Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактAEM (78)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Ряд | Завершение | Статус ROHS | Саморезонаторная частота | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Масса | Код ECCN | HTS -код | Метод упаковки | Терпимость | Рабочая температура (макс) | Рабочая температура (мин) | Строительство | Индуктивность | Основной материал | Тип индуктора | Минь качества (в L-NOM) | MAX DC Current | Сопротивление постоянного тока (DCR) - параллельно | Индуктивность-нома (l) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MHI0603C6N8JT-T | Аэм | Мин: 1 Mult: 1 | SMD/SMT | ROHS COMPARINT | 0603 | 1,6 мм | 800 мкм | 800 мкм | 2.012816 мг | Ear99 | 8504.50.80.00 | 5% | 6,8 нх | 600 мА | 250 мох | |||||||||||||||
| MHI0402C12NJT-T | Аэм | Мин: 1 Mult: 1 | MHI | SMD/SMT | ROHS COMPARINT | 2600 МГц | 0402 | 1 мм | 500 мкм | 500 мкм | 652,039032 мкг | Ear99 | 8504.50.80.00 | Трэнд | 5% | 125 ° C. | -40 ° C. | Многослойный чип | 12 нх | Керамика | Индуктор общего назначения | 8 | 300 мА | 500 мох | 0,012 мкм | |||||
| MHI0603C8N2JT-T | Аэм | Мин: 1 Mult: 1 | SMD/SMT | ROHS COMPARINT | 0603 | 1,6 мм | 800 мкм | 800 мкм | 2.012816 мг | Ear99 | 8504.50.80.00 | 5% | 8.2 NH | 600 мА | 280mohm | |||||||||||||||
| MHI0402C3N9ST-T | Аэм | Мин: 1 Mult: 1 | MHI | SMD/SMT | ROHS COMPARINT | 4000 МГц | 0402 | 1 мм | 500 мкм | 500 мкм | 652,039032 мкг | Ear99 | 8504.50.80.00 | Трэнд | 125 ° C. | -40 ° C. | Многослойный чип | 3.9 нх | Керамика | Индуктор общего назначения | 8 | 300 мА | 220MOM | 0,0039 мкл | ||||||
| MHI0603C47NJT-T | Аэм | Мин: 1 Mult: 1 | SMD/SMT | ROHS COMPARINT | 0603 | 1,6 мм | 800 мкм | 800 мкм | 2.012816 мг | Ear99 | 8504.50.80.00 | 5% | 47 NH | 500 мА | 700 мох | |||||||||||||||
| MHI0402C5N6ST-T | Аэм | Мин: 1 Mult: 1 | MHI | SMD/SMT | ROHS COMPARINT | 4000 МГц | 0402 | 1 мм | 500 мкм | 500 мкм | 652,039032 мкг | Ear99 | 8504.50.80.00 | Трэнд | 125 ° C. | -40 ° C. | Многослойный чип | 5,6 нх | Керамика | Индуктор общего назначения | 8 | 300 мА | 270mohm | 0,0056 мкл | ||||||
| MHI0603C56NJT-T | Аэм | Мин: 1 Mult: 1 | MHI | SMD/SMT | ROHS COMPARINT | 700 МГц | 0603 | 1,6 мм | 800 мкм | 800 мкм | 2.012816 мг | Ear99 | 8504.50.80.00 | Трэнд | 5% | 125 ° C. | -40 ° C. | Многослойный чип | 56 NH | Керамика | Индуктор общего назначения | 12 | 500 мА | 750 мох | 0,056 мкл | |||||
| MHI0402CR10JT-T | Аэм | Мин: 1 Mult: 1 | SMD/SMT | ROHS COMPARINT | 0402 | 1 мм | 500 мкм | 500 мкм | 652,039032 мкг | Ear99 | 8504.50.80.00 | 5% | 100 нх | 100 мА | 1,6 Ом | |||||||||||||||
| MHI0603C68NJT-T | Аэм | Мин: 1 Mult: 1 | MHI | SMD/SMT | ROHS COMPARINT | 650 МГц | 0603 | 1,6 мм | 800 мкм | 800 мкм | 2.012816 мг | Ear99 | 8504.50.80.00 | Трэнд | 5% | 125 ° C. | -40 ° C. | Многослойный чип | 68 NH | Керамика | Индуктор общего назначения | 12 | 400 мА | 800 мох | 0,068 мкл |
