Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated) (2970)

Имя	Производитель	Количество	Устанавливать	Упаковка	Уровень чувствительности влаги (MSL)	Максимальная рабочая температура	МИН рабочая температура	Технология	Частота	Высота сидя (максимум)	Статус ROHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет / корпус	Длина	Ширина	Операционное напряжение питания	Свободно привести	Количество терминаций	Максимальное напряжение снабжения	Мин напряжения питания	Количество булавок	PBFREE CODE	Код ECCN	Дополнительная функция	Радиационное упрочнение	Достичь кода соответствия	HTS -код	Количество функций	Физическое измерение	Код JESD-609	Терминальная отделка	Поверхностное крепление	Терминальная позиция	Терминальная форма	Пиковая температура отвоз (CEL)	Напряжение снабжения	Терминал	Подсчет штифтов	Температура	Рабочая температура (макс)	Рабочая температура (мин)	Поставка напряжения-макс (VSUP)	Поставка напряжения мимин (VSUP)	Время@Пиковой температуру (я)	Рассеяние власти	Подкатегория	Питания	Поставьте ток-макс	Количество схем	Квалификационный статус	Код JESD-30	Семья	Логический тип IC	Тип генератора	Включить время задержки	Монтажная функция	Частотная стабильность	Нагрузка емкость	Выходной импеданс	Рабочая частота-макс	Задержка распространения	Эксплуатационная частота	Рабочая частота	Частота (макс)	Количество выходов	Крыжительный ток	Power Dissipation-Max	Выходные характеристики	Количество истинных выходов	Входная кондиционирование	Fmax-Min	Макс я (ол)	Проп. Задержка@nom-sup	Задержка распространения (TPD)	Частотная корректировка-механика	Тот же края перекосая-макс (TSKWD)	Вход	Выходной уровень
PI49FCT20802QE	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1			1			CMOS		1,75 мм	ROHS COMPARINT		/files/pericom-pi49fct20802qe-datasheets-7635.pdf		4,9 мм	3,9116 мм		Свободно привести	16				да	Ear99			соответствие	8542.39.00.01	1		E3	Матовая олова (787)	ДА	Двойной	Крыло Печата	260	2,5 В.	0,635 мм	16	Коммерческий	70 ° C.		2,7 В.	2,3 В.	40		Часы -драйверы	2,5 В.			Не квалифицирован	R-PDSO-G16	Фт	Водитель с низким перекосом																5	Стандартный	150 МГц	0,008 а	3,5 нс	3,5 нс		0,15 нс
PI49FCT2805TQE	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1	Поверхностное крепление		1	85 ° C.	-40 ° C.			1,75 мм	ROHS COMPARINT		/files/pericom-pi49fct2805tqe-datasheets-9604.pdf	QSOP	8,65 мм	3,9 мм	5 В	Свободно привести	20	5,25 В.	4,75 В.	20	да	Ear99					2		E3	Матовая олова (SN)		Двойной	Крыло Печата	260	5 В	0,635 мм	20	Промышленное					40	500 МВт	Часы -драйверы	5 В		2	Не квалифицирован		Фт	Водитель с низким перекосом		8 нс			50pf			6,5 нс			66 МГц	10	3 мкА	500 МВт	3 состояния с серийным резистором				0,064 а				1 нс	CMOS
FN4000157	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1		Масса								2008
FN4420003	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1		Масса								2008
KK3270049	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1		Лента и катушка (TR)								2011 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/pericom-kk3270049-datasheets-1538.pdf
FK3840011	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1		Масса								2008
PI49FCT3805CSE	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1	Поверхностное крепление			85 ° C.	-40 ° C.				ROHS COMPARINT		/files/pericom-pi49fct3805cse-datasheets-7917.pdf	SOIC		7,5 мм		Свободно привести	20	3,6 В.	3В	20		Ear99					2					Двойной	Крыло Печата	НЕ УКАЗАН	3,3 В.		20	Промышленное					НЕ УКАЗАН		Часы -драйверы			2	Не квалифицирован		Фт	Водитель с низким перекосом					50pf			4,5 нс			100 МГц	10		500 МВт	3-штат								0,5 нс	CMOS
FN6400020	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1		Масса								2008
PI49FCT3807AQE	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1	Поверхностное крепление		1	85 ° C.	-40 ° C.				ROHS COMPARINT		/files/pericom-pi49fct3807aqe-datasheets-1282.pdf	QSOP	8,65 мм		3,3 В.	Свободно привести	20	3,6 В.	3В	20	да	Ear99		Нет			1		E3	Матовая олова (SN)		Двойной	Крыло Печата	260	3,3 В.	0,635 мм	20	Промышленное					40	500 МВт	Часы -драйверы			1			Фт	Водитель с низким перекосом		4 нс			50pf			4 нс			66 МГц	10	3 мкА	500 МВт									0,5 нс	CMOS
PI49FCT3807BQE	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1			1			CMOS		1,75 мм	ROHS COMPARINT		/files/pericom-pi49fct3807bqe-datasheets-2372.pdf		8,65 мм	3,9116 мм		Свободно привести	20				да	Ear99			соответствие	8542.39.00.01	1		E3	Матовая олова (SN)	ДА	Двойной	Крыло Печата	260	3,3 В.	0,635 мм	20	Промышленное	85 ° C.	-40 ° C.	3,6 В.	3В	40		Часы -драйверы	3,3 В.			Не квалифицирован	R-PDSO-G20	Фт	Водитель с низким перекосом					50pf											10	Шмитт триггер	110 МГц		3,8 нс	3,8 нс		0,35 нс
JT255CP0026.000000	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1		Лента и катушка (TR)																				Ear99			неизвестный			2,5 мм х 2,0 мм х 0,8 мм			ДА				2,8 В.				85 ° C.	-40 ° C.	2,94 В.	2,66 В.											Обрезанный синус		Поверхностное крепление	0,5%		10000om				26 МГц												НЕТ			0,8 В.
