Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Устанавливать | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Завершение | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Диаметр | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Количество терминаций | Время выполнения завода | Достичь SVHC | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Количество булавок | Свинцовый шаг | Код ECCN | Номинальное входное напряжение | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Терпимость | Полярность | Напряжение | Поверхностное крепление | Терминальная позиция | Терминальная форма | Терминал | Подсчет штифтов | Точность | Подкатегория | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Мин входное напряжение | Мин выходной напряжение | Отметное напряжение | Вывод типа | Конфигурация | Коэффициент отклонения источника питания (PSRR) | Номинальное выходное напряжение | Количество выходов | Крыжительный ток | Сторожевой таймер | Выходное напряжение 1 | Диод тип | Напряжение - выход | Обратное напряжение1-ном | Точность выходного напряжения | Нагрузка по регулированию-макс (%) | Линейный регулирование-макс (%/v) | Регулируемость | Ток - выход | Вывод Current1-Max | Рабочая температура TJ-MAX | Рабочая температура TJ-Min | Расстояние между рядами - спаривание | Eccn (США) | Минимальная рабочая температура (° C) | Максимальная рабочая температура (° C) | Стандартное имя пакета | Пакет поставщиков | Монтаж | Высота упаковки | Длина упаковки | Ширина упаковки | Печата изменилась | Минимальное напряжение рабочего питания (v) | Максимальное напряжение работы питания (V) | Типичное напряжение рабочего питания (V) | Уровень температуры поставщика | HTS | Форма свинца | Максимальная рассеяние мощности (МВт) | Военный | Максимальное обратное напряжение постоянного тока (V) | Пиковое обратное повторяющееся напряжение (V) | Максимальный непрерывный форвардный ток (а) | Пик невторивный ток всплеска (а) | Пиковое прямое напряжение (V) | Пик обратный ток (UA) | Пиковое время восстановления (нс) | Вкладка | Максимальное сопротивление атмосферного сопротивления | Максимальное среднеквадратичное обратное напряжение (V) | Квалифицированный номер AEC | Ручное сброс | Тип моста | Пик среднего тока вперед (а) | Пиковое среднеквадратичное обратное напряжение (V) | Пик нерепетитивный переход первого перерыва (а) | Количество руководителей | Максимальное сброс активного времени (MS) | Выходной драйвер | Минимальное пороговое напряжение сброса (V) | Типичное пороговое напряжение сброса (V) | Максимальное пороговое напряжение сброса (V) | Контролируемое напряжение (v) | Максимальный ток снабжения (UA) | Обнаружение сбоя энергии | Чип включает сигналы | Переключение резервного копирования батареи | AEC квалифицирован |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SS110 F2 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ss115hr3-datasheets-9336.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | DO-214-AC | Сма | Поверхностное крепление | 2.3 (макс) | 4.6 (макс) | 2.83 (макс) | 2 | 8541.10.00.80 | Внутренний L-лид | Нет | 100 | 1 | 40 | 0,8 | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1n4148w-g rb | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Диод небольшого переключения сигналов | Лента и катушка | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-1n4148wgrb-datasheets-1872.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -65 | 150 | SOD-123 | SOD-123 | Поверхностное крепление | 1,35 (макс) | 2.85 (макс) | 1.8 (макс) | 2 | 350 | Нет | 100 | 100 | 0,15 | 2 | 1.25 | 2.5@75V | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TSS4B04G D2 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Трубка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-tss4b01gc2-datasheets-4933.pdf | 4 | Одинокий | Ультра быстрого восстановления выпрямитель | Ear99 | -55 | 150 | TS4B | TS4B | Через дыру | 15.3 (макс) | 25,3 (макс) | 3.7 (макс) | 4 | Нет | 400 | 1.3 | 5 | 50 | Одиночная фаза | 4 | 280 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HERF1008G C0 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Трубка | Да с исключениями | /files/taiwansemiconductor-herf1005gc0-datasheets-6292.pdf | 3 | Двойной общий катод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MBRS1535CT RN | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-mbrs1545cthrn-datasheets-8557.pdf | 3 | Двойной общий катод | Ear99 | -55 | 150 | До 263 | D2Pak | Поверхностное крепление | 4.7 (макс) | 10.5 (макс) | 9.25 (макс) | 2 | Чайка | Нет | 35 | 35 | 15 | 150 | 0,84 | 100 | Вкладка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RS3M R7 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-rs3br6-datasheets-9475.