+86 19168759373 info@chipsmt.ru

Renesas Electronics Corp (24)

Имя	Производитель	Цены (доллар)	Количество	Технология	Операционный режим	Статус ROHS	Длина	Ширина	Время выполнения завода	PBFREE CODE	Код ECCN	Дополнительная функция	Достичь кода соответствия	HTS -код	Количество функций	Код JESD-609	Терминальная отделка	Поверхностное крепление	Терминальная позиция	Терминальная форма	Пиковая температура отвоз (CEL)	Напряжение снабжения	Терминал	Подсчет штифтов	Температура	Рабочая температура (макс)	Рабочая температура (мин)	Поставка напряжения-макс (VSUP)	Поставка напряжения мимин (VSUP)	Строительство	RF/Микроволновый тип устройства	Входная мощность MAX (CW)	Характерный импеданс	Время@Пиковой температуру (я)	Количество элементов	Подкатегория	Питания	Поставьте ток-макс	Квалификационный статус	Код JESD-30	Номер в/вывода	Оптоэлектронный тип устройства	Вперед тока-макс	Изоляция напряжения-макс	Монтажная функция	Потеря вставки (макс)	Рабочая частота-макс	Материал транзистора	Конфигурация	Случайный соединение	Приложение транзистора	Полярность/Тип канала	Power Dissipation-Max (ABS)	Коллекционер ток-макс (IC)	Коллекционер-эмиттер-напряжение-макс	Эксплуатационная частота	DS Breakdown Trastage-Min	Технология FET	Скорость	UPS/UCS/Периферический тип ICS	Размер бита	Имеет АЦП	Каналы DMA	ШИМ каналы	Каналы ЦАП	ПЗУ программируемость	Семья процессоров	Самая высокая частотная полоса	Коэффициент передачи тока	Coll-EMTR BKDN VOLTAGE-MIN	DC ток-увеличение (HFE)	ОЗУ (байты)	Тактовая частота	Адреса ширины шины	Ширина внешней шины	Дренажный ток-ток (ABS) (ID)	Дренажный источник на сопротивлении-макс	Темный ток-макс	Изоляция мин	Мощность мощности (GP)	Коллекционер-базовая емкость-макс	Количество терминалов	Сидящий высота-макс
UPD720102F1-CA7-A	Renesas Electronics Corp		RFQ Мин: 1 Mult: 1	CMOS		ROHS COMPARINT	8 мм	8 мм			3A001.A.3		соответствие	8542.31.00.01				ДА	НИЖНИЙ	МЯЧ		3,3 В.	0,65 мм	121	ДРУГОЙ	70 ° C.	-20 ° C.	3.465V	3.135V											S-PBGA-B121																				Контроллер шины, универсальный серийный автобус													48 МГц	32	32							121	1,09 мм
UPC3223TB-E3-A	Renesas Electronics Corp		RFQ Мин: 1 Mult: 1	Биполярный		ROHS COMPARINT				да			соответствие		1			ДА								85 ° C.	-40 ° C.									РФ/микроволновые усилители	5 В	24ma							Поверхностное крепление																																					6
PS2581AL2-E3-A	Renesas Electronics Corp	$ 0,80	RFQ Мин: 1 Mult: 1			ROHS COMPARINT			[объект объекта]	да		Одобрен UL, одобрен VDE		8541.40.80.00												100 ° C.	-55 ° C.								1							Транзистор выходной оптокуплер	0,03а	5000 В.					ОДИНОКИЙ																				50%	70В								100NA
HD6417615Arf	Renesas Electronics Corp	$ 33,79	RFQ Мин: 1 Mult: 1	CMOS			28 мм	28 мм			3A991.A.2			8542.31.00.01				ДА	Квадратный	Крыло Печата	НЕ УКАЗАН	3,3 В.	0,5 мм	208	Коммерческий продлен	75 ° C.	-20 ° C.	3,6 В.	3В					НЕ УКАЗАН					Не квалифицирован	S-PQFP-G208	29																		62,5 МГц	Микроконтроллер, RISC	32	НЕТ	ДА	ДА	НЕТ	Мрем							31,25 МГц	25	32							208	1,7 мм
