+86 19168759373 info@chipsmt.ru

Thin Film Tech (46)

Имя	Производитель	Количество	Опубликовано	Количество терминаций	Код ECCN	HTS -код	Количество функций	Форма терминала	Терпимость	Код случая (метрика)	Поверхностное крепление	Частота теста	Индуктивность	Сопротивление постоянного тока (DCR)	Форма/Описание размера	Экранирование	Приложение индуктора	Расположение терминала	Тип индуктора	Специальная функция	Минь качества (в L-NOM)	Оценка тока-макса	Индуктивность-нома (l)
TFL08164N7	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1	2003	2			1	Обертывание		0603	ДА	300 МГц	4,7 нх	0,5 Ом	Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения	Допустимость индуктивности составляет 0,2 Нано Генри	20	0,4а	0,0047 мкл
TFL051022N	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1		2			1	Обертывание	3%	0402	ДА	300 МГц	22 NH		Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения		10		0,022 мкм
TFL081656N	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1	2003	2			1	Обертывание	2%	0603	ДА	200 МГц	56 NH		Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения		15		0,056 мкл
TFL051027N	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1		2			1	Обертывание	3%	0402	ДА	300 МГц	27 нх	2,7 Ом	Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения		10	0,15а	0,027 мкл
TFL05102N2	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1		2			1	Обертывание		0402	ДА	300 МГц	2.2 NH		Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения	Допустимость индуктивности составляет 0,2 Нано Генри	10		0,0022 мкм
TFL05102N7	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1		2			1	Обертывание		0402	ДА	300 МГц	2,7 нх		Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения	Допустимость индуктивности составляет 0,2 Нано Генри	10		0,0027 мкм
TFL051033N	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1		2			1	Обертывание	3%	0402	ДА	200 МГц	33 NH	3,6 Ом	Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения		10	0,13а	0,033 мкм
TFL051039N	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1		2			1	Обертывание	3%	0402	ДА	200 МГц	39 NH	4 Ом	Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения		10	0,12а	0,039 мкм
TFL05103N9	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1		2			1	Обертывание		0402	ДА	300 МГц	3.9 нх		Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения	Допустимость индуктивности составляет 0,2 Нано Генри	10		0,0039 мкл
TFL05104N7	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1		2	Ear99	8504.50.80.00	1	Обертывание	4,256%	0402	ДА	300 МГц	4,7 нх		Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения	Допустимость индуктивности составляет 0,2 Нано Генри	10		0,0047 мкл
TFL05105N6	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1		2			1	Обертывание		0402	ДА	300 МГц	5,6 нх		Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения	Допустимость индуктивности составляет 0,2 Нано Генри	10		0,0056 мкл
TFL05106N8	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1		2			1	Обертывание		0402	ДА	300 МГц	6,8 нх		Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения	Допустимость индуктивности составляет 0,2 Нано Генри	10		0,0068 мкл
TFL05108N2	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1		2			1	Обертывание		0402	ДА	300 МГц	8.2 NH	1,3 Ом	Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения	Допустимость индуктивности составляет 0,2 Нано Генри	10	0,23а	0,0082 мкл
TFL051010N	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1		2			1	Обертывание	2%	0402	ДА	300 МГц	10 нх	1,5 Ом	Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения		10	0,21а	0,01 мкл
TFL081615N	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1	2003	2			1	Обертывание	2%	0603	ДА	300 МГц	15 нх		Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения		15		0,015 мкм
TFL051012N	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1		2			1	Обертывание	2%	0402	ДА	300 МГц	12 нх		Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения		10		0,012 мкм
TFL08161N2	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1	2003	2			1	Обертывание		0603	ДА	300 МГц	1.2 NH		Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения	Допустимость индуктивности составляет 0,2 Нано Генри	20		0,0012 мкл
TFL051018N	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1		2			1	Обертывание	3%	0402	ДА	300 МГц	18 нх	2,55 дюйма	Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения		10	0,16а	0,018 мкм
TFL08161N5	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1	2003	2			1	Обертывание		0603	ДА	300 МГц	1,5 нх		Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения	Допустимость индуктивности составляет 0,2 Нано Генри	20		0,0015 мкм
TFL05101N0	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1		2			1	Обертывание		0402	ДА	300 МГц	1 нх	1 Ом	Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения	Допустимость индуктивности составляет 0,2 Нано Генри	10	1.2a	0,001 мкл
TFL081627N	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1	2003	2			1	Обертывание	2%	0603	ДА	300 МГц	27 нх	2 Ом	Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения		15	0,2а	0,027 мкл
TFL05101N8	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1		2			1	Обертывание		0402	ДА	300 МГц	1,8 нх		Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения	Допустимость индуктивности составляет 0,2 Нано Генри	10		0,0018 мкл
TFL08163N9	Тонкая пленочная технология	RFQ Мин: 1 Mult: 1	2003	2			1	Обертывание		0603	ДА	300 МГц	3.9 нх		Прямоугольный пакет	НЕТ	РФ индуктор	Двойной конец	Индуктор общего назначения	Допустимость индуктивности составляет 0,2 Нано Генри	20		0,0039 мкл