+86 19168759373 info@chipsmt.ru

Технология Fastron (1686)

Имя	Производитель	Цены (доллар)	Количество	Ряд	Упаковка	Завершение	Максимальная рабочая температура	МИН рабочая температура	Статус ROHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Текущий рейтинг	Саморезонаторная частота	Диаметр	Пакет / корпус	Длина	Высота	Ширина	Материал	Глубина	Количество терминаций	Сопротивление	Количество булавок	Свинцовый шаг	PBFREE CODE	Код ECCN	Радиационное упрочнение	HTS -код	Метод упаковки	Количество функций	Форма терминала	Терпимость	Код JESD-609	Терминальная отделка	Справочный стандарт	Поверхностное крепление	Диаметр свинца	Рабочая температура (макс)	Рабочая температура (мин)	Строительство	Частота теста	Расстояние ведущих	Свинцовый/базовый стиль	Индуктивность	Военный стандарт	Q Фактор	Форма/Описание размера	Основной материал	Экранирование	Приложение индуктора	Расположение терминала	Тип индуктора	Код корпуса/размера	Специальная функция	Минь качества (в L-NOM)	MAX DC Current	Постоянный ток	Оценка тока-макса	Материал - ядро	Частота - самостоятельно резонанс	Сопротивление постоянного тока (DCR) - параллельно	Индуктивность-нома (l)
HCCC-100M	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1	HCCC					ROHS COMPARINT			1.3a			Осевой	12,5 мм									да	Ear99		8504.50.80.00				20%	E2	Олово/медь (sn/cu)			0,8 мм	85 ° C.	-25 ° C.					10 мкм				Феррит				Индуктор общего назначения				1.3a				60 МГц	320mohm	10 мкм
1210AS-027J-01	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1						ROHS COMPARINT													130mohm										5%												27 нх		55			Неэкранированный										Керамика		4,3 Ом
4408AQ-292J-08	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1
1812AFTC-401K-04	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1
4408AQ-133J-08	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1
4408AF-332K-04	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1
4408AQ-902J-08	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1
4408AF-132J-04	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1
4408AF-132J-08	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1
1206AS-R47J-01	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1			SMD/SMT	150 ° C.	-40 ° C.	ROHS COMPARINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fastron-1206asr47j01-datasheets-8005.pdf	490 мА			1206	2,5 мм	1,5 мм	4 мм	Керамика			1,3 Ом	1206									5%												470 NH		52			Неэкранированный							490 мА			Керамика		1,3 Ом
77A-331M-01	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1				125 ° C.	-55 ° C.	ROHS COMPARINT							26 мм						600 мох				Ear99	Нет	8504.50.80.00				20%									100 кГц		Осевой	330 мкл	Нет											1.4a	1.4a		Феррит		600 мох
07HCP-391K-50	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1		Масса	Радиал	85 ° C.	-55 ° C.	ROHS COMPARINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fastron-07hcp391k50-datasheets-1275.pdf					10 мм						890MOM										10%												390 мкм					Экранированный							500 мА					890MOM
VHBCC-122J-01	Фастрон технологии	$ 0,81	RFQ Мин: 1 Mult: 1			Осевой	125 ° C.	-55 ° C.	ROHS COMPARINT							16 мм					2									1	ПРОВОЛОКА	5%	E3	Олово (SN)		НЕТ	700 мкм				252 кГц			1,2 МГ		70	Трубчатая упаковка		Неэкранированный	РФ индуктор		Индуктор общего назначения		Q измерен при 252 кГц	70	350 мА			Феррит	680 кГц	5,5 Ом	1200 мкм
PIS2816-330M-04	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1				125 ° C.	-40 ° C.	ROHS COMPARINT			960 мА			SMD/SMT	7,5 мм	4,7 мм	7,5 мм	Сталь	7,5 мм	2	170mohm								1	Обертывание	20%	E3	Олово (SN)		ДА					1 кГц			33 мкл	Нет		Прямоугольный пакет		Экранированный	Индуктор власти	Двойной конец	Индуктор общего назначения					960 мА	0,96а	Феррит		170mohm	33 мкл
1210F-1R8K-01	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1			SMD/SMT			ROHS COMPARINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fastron-1210f1r8k01-datasheets-0283.pdf				1210							410mohm										10%												1,8 мкм		30			Неэкранированный							490 мА			Феррит		410mohm
0402as9n0j01	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1			SMD/SMT	125 ° C.	-40 ° C.	ROHS COMPARINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fastron-0402as9n0j01-datasheets-1346.pdf				0402						2					Ear99		8504.50.80.00		1	Одна поверхность	5%				ДА					250 МГц			9 нх		22	Прямоугольный пакет		Неэкранированный	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения			22	681ma			Керамика	4,16 ГГц	160mohm	0,009 мкс
