Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактOnSemi (1057)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Тип | Ряд | Монтажный тип | Рабочая температура | Технология | Частота | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Текущий | Терпимость | Приложения | Напряжение | Количество схем | Пакет устройства поставщика | Конфигурация | Напряжение - изоляция | Сила - Макс | Напряжение - зажим | Примечание | Напряжение - разбивка излучателя коллекционера (макс) | Current - Collector (IC) (макс) | Поставляемое содержимое | Ток - обратная утечка @ vr | Напряжение - вперед (vf) (max) @ if | Напряжение - Zener (nom) (VZ) | Ток - срез коллекционера (макс) | Тип транзистора | DC ток усиление (HFE) (min) @ IC, VCE | Частота - переход | Vce saturation (max) @ ib, ic | Резистор - база (R1) | Резистор - основание эмиттера (R2) | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NCP45520IMNTWG-H | OnSemi | $ 56,81 | Мин: 1 Mult: 1 | /files/import/ncp45520immntwg-h.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ499-TL-E | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK1848-TB-E | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6617-TL-E | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3449-TL-E | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LA1266-E | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAC212A6FP | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SMA60ATM | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK404E-AC | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3306-TL-E | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK544E-AC | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3411-TL-E | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD30555AVT4 | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMVL535T1 | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH2602-TL-E | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 30A01M-TL-E | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VEC2819-S-TL-E | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ615-TD-E | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3LN02C-TB-E | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDD05N50Z-1G9 | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ485-E | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3614-Q-TD-E | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH5815-TL-E-ON | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fjv3113rmtf-on | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | - | Поверхностное крепление | До 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 | 200 МВт | 50 В | 100 мА | 100NA (ICBO) | Npn - предварительно смещен | 68 @ 5ma, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | 2.2 КОМ | 47 Kohms | OnSemi | |||||||||||||||||||||||
| FW256-TL-E-ON | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | * | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NIV1161MTWTAG | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | Автомобиль, AEC-Q101 | Поверхностное крепление, смачиваемый фланк | Смешанная технология | 6-WDFN открытая площадка | USB | 2 | 6-wdfnw (2x2,2) | 55 В. | OnSemi | |||||||||||||||||||||||||||||
| NXV65HR82DZ2 | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | МОСФЕТ | Автомобиль, AEC-Q101 | Через дыру | 16-SIP-открытая площадка, сформированные отведения | 26 а | 650 В. | H-мост | 5000 дюймов | OnSemi | |||||||||||||||||||||||||||||
| NFA50460R47 | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | Igbt | Движение SPM? 5 | Поверхностное крепление | 4 а | 600 В. | 3 фазового инвертора | 1500vrms | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Sznz8f5v6smx2wt5g | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | Automotive, AEC-Q101, NZ8F | Поверхностное крепление, смачиваемый фланк | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 2-xdfn | ± 2,32% | 2-x2dfnw (1x0,6) | 250 МВт | 1 мкА при 2,5 В | 900 мВ @ 10 мА | 5,6 В. | OnSemi | |||||||||||||||||||||||||||
| QRE-OX2-A12-SH-100-Гевк | OnSemi | Мин: 1 Mult: 1 | - | - | - | - | Доска (ы) | OnSemi |