PI49FCT3807QE	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1			1			CMOS		1,75 мм	ROHS COMPARINT		/files/pericom-pi49fct3807qe-datasheets-5417.pdf		8,65 мм	3,9116 мм		Свободно привести	20				да	Ear99			соответствие	8542.39.00.01	1		E3	Матовая олова (SN)	ДА	Двойной	Крыло Печата	260	3,3 В.	0,635 мм	20	Промышленное	85 ° C.	-40 ° C.	3,6 В.	3В	40		Часы -драйверы	3,3 В.			Не квалифицирован	R-PDSO-G20	Фт	Водитель с низким перекосом					50pf							10					Шмитт триггер			4,5 нс	4,5 нс		0,5 нс
FN7500046	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1		Масса							ROHS COMPARINT	2008							4								соответствие						ДА				1,8 В.				70 ° C.	-20 ° C.					Другие генераторы	1,8 В.	20 мА		Не квалифицирован						Поверхностное крепление				166 МГц		1 МГц	75 МГц
PI49FCT805CTQE	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1	Поверхностное крепление		1	85 ° C.	-40 ° C.			1,75 мм	ROHS COMPARINT		/files/pericom-pi49fct805ctqe-datasheets-8760.pdf	SSOP	8,65 мм	3,9 мм		Свободно привести	20	5,25 В.	4,75 В.	20	да	Ear99	Мониторинг вывода для одного банка; Максимальная часть к частичности = 0,7NS				2		E3	Матовая олова (SN)		Двойной	Крыло Печата	260	5 В	0,635 мм	20	Промышленное					40		Часы -драйверы	5 В		2	Не квалифицирован		Фт	Водитель с низким перекосом					50pf			4,5 нс			100 МГц	10		500 МВт	3-штат				0,064 а				0,5 нс	CMOS
Pi49fct806ats	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1	Поверхностное крепление	Железнодорожный/трубка	1	85 ° C.	-40 ° C.		66 МГц		Не совместимый с ROHS		/files/pericom-pi49fct806ats-datasheets-0251.pdf	SOIC		7,5 мм	5 В	Содержит свинец	20	5,25 В.	4,75 В.	20		Ear99	Мониторинг вывода для одного банка; Максимальная часть к частичности = 1ns				2		E0	Олово/свинец (SN/PB)		Двойной	Крыло Печата	240	5 В		20	Промышленное					30	500 МВт	Часы -драйверы	5 В		2	Не квалифицирован		Фт	Водитель с низким перекосом					50pf			8 нс			66 МГц	10	3 мкА		3-штат				0,064 а				0,7 нс	CMOS
FNA000070	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1		Масса							ROHS COMPARINT	2008							4								соответствие						ДА				2,5 В.				70 ° C.	-20 ° C.					Другие генераторы	2,5 В.	35 мА		Не квалифицирован						Поверхностное крепление				166 МГц		1 МГц	100 МГц
FNA620048	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1		Масса							ROHS COMPARINT	2008							4								соответствие						ДА				2,5 В.				70 ° C.	-20 ° C.					Другие генераторы	2,5 В.	35 мА		Не квалифицирован						Поверхностное крепление				166 МГц		1 МГц	106,25 МГц
FNB000003	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1		Масса								2008
FNC500128	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1		Масса							ROHS COMPARINT	2008							4								соответствие						ДА				2,5 В.				70 ° C.	-20 ° C.					Другие генераторы	2,5 В.	35 мА		Не квалифицирован						Поверхностное крепление				166 МГц		1 МГц	125 МГц
FNC500135	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1		Масса				CMOS			ROHS COMPARINT	2008							4								соответствие						ДА				1,8 В.				70 ° C.						Другие генераторы	1,8 В.	10 мА		Не квалифицирован						Поверхностное крепление				100 МГц		1,544 МГц	125,004 МГц
FND300020	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1		Масса							ROHS COMPARINT	2008							4								соответствие						ДА				3,3 В.				85 ° C.	-40 ° C.					Другие генераторы	3,3 В.	55 мА		Не квалифицирован						Поверхностное крепление				166 МГц		1 МГц	133 МГц