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | DO-214-AB | SMC | Поверхностное крепление | 2.42 (макс) | 7.11 (макс) | 6.22 (макс) | 2 | Внутренний L-лид | Нет | 1000 | 1000 | 3 | 100 | 1.3 | 10 | 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TS824CX5A RF | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лента и катушка | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ts823cx5arf-datasheets-5431.pdf | 5 | Да | Ear99 | -40 | 125 | SOT-23 | SOT-25 | Поверхностное крепление | 3.1 (макс) | 1.8 (макс) | 5 | 1 | 5.5 | 5 | Автомобиль | Чайка | Да | 1 | 280 | Активный высокий/активный низкий | 4.56 | 4.63 | 4.7 | 5 | 3.3 | 3 | 10 | Нет | Нет | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SK53CHR7 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-sk56chr7-datasheets-3957.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MBR1535CT C0 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Трубка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-mbr1545ctc0-datasheets-1296.pdf | 3 | Двойной общий катод | Ear99 | -55 | 150 | До-220 | До-220AB | Через дыру | 8.24 (макс) | 10.5 (макс) | 4.7 (макс) | 3 | Через дыру | Нет | 35 | 35 | 15 | 150 | 0,84 | 500 | Вкладка | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HS1GLWHRQG | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-s1jlwrqg-datasheets-9413.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 175 | SOD-123W | Поверхностное крепление | 0,92 (макс) | 2.9 (макс) | 1.9 (макс) | 2 | Автомобиль | Нет | 400 | 400 | 1 | 30 | 1.3 | 1 | 50 | AEC-Q101 | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SFA1006G C0 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Трубка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-sfa1008gc0-datasheets-2355.pdf | 2 | Одинокий | -65 | 150 | До-220AC | Через дыру | 8.24 (макс) | 10.5 (макс) | 4.7 (макс) | 2 | Нет | 400 | 400 | 10 | 125 | 1.3 | 10 | 35 | Вкладка | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SRAF540 C0 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Трубка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-sraf530c0-datasheets-2345.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -65 | 150 | До-220 | Ито-220AC | Через дыру | 15,5 (макс) | 10.3 (макс) | 4.7 (макс) | 2 | Через дыру | Нет | 40 | 40 | 5 | 120 | 0,55 | 500 | Вкладка | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HS1F R2 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-hs1mf3-datasheets-3438.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SS215L RQ | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ss22lrq-datasheets-2267.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RS2AA R2 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-rs2kar2-datasheets-9298.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | DO-214-AC | Сма | Поверхностное крепление | 2.3 (макс) | 4.6 (макс) | 2.83 (макс) | 2 | Внутренний L-лид | Нет | 50 | 50 | 1.5 | 50 | 1.3 | 5 | 150 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DBLS157G-T RDG | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-dbls156gtrdg-datasheets-6494.pdf | 4 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | DBLS | Поверхностное крепление | 2.6 (макс) | 8.51 (макс) | 6,5 (макс) | 4 | 8541.10.00.80 | Нет | 1000 | 1.1 | 2 | Одиночная фаза | 1.5 | 700 | 50 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SR3050PT C0 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Трубка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-sr3040pthc0-datasheets-4384.pdf | 3 | Двойной общий катод | Ear99 | -55 | 150 | До 3p | До 3p | Через дыру | 21,3 (макс) | 16.4 (макс) | 5.16 (макс) | 3 | Через дыру | Нет | 50 | 50 | 30 | 300 | 0,7@15a | 1000 | Вкладка | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TS5205CX5 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Биполярный | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ts5205cx5-datasheets-9071.pdf | 5 | ДА | Двойной | Крыло Печата | 0,95 мм | Другие регуляторы | Не квалифицирован | R-PDSO-G5 | 0,165 В. | 0,2% | 0,036 | Регулируемый | 0,15а | 125 ° C. | -40 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TS7805CZ | Тайвань полупроводник | $ 0,25 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 125 ° C. | -20 ° C. | ROHS COMPARINT | 2004 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ts7805cz-datasheets-5853.pdf | До-220 | 5 недель | Нет SVHC | 3 | 35 В. | 35 В. | Положительный | 4 % | 5,2 В. | 0 В | 4,8 В. | 2 В | Зафиксированный | 78 дБ | 5 В | 1 | 8 мА | 5,2 В. | 1A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TS78L09CS | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Вырезать ленту | 1 (неограниченный) | SMD/SMT | 125 ° C. | 0 ° C. | Биполярный | ROHS COMPARINT | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ts78l09cs-datasheets-3828.pdf | Соп | 6,2 мм | 8 | Нет SVHC | 23V | 11,5 В. | 8 | 1,27 мм | 35 В. | 35 В. | Положительный | 9 В | ДА | Двойной | Крыло Печата | Другие регуляторы | Не квалифицирован | 100 мА | 9.36V | 35 В. | 2 В | Зафиксированный | 9 В | 1 | 9 В | 9.36V | 1,7 В. | 0,09% | 100 мА | 6,2 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TS2937CW-5,0RP | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | Поверхностное крепление | Вырезать ленту | 3 (168 часов) | SMD/SMT | 85 ° C. | -20 ° C. | ROHS COMPARINT | SOT-223 | 6,5 мм | 6,85 мм | 3 | Нет SVHC | 26 В | 6 В | 3 | 2,35 мм | Ear99 | 26 В | 1 | 26 В | Положительный | 5 В | Двойной | Крыло Печата | 500 мА | 5 В | -18V | 600 мВ | Зафиксированный | 5 В | 1 | 5 В | 5 В | 2 % | 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TS79L05CSRL | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | Поверхностное крепление | 125 ° C. | 0 ° C. | ROHS COMPARINT | Соп | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 8 | -35V | 4% | Отрицательный | 4 % | 100 мА | 1,7 В. | Зафиксированный | 1 | 6ma | -5V | 4 % | 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SR502 R0 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-sr503b0g-datasheets-4149.pdf | 5.6 (макс) | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 125 | DO-201-AD | Do-201ad | Через дыру | 9,5 (макс) | 2 | Через дыру | Нет | 20 | 20 | 5 | 120 | 0,55 | 500 | 35 ° C/W (тип) | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SS15 R2 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ss115hr3-datasheets-9336.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | DO-214-AC | Сма | Поверхностное крепление | 2.3 (макс) | 4.6 (макс) | 2.83 (макс) | 2 | 8541.10.00.80 | Внутренний L-лид | Нет | 50 | 1 | 40 | 0,75 | 200 | 88 ° C/W (тип) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SK29A R2 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Лента и катушка | Да с исключениями | /files/taiwansemiconductor-sk24ae3g-datasheets-2321.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SS210L R2G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шоттский диод | Лента и катушка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ss22lrq-datasheets-2267.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | DO-219-AA | Субма | Поверхностное крепление | 1.33 (макс) | 2.9 (макс) | 1.9 (макс) | 2 | 8541.10.00.80 | Плоский | Нет | 100 | 100 | 2 | 50 | 0,85 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TS3809CXC RF | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лента и катушка | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-ts3809cxbrf-datasheets-9058.pdf | 3 | Нет | Ear99 | -40 | 85 | SOT-23 | SOT-23 | Поверхностное крепление | 1.25 (макс) | 3.1 (макс) | 1.8 (макс) | 3 | 1 | 6 | Чайка | Нет | 1 | 260 | Активный низкий/толчок | 3.92 | 4 | 4.08 | 3 | 5 | 3.3 | 35 | Нет | Нет | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BAT54CD RFG | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Небольшой сигнал Шоттки Диод | Лента и катушка | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-bat54cdrfg-datasheets-0231.pdf | 6 | Двойной двойной общий катод | Ear99 | -65 | 150 | SOT-26 | SOT-363 | Поверхностное крепление | 1.1 (макс) | 2 (макс) | 1,35 (макс) | 6 | 8541.10.00.80 | Чайка | 200 | Нет | 30 | 30 | 0,2 | 0,6 | [Электронная почта защищена] | 2@25 В. | 5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GBU407 C2 | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Трубка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-gbu401d2-datasheets-3872.pdf | 4 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | Дело GBU | Дело GBU | Через дыру | 18,8 (макс) | 22.3 (макс) | 3.56 (макс) | 4 | 8541.10.00.80 | Нет | 1000 | 1.1 | 5 | Одиночная фаза | 4 | 700 | 150 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HER1006GHC0G | Тайвань полупроводник | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Переключение диода | Трубка | Да с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-her1004ghc0g-datasheets-4365.pdf | 3 | Двойной общий катод | Ear99 | -55 | 150 | До-220AB | Через дыру | 8.24 (макс) | 10.5 (макс) | 4.7 (макс) | 3 | Автомобиль | Нет | 600 | 600 | 10 | 125 | 1.7 | 10 | 80 | Вкладка | AEC-Q101 |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.