Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактКри/Волчья скорость(1300)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Технология | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Емкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | ECCN-код | Радиационная закалка | Код HTS | Оценочный комплект | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Терминальная форма | Базовый номер детали | Количество контактов | Тип РФ | Количество каналов | Конфигурация элемента | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Частота испытаний | Входная емкость | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Включить время задержки | Максимальный импульсный ток | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальный обратный ток утечки | P1дБ | Соединение корпуса | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Функция | Приложение | Пороговое напряжение | Скорость | Мощность — Выход | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Текущий рейтинг (А) | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратное время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Количество фаз | Текущий — Тест | Используемая микросхема/деталь | Снижение сопротивления до источника | Емкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Первичные атрибуты | Поставляемый контент | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода | Тип транзистора | Напряжение – Тест | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PXAE183708NB-V1-R2 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 65В | 1,805–1,88 ГГц | PG-HB2SOF-8-1 | 16 дБ | PG-HB2SOF-8-1 | 320 Вт | 10 мкА | 800мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFB192503FL-V2-R250 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 65В | 1,99 ГГц | Соответствует RoHS | Н-34288-4/2 | 19 дБ | Н-34288-4/2 | 50 Вт | 1,9 А | ЛДМОС | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTVA082407NF-V1-R5 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 105В | 746–821 МГц | Соответствует RoHS | HBSOF-4-1 | 12 недель | 20,5 дБ | PG-HBSOF-4-1 | 225 Вт | 10 мкА | 900 мА | ЛДМОС | 48В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGH27015P | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГаН | 84В | 2,3 ГГц~2,9 ГГц | 440196 | 15 дБ | 440196 | 15 Вт | 100 мА | ХЕМТ | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CCS050M12CM2 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Z-FET™ Z-Rec™ | Крепление на шасси, винт | Крепление на шасси | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2013 год | Модуль | 17,5 мм | 19 недель | Неизвестный | 28 | Нет | 337 Вт | 6 | 312 Вт | 6 | 150°С | Модуль | 2,81 нФ | 21 нс | 19нс | 30 нс | 50 нс | 87А | 25 В | 1200В 1,2кВ | 2,3 В | 337 Вт | 1,2 кВ | 25мОм | 1,2 кВ | 6 N-каналов (3-фазный мост) | 2,810 нФ при 800 В | 34 мОм при 50 А, 20 В | 2,3 В @ 2,5 мА | 87А Тц | 180 нК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | 34 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3M0280090J-TR | Кри/Вулфспид | $5,19 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | C3M™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует RoHS | 2015 год | ТО-263-8, Д2Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА | 26 недель | Д2ПАК-7 | 900В | 50 Вт Тс | N-канал | 150пФ при 600В | 360 мОм при 7,5 А, 15 В | 3,5 В @ 1,2 мА | 11А Тс | 9,5 нК при 15 В | 15 В | +18В, -8В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGD15HB62LP | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | Непригодный | Соответствует RoHS | 2016 год | 26 недель | Да | Водитель ворот | КАС325М12ХМ2 | 2-канальный (двойной) | Частично заполненные платы — основная микросхема не входит в комплект | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PXAC241002FC-V1-R0 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 12 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTVA047002EV-V1-R250 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 12 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3M0065100K | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | C3M™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | 150°С | -55°С | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует RoHS | 2016 год | ТО-247-4 | 5,21 мм | 16 недель | 1 | 113,5 Вт | 150°С | ТО-247-4Л | 20 нс | 19 нс | 35А | 1000В | 113,5 Вт Тс | 65мОм | 1кВ | N-канал | 660пФ при 600В | 78 мОм при 20 А, 15 В | 3,5 В @ 5 мА | 35А Тс | 35 нК при 15 В | 15 В | +19В, -8В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPA0527005F | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Фланцевое крепление | 1 (без ограничений) | 500 МГц~2,7 ГГц | Соответствует RoHS | 440221 | 8 недель | 50В | Общего назначения | 19,5 дБ | 440221 | 2,7 ГГц | 39,5 дБм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПТМА180402М-В1 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 1,8 ГГц~2,1 ГГц | Соответствует RoHS | 20-SOIC (0,433, ширина 11,00 мм) Открытая площадка | 12 недель | 30 дБ | ПГ-ДСО-20-63 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGHV1F006S-AMP3 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ХЕМТ | 1 (без ограничений) | 0 Гц~18 ГГц | Соответствует RoHS | 8 недель | Да | Частично заполненная плата — основная микросхема не входит в комплект | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGH40025F-AMP | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGHV96050F2-ТБ | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | полевой транзистор | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | 8,4 ГГц~9,6 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | 12 недель | Да | Частично заполненная плата — основная микросхема не входит в комплект | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CG2H30070F-AMP2 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ХЕМТ | ГаН | 1 (без ограничений) | 500 МГц~3 ГГц | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGH21240F-AMP | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGHV40100F-AMP | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C2D20120D | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Нулевое восстановление™ | Радиальное, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | 1,2 кВ | 20А | ТО-247-3 | 1нФ | 16,03 мм | 21,082 мм | 5,156 мм | Без свинца | 5 недель | Неизвестный | 3 | Нет | Стандартный | 138 Вт | Общий катод | ТО-247-3 | 20А | 20А | 3В | 65А | 200 мкА | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 250А | 1 мА | 1,2 кВ | 250А | 0 с | Карбид кремния Шоттки | 1,2 кВ | 22А | 1200В | 200 мкА при 1200 В | 1,8 В @ 10 А | 22А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD01060E | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Нулевое восстановление™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | 600В | 1А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 80пФ | Без свинца | 6 недель | Неизвестный | 2 | Нет | Стандартный | 21,4 Вт | CSD01060 | Одинокий | 1А | 1А | 1,8 В | 32А | 100 мкА | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 600В | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 600В | 1А | 80пФ @ 0В 1МГц | 100 мкА при 600 В | 1,8 В при 1 А | 4А постоянного тока | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3D03060E | Кри/Вулфспид | $2,08 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Z-Rec® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | Сквозное отверстие | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 7,34 мм | 2,388 мм | 7,518 мм | 6 недель | Неизвестный | 3 | Нет | 53 Вт | Одинокий | ТО-252-2 | 3А | 1,7 В | 100А | 50 мкА | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 100А | 100 мкА | 600В | 100А | 0 с | Карбид кремния Шоттки | 600В | 3А | 155пФ при 0 В 1 МГц | 600В | 50 мкА при 600 В | 1,7 В при 3 А | 11А постоянного тока | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C5D25170H | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Z-Rec® | Сквозное отверстие | Непригодный | ТО-247-2 | 11 недель | ТО-247-2 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1950 пФ при 0 В 1 МГц | 1700В | 200 мкА при 1700 В | 1,8 В при 25 А | 70А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3D06060G-TR | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Z-Rec® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2013 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 7 недель | Нет | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | Карбид кремния Шоттки | 295пФ при 0 В 1 МГц | 600В | 50 мкА при 600 В | 1,7 В при 6 А | 19А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C2D05120E-TR | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Нулевое восстановление™ | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/creewolfspeed-c2d05120e-datasheets-4345.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 5 недель | ТО-252-2 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 455пФ при 0 В 1 МГц | 1200В | 200 мкА при 1200 В | 1,8 В при 5 А | 17,5 А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD10060G | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/creewolfspeed-csd10060a-datasheets-4601.pdf | 600В | 10А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 550пФ | Без свинца | 2 | 3 | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | Стандартный | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 10А | 16,5А | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 200 мкА | 600В | 77А | 0 с | Карбид кремния Шоттки | 600В | 16,5А | 1 | 550пФ при 0 В 1 МГц | 200 мкА при 600 В | 1,8 В @ 10 А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GTRA262802FC-V2-R0 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГаН | 125 В | 2,49–2,69 ГГц | H-37248C-4 | 14 дБ | H-37248C-4 | 250 Вт | 200 мА | ХЕМТ | 48В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFC262808FV-V1-R250 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTVA123501FC-V1-R250 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 12 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GTRA362802FC-V1-R2 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГаН | 125 В | 3,4 ГГц~3,6 ГГц | H-37248C-4 | 13,5 дБ | H-37248C-4 | 280 Вт | 200 мА | ХЕМТ | 48В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PXAC260602FC-V1 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | 2,69 ГГц | Соответствует RoHS | Н-37248-4 | 15,7 дБ | Н-37248-4 | 5 Вт | 85 мА | ЛДМОС | 28В |