HBCC-2R2K-02	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1	HBCC		Осевой			ROHS COMPARINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fastron-hbcc2r2k02-datasheets-7925.pdf	1.9а										110mohm										10%					0,6 мм	85 ° C.	-25 ° C.					2,2 мкм		40		Феррит				Индуктор общего назначения				1.9а				140 МГц	110mohm	2,2 мкл
PIS4720-120M-04	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1			SMD/SMT			ROHS COMPARINT							12 мм	6 мм	12 мм			2									1	Обертывание	20%	E3	Олово (SN)		ДА					0,001 МГц						Прямоугольный пакет	Феррит	ДА	Индуктор власти	Двойной конец	Индуктор общего назначения						3.5a			27 мом	12 мкм
0603AS-R12J-08	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1			SMD/SMT	125 ° C.	-40 ° C.	ROHS COMPARINT						0603	1,7 мм	1 мм	1,1 мм														5%									150 МГц			120 NH		34			Неэкранированный							300 мА			Керамика	1,3 ГГц	650mohm
07HVP-221K-51	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1			Радиал	85 ° C.	-55 ° C.	ROHS COMPARINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fastron-07hvp221k51-datasheets-2099.pdf			8,3 мм		10 мм					2	520 мох		5 мм						1	ПРОВОЛОКА	10%	E3	Олово (SN)		НЕТ	700 мкм				1 кГц			220 мкл			Цилиндрический пакет		Неэкранированный	РФ индуктор		Индуктор общего назначения				1.1a			Феррит	3,14 МГц	520 мох	220 мкл
PIS4728-1R2N-04	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1	PIS4728		SMD/SMT			ROHS COMPARINT							12 мм	8 мм	12 мм								Ear99		8504.50.80.00	ТР, 13 дюймов			30%						125 ° C.	-40 ° C.	Чип								Феррит				Индуктор общего назначения	4848					9.8a			7 мом	1,2 мкм
PIS4728-820M-04	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1	PIS4728		SMD/SMT			ROHS COMPARINT							12 мм	8 мм	12 мм								Ear99		8504.50.80.00	ТР, 13 дюймов			20%						125 ° C.	-40 ° C.	Чип								Феррит				Индуктор общего назначения	4848					1,95а			160mohm	82 мкл
07P-272J-51	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1	07 с		Радиал	85 ° C.	-55 ° C.	ROHS COMPARINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fastron-07p272j51-datasheets-9300.pdf															Ear99		8504.50.80.00	Трэнд			5%					0,65 мм					5 мм		2,7 мх		100		Феррит	Неэкранированный			Индуктор общего назначения			100	100 мА				1,2 МГц	9.8ohm	2700 мкм
XHBCC-333J-01	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1	XHBCC			125 ° C.	-55 ° C.	ROHS COMPARINT							16 мм						80om				Ear99		8504.50.80.00	Трэнд			5%					0,7 мм			Дроссельная катушка	20 кГц		Осевой	33 мх	Нет	30						Индуктор общего назначения			30	90 мА	90 мА		Феррит	100 кГц	80om	33000 мкс
PISL-680M-04	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1			SMD/SMT			ROHS COMPARINT				10 МГц								2					Ear99		8504.50.80.00		1	Обертывание	20%	E3	Олово (SN)		ДА					0,1 МГц						Прямоугольный пакет	Феррит	НЕТ	Индуктор власти	Двойной конец	Индуктор общего назначения	5138					0,8а			330MOM	68 мкл
PISM-680M-04	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1			SMD/SMT	125 ° C.	-40 ° C.	ROHS COMPARINT			1,5а			Формован	13 мм	5,35 мм	9,5 мм	Сталь	9,55 мм	2	190mohm			да	Ear99		8504.50.80.00		1	Обертывание	20%			AEC-Q200	ДА					100 кГц			68 мкл	Нет		Прямоугольный пакет		НЕТ	Индуктор власти	Двойной конец	Индуктор общего назначения	5138				1,5а		Феррит	8,5 МГц	190mohm	68 мкл
PISN-471M-04	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1			SMD/SMT			ROHS COMPARINT				1,7 МГц		Формован						2					Ear99		8504.50.80.00		1	Обертывание	20%	E3	Олово (SN)		ДА					0,1 МГц						Прямоугольный пакет	Феррит	НЕТ	Индуктор власти	Двойной конец	Индуктор общего назначения	5138					0,6а			950 мох	470 мкм
PISR-1R0M-04	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1			SMD/SMT			ROHS COMPARINT	2010 год		8.6A				18,1 мм	7,3 мм	15,1 мм	Сталь			9 мом				Ear99		8504.50.80.00				20%																													9 мом
PISR-680M-04	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1						ROHS COMPARINT			2.3a			SMD/SMT	18,7 мм	7,3 мм	15,1 мм	Сталь	15,2 мм		100 мох				Ear99		8504.50.80.00				20%									100 кГц			68 мкл	Нет												2.3a		Феррит	6,5 МГц	100 мох
MICC/N-8R2J-01	Фастрон технологии		RFQ Мин: 1 Mult: 1	MICC		Осевой	125 ° C.	-55 ° C.	ROHS COMPARINT							7 мм										Ear99			Трэнд			5%					0,5 мм			Дроссельная катушка	7,96 МГц			8,2 мкл		50			Неэкранированный			Индуктор общего назначения			50	240 мА			Феррит	65 МГц	1,6 Ом	8,2 мкл