HD6417708SF60	Renesas Electronics Corp		RFQ Мин: 1 Mult: 1	CMOS					[объект объекта]					8542.31.00.01				ДА	Квадратный	Крыло Печата		3,3 В.	0,5 мм	144	Коммерческий	70 ° C.	-20 ° C.									Микроконтроллеры	3,3 В.	200 мА	Не квалифицирован	S-PQFP-G144																			60 МГц	Микроконтроллер, RISC	32						SH7000					4096										144
UPG2404T6Q-E2-A	Renesas Electronics Corp		RFQ Мин: 1 Mult: 1	Гаас		ROHS COMPARINT			[объект объекта]	да		Высокая изоляция	соответствие		1	E6	Олово/висмут (sn/bi)	ДА								85 ° C.	-45 ° C.			Компонент	Sp3t	36 дБм	50 Ом			РФ/микроволновые переключатели	2,8 В.								Поверхностное крепление	0,8 дБ	2000 МГц									10 МГц																							17 дБ			10
UPD720133GB-YEU-A	Renesas Electronics Corp		RFQ Мин: 1 Mult: 1			ROHS COMPARINT
UPA2350T1G-E4-A	Renesas Electronics Corp		RFQ Мин: 1 Mult: 1		Режим улучшения	ROHS COMPARINT				да	Ear99		соответствие			E6	Оловянный висмут	ДА	НИЖНИЙ	МЯЧ	НЕ УКАЗАН			4		150 ° C.								НЕ УКАЗАН	2	FET Общее назначение власти			Не квалифицирован	S-XBGA-B4								Кремний	СЛОЖНЫЙ		Переключение	N-канал	1,3 Вт					Металлический полупроводник																								4
NE3512S02-T1D-A	Renesas Electronics Corp		RFQ Мин: 1 Mult: 1		Режим истощения	ROHS COMPARINT			[объект объекта]	да	Ear99	Низкий шум	соответствие			E6	Олово/висмут (sn/bi)	ДА	Квадратный	ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН			4		125 ° C.								НЕ УКАЗАН	1	Другие транзисторы			Не квалифицирован	R-PQMW-F4								Кремний	ОДИНОКИЙ		Усилитель	N-канал	0,165 Вт				3В	Гетеро-джонье										Ку								0,015а				12,5db		4
NESG3031M14-T3-A	Renesas Electronics Corp		RFQ Мин: 1 Mult: 1			ROHS COMPARINT			[объект объекта]	да	Ear99	Низкий шум	соответствие	8541.21.00.95		E6	Оловянный висмут	ДА	Двойной	ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН			4		150 ° C.								НЕ УКАЗАН	1	BIP RF маленький сигнал			Не квалифицирован	R-PDSO-F4								Кремний Германия	ОДИНОКИЙ		Усилитель	Npn	0,15 Вт	0,035а	4,3 В.													CB			220										0,25 пт	4
UPA2451CTL-E1-A	Renesas Electronics Corp		RFQ Мин: 1 Mult: 1		Режим улучшения	ROHS COMPARINT				да	Ear99							ДА	Двойной	ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН			6		150 ° C.								НЕ УКАЗАН	2	FET Общее назначение власти			Не квалифицирован	R-PDSO-F6								Кремний	Общий канализация, 2 элемента со встроенным диодом	ОСУШАТЬ	Переключение	N-канал	2,5 Вт				30 В	Металлический полупроводник																		8.2a	0,032ohm					6
UPC3224TB-E3-A	Renesas Electronics Corp		RFQ Мин: 1 Mult: 1	Биполярный		ROHS COMPARINT				да			соответствие		1			ДА								85 ° C.	-40 ° C.									РФ/микроволновые усилители	5 В	12ma							Поверхностное крепление																																					6