LDA620002	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1		Масса							ROHS COMPARINT	2016							6								соответствие						ДА				2,5 В.				70 ° C.	-20 ° C.					Другие генераторы	2,5 В.	47 мА		Не квалифицирован						Поверхностное крепление				162 МГц		38,88 МГц	106,25 МГц
PI6C2972FCE	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1	Поверхностное крепление		3 (168 часов)	70 ° C.	0 ° C.				ROHS COMPARINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/pericom-pi6c2972fce-datasheets-4024.pdf	LQFP			3,3 В.	Свободно привести	52	3.465V	3.135V	52		Ear99					1		E3	Матовая олова (787)		Квадратный	Крыло Печата	260	3,3 В.	0,65 мм	52	Коммерческий					40					1	Не квалифицирован		6C	Драйвер на основе PLL на основе PLL											125 МГц				3-штат	12					0,53 нс		0,55 нс	Кристалл
LDF620003	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1		Масса							ROHS COMPARINT	2016							6								соответствие						ДА				2,5 В.				70 ° C.	-20 ° C.					Другие генераторы	2,5 В.	47 мА		Не квалифицирован						Поверхностное крепление				162 МГц		38,88 МГц	156,25 МГц
PB5000008	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1		Масса							ROHS COMPARINT	2008							6								соответствие						ДА				2,5 В.				85 ° C.	-40 ° C.					Другие генераторы	2,5 В.	88 мА		Не квалифицирован						Поверхностное крепление				162 МГц		38,88 МГц	50 МГц
PI90LV14QE	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1	Поверхностное крепление			85 ° C.	-40 ° C.				ROHS COMPARINT		/files/pericom-pi90lv14qe-datasheets-9736.pdf	SSOP	8,65 мм			Свободно привести	20			20	да	Ear99					1					Двойной	Крыло Печата	НЕ УКАЗАН	3,3 В.	0,635 мм	20	Промышленное					НЕ УКАЗАН					1	Не квалифицирован		90LV	Водитель с низким перекосом											250 МГц				3-штат	5					4 нс			Lvttl
PI90LVT211QE	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1	Поверхностное крепление		1	85 ° C.	-40 ° C.				ROHS COMPARINT			QSOP	9.9065 мм	3,9 мм		Свободно привести	28			28	да	Ear99					1		E3	Матовая олова		Двойной	Крыло Печата	260	3,3 В.	0,635 мм	28	Промышленное					40		Часы -драйверы	3,3 В.		1	Не квалифицирован		90LV	Водитель с низким перекосом											250 МГц				3-штат	6				3,6 нс	3,4 нс			Ттл
PBF620010	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1		Масса							ROHS COMPARINT	2008							6								соответствие						ДА				3,3 В.				70 ° C.	-20 ° C.					Другие генераторы	3,3 В.	88 мА		Не квалифицирован						Поверхностное крепление				162 МГц		38,88 МГц	156,25 МГц
PD6250003	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1		Масса							ROHS COMPARINT	2016							6								соответствие						ДА				3,3 В.				70 ° C.	-20 ° C.					Другие генераторы	3,3 В.	88 мА		Не квалифицирован						Поверхностное крепление				162 МГц		38,88 МГц	62,5 МГц
PI49FCT3803QE	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ Мин: 1 Mult: 1	Поверхностное крепление		1	85 ° C.	0 ° C.				ROHS COMPARINT			QSOP	4,9 мм	3,9 мм	3,3 В.	Свободно привести	16	3,6 В.	3В	16		Ear99					1		E3			Двойной	Крыло Печата	260	3,3 В.	0,635 мм	16	Коммерческий					40	500 МВт	Часы -драйверы			1	Не квалифицирован		Фт	Водитель с низким перекосом		2,5 нс						2,5 нс			156 МГц	7	100NA	500 МВт									0,25 нс	CMOS

Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated) (2970)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии