Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактMDE Semiconductor Inc (94)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Тип | Ряд | Монтажный тип | Рабочая температура | Пакет / корпус | Емкость @ Частота | Приложения | Пакет устройства поставщика | Защита линии электропередачи | Напряжение - срыв (мин) | Ток - пиковой импульс (10/1000 мкл) | Напряжение - зажим (макс) @ ipp | Напряжение - обратное противостояние (тип) | Однонаправленные каналы | Мощность - пик пульс | Двунаправленные каналы | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RT100KP96CA | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Zener | RT100KP | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | P600, осевой | - | Общее назначение | P600 | Нет | 107.2V | 516A | 187V | 96 В | 100000 Вт (100 кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| 5.0smlj26a | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Zener | 5.0smlj | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | DO-214AB, SMC | - | Общее назначение | DO-214AB (SMCJ) | Нет | 28,9 В. | 119а | 42,1 В. | 26 В | 1 | 5000 Вт (5 кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| MART100KP66A | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Zener | Mart100 кп | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | P600, осевой | - | Общее назначение | P600 | Нет | 73,7 В. | 776а | 128.4V | 66 В | 1 | 100000 Вт (100 кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| MART100KP288CA | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Zener | Mart100 кп | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | P600, осевой | - | Общее назначение | P600 | Нет | 321.7V | 177а | 563В | 288 В | 100000 Вт (100 кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| 5.0smlj14ca | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Zener | 5.0smlj | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | DO-214AB, SMC | - | Общее назначение | DO-214AB (SMCJ) | Нет | 15,6 В. | 216a | 23.2V | 14 В | 5000 Вт (5 кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| 30 кп300а | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Zener | 30 кп | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | P600, осевой | - | Общее назначение | P600 | Нет | 333V | 62а | 483V | 300 В. | 1 | 30000 Вт (30 кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| RT100KP258A | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Zener | RT100KP | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | P600, осевой | - | Общее назначение | P600 | Нет | 288.2V | 198a | 510 В. | 258 В | 1 | 100000 Вт (100 кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| 20KP300CA | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Zener | 20 кп | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | P600, осевой | - | Общее назначение | P600 | Нет | 335.1V | 41.8a | 483V | 300 В. | 20000 Вт (20 кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| 30 кп54а | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Zener | 30 кп | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | P600, осевой | - | Общее назначение | P600 | Нет | 60,3 В. | 331.5a | 91.4V | 54В | 1 | 30000 Вт (30 кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| MART100KP33A | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Zener | Mart100 кп | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | P600, осевой | - | Общее назначение | P600 | Нет | 36,9 В. | 1463a (1,463ka) | 67,8 В. | 33 В | 1 | 100000 Вт (100 кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| 20 кп180а | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Zener | 20 кп | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | P600, осевой | - | Общее назначение | P600 | Нет | 201.1V | 69,4А | 291 В. | 180В | 1 | 20000 Вт (20 кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| RT100KP144A | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Zener | RT100KP | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | P600, осевой | - | Общее назначение | P600 | Нет | 160,8 В. | 361a | 267V | 144V | 1 | 100000 Вт (100 кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| RT100KP258CA | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Zener | RT100KP | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | P600, осевой | - | Общее назначение | P600 | Нет | 288.2V | 198a | 510 В. | 258 В | 100000 Вт (100 кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| MP6KE550A | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Zener | MP6KE | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | DO-204AC, DO-15, осевой | - | Общее назначение | До-15 | Нет | 522,5 В. | 800 мА | 760 В. | 467V | 1 | 600 Вт | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| MRT100KP198CA | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Zener | MRT100KP | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | P600, осевой | - | Общее назначение | P600 | Нет | 221.2V | 267а | 382V | 198v | 100000 Вт (100 кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| 30 кп 72а | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Zener | 30 кп | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | P600, осевой | - | Общее назначение | P600 | Нет | 80.4V | 265.8a | 114V | 72 В. | 1 | 30000 Вт (30 кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||||
| MSMCJ24A | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Zener | MSMCJ | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | DO-214AB, SMC | - | Общее назначение | DO-214AB (SMCJ) | Нет | 26,7 В. | 38.6a | 38,9 В. | 24 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | MDE Semiconductor Inc. |
