| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Пакет/кейс | Емкость при частоте | Приложения | Пакет устройств поставщика | Защита линии электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение — ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение – обратное зазор (тип.) | Однонаправленные каналы | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| РТ100КП258СА | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | РТ100КП | Сквозное отверстие | -55°C ~ 175°C (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 288,2 В | 198А | 510В | 258В | 100000Вт (100кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| МП6КЕ550А | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | МП6КЕ | Сквозное отверстие | -55°C ~ 175°C (ТДж) | ДО-204АС, ДО-15, осевой | - | Общего назначения | ДО-15 | Нет | 522,5 В | 800мА | 760В | 467В | 1 | 600 Вт | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| МРТ100КП198СА | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | МРТ100КП | Сквозное отверстие | -55°C ~ 175°C (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 221,2 В | 267А | 382В | 198В | 100000Вт (100кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| 30КП72А | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | 30КП | Сквозное отверстие | -55°C ~ 175°C (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 80,4 В | 265,8А | 114В | 72В | 1 | 30000Вт (30кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| MSMCJ24A | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | MSMCJ | Поверхностный монтаж | -55°C ~ 150°C (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Общего назначения | ДО-214АБ (SMCJ) | Нет | 26,7 В | 38,6А | 38,9 В | 24В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| МРТ100КП156СА | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | МРТ100КП | Сквозное отверстие | -55°C ~ 175°C (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 174,3 В | 328А | 306В | 156В | 100000Вт (100кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| MLCE26 | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | MLCE | Сквозное отверстие | -65°C ~ 175°C (ТДж) | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | - | Общего назначения | ДО-201 | Нет | 28,9 В | 32А | 46,6 В | 26В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| MLCE17 | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | MLCE | Сквозное отверстие | -65°C ~ 175°C (ТДж) | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | - | Общего назначения | ДО-201 | Нет | 18,9 В | 49А | 30,5 В | 17В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| 30КП260СА | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | 30КП | Сквозное отверстие | -55°C ~ 175°C (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 290,4 В | 72,8А | 416В | 260В | 30000Вт (30кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| MLCE13 | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | MLCE | Сквозное отверстие | -65°C ~ 175°C (ТДж) | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | - | Общего назначения | ДО-201 | Нет | 14,4 В | 63А | 23,8 В | 13В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| 1N6387 | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | ICTE/MPTE | Сквозное отверстие | -55°C ~ 175°C (ТДж) | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | - | Общего назначения | ДО-201 | Нет | 25,9 В | 40А | 32В | 22В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| 30КП58СА | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | 30КП | Сквозное отверстие | -55°C ~ 175°C (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 64,8 В | 327,9А | 92,4 В | 58В | 30000Вт (30кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| MSMBJ70A | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | MSMBJ | Поверхностный монтаж | -55°C ~ 150°C (ТДж) | ДО-214АА, СМБ | - | Общего назначения | СМБ (ДО-214АА) | Нет | 77,8 В | 5.3А | 113В | 70В | 1 | 600 Вт | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| 5.0SMLJ33A | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | 5.0СМЛЖ | Поверхностный монтаж | -55°C ~ 150°C (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Общего назначения | ДО-214АБ (SMCJ) | Нет | 36,7 В | 93,9А | 53,3 В | 33В | 1 | 5000 Вт (5 кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| РТ100КП54А | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | РТ100КП | Сквозное отверстие | -55°C ~ 175°C (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 60,3 В | 943А | 106В | 54В | 1 | 100000Вт (100кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| МП4КЕ82А | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | МП4КЕ | Сквозное отверстие | -55°C ~ 175°C (ТДж) | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | - | Общего назначения | ДО-41 | Нет | 77,9 В | 3,6А | 113В | 70,1 В | 1 | 400 Вт | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| 20КП20СА | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | 20КП | Сквозное отверстие | -55°C ~ 175°C (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 22,34 В | 548.9А | 36,8 В | 20 В | 20000Вт (20кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.