Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактGenicom Co., Ltd. (78)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Ряд | Монтажный тип | Рабочая температура | Пакет / корпус | Время ответа | Угол просмотра | Диод тип | Длина волны | Напряжение - DC Reverse (VR) (MAX) | Спектральный диапазон | Активная площадь | Ток - темный (тип) | Отзывчивость @ nm | Цвет - улучшен | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GUVC-T10GD-L185 | Genicom Co., Ltd. | Мин: 1 Mult: 1 | - | Через дыру | -30 ° C ~ 85 ° C. | TO-46-2 Металлическая банка | - | - | Шоткий | - | 2 V. | - | 1,54 мм2 | 20На (макс) | - | Ультрафиолето (ультрафиолетовое) | Genicom Co., Ltd. | |||||
| GUVCL-S10GD | Genicom Co., Ltd. | Мин: 1 Mult: 1 | - | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 85 ° C. | 1414 (3535 метрика) | - | - | Шоткий | - | 3 В | 230 нм ~ 320 нм | 0,076 мм2 | 1На (макс) | 0,12 a/w @ 280nm | Ультрафиолето (ультрафиолетовое) | Genicom Co., Ltd. | |||||
| GUVB-T11GD-L | Genicom Co., Ltd. | Мин: 1 Mult: 1 | - | Через дыру | -30 ° C ~ 85 ° C. | TO-46-2 Металлическая банка | - | - | Шоткий | - | 3 В | 220 нм ~ 320 нм | 1,54 мм2 | 20На (макс) | 0,13 A/W при 300 нм | Ультрафиолето (ультрафиолетовое) | Genicom Co., Ltd. | |||||
| GUVB-T11GM-LA | Genicom Co., Ltd. | Мин: 1 Mult: 1 | - | Шасси | -30 ° C ~ 85 ° C. | Модуль | 10 мс | - | - | - | 220 нм ~ 320 нм | - | - | - | Ультрафиолето (ультрафиолетовое) | Genicom Co., Ltd. | ||||||
| Guva-T11gd-L | Genicom Co., Ltd. | Мин: 1 Mult: 1 | - | Через дыру | -30 ° C ~ 85 ° C. | TO-46-2 Металлическая банка | - | - | Шоткий | - | 5 В | 220 нм ~ 370 нм | 1,54 мм2 | 20На (макс) | 0,18 а/w при 350 нм | Ультрафиолето (ультрафиолетовое) | Genicom Co., Ltd. | |||||
| Guva-T11gd | Genicom Co., Ltd. | Мин: 1 Mult: 1 | - | Через дыру | -30 ° C ~ 85 ° C. | TO-46-2 Металлическая банка | - | