pdf Модуль, прорезной Пересечение объекта 2 недели 4 мкс Фототранзистор 0,020 (0,5 мм) 30В 30В 20 мА 50 мА 30В 20 мА
OPB802L55 ОПБ802Л55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 20 мА 1,7 В 12 недель Нет СВХК 4 1 100мВт Инфракрасный (ИК) 30В 50 мА 1,7 В 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 30В 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
EE-SX676P-WR 1M EE-SX676P-WR 1M Omron Автоматизация и безопасность $47,85
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать EE-SX67 Крепление на шасси -25°С~55°С ТА Непригодный Соответствует RoHS 2014 год /files/omronautomationandsafety-ee1006-datasheets-2671.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 0,197 (5 мм) PNP — Включение темноты/Включение света — по выбору 50 мА
EE-SX954-W 3M EE-SX954-W 3М Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Усиленный EE-SX95 Крепление на шасси -25°К~55°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2009 год Модуль, выводы проводов, тип слота Пересечение объекта 0,197 (5 мм) NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору 50 мА 24В 15 мА
OPB870P55 ОПБ870П55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта Без свинца 12 недель 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB829CZ ОПБ829CZ ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на корпусе, печатная плата, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) Припой 80°С -40°С Соответствует RoHS 2001 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829az-datasheets-8333.pdf 30В Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 24,64 мм 20 мА 10,03 мм 24,64 мм Без свинца Пластик 8 недель Нет СВХК 4 Нет 1 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 30В 50 мА 1,7 В 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 890 нм 30В 30 мА
EE-SX1350 EE-SX1350 Omron Electronics Inc-подразделение EMC
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -30°К~85°К Лента и катушка (TR) Соответствует RoHS 2006 г. /files/omron-eesx1350-datasheets-6703.pdf Модуль, без результата, тип слота Пересечение объекта 9,2 мм 9 недель 30 мА 1,2 В ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ 11 мкс 14 мкс 0,197 (5 мм) Фототранзистор 20 мА 940 нм 10нА 12 В
EE-SX972-C1 EE-SX972-C1 Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на раму, винт М3. -25°К~85°К Масса Непригодный Разъем 85°С -25°С Соответствует RoHS 2010 год /files/omron-eesx972c1-datasheets-6705.pdf Модуль, прорезной Пересечение объекта 2 недели IP50 4 Полибутилен 24В 4 мкс 0,020 (0,5 мм) 30В 30В 20 мА 50 мА 30В 20 мА
OPB380T55Z ОПБ380Т55З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 12 недель 4 Нет 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB880N11Z ОПБ880Н11З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Свободное подвешивание Свободное подвешивание -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 12 недель 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
H21A6 H21A6 Рочестер Электроникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие, фланец -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/rochesterelectronicsllc-h21a5-datasheets-9408.pdf Прорезные штыри для ПК Пересечение объекта да 1 НЕ УКАЗАН 8 мкс, 50 ​​мкс 0,05 А 0,118 (3 мм) Фототранзистор 50 мА 55В 100 нА 55В 20 мА 3,15 мм 4мА
OPB890P51Z ОПБ890П51З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта Без свинца 8 недель 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
EE-SX950-W 3M EE-SX950-W 3М Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Усиленный EE-SX95 Крепление на шасси -25°К~55°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2015 год Модуль, выводы проводов, тип слота Пересечение объекта 24 недели 0,197 (5 мм) NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору 50 мА 24В 15 мА
EE-SX198 EE-SX198 Omron Electronics Inc-подразделение EMC
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2003 г. /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx198-datasheets-9671.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 30 мА 7 недель Неизвестный 4 да 1 1 100мВт 4 мкс, 4 мкс 30В 50 мА 1,2 В 30 мА 4 мкс 4 мкс 0,118 (3 мм) Фототранзистор 30В 30В 20 мА 940 нм 200нА 3 мм 0,5 мА
EE-SX971P-C1 EE-SX971P-C1 Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на раму, винт М3. -25°К~85°К Масса Непригодный 85°С -25°С Соответствует RoHS 2012 год Модуль, прорезной Пересечение объекта 2 недели 4 мкс 0,020 (0,5 мм) 30В 30В 20 мА 50 мА 30В 20 мА
EE-SX953P-R 1M EE-SX953P-R 1M Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Усиленный EE-SX95 Крепление на шасси -25°К~55°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2015 год Модуль, выводы проводов, тип слота Пересечение объекта 2 недели 0,197 (5 мм) PNP — Включение темноты/Включение света — по выбору 50 мА 24В 15 мА
TCUT1600X01 ТКУТ1600X01 Отделение оптической оптики полупроводников Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°С~105°С ТА Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2007 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcut1600x01-datasheets-9540.pdf Модуль, без результата, тип слота Пересечение объекта Без свинца 12 недель неизвестный 9 мкс, 16 мкс 25 мА 1,2 В ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ 0,118 (3 мм) Фототранзистор 20 В 20 В 20 мА 25 мА 950 нм
EE-SX1115 EE-SX1115 Omron Electronics Inc-подразделение EMC
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2003 г. /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1115-datasheets-9701.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта Без свинца 7 недель Неизвестный 4 1,5 В 100мВт 4 мкс, 4 мкс 50 мА 1,2 В 4 мкс 4 мкс 0,197 (5 мм) Фототранзистор 30В 30В 30В 20 мА 940 нм

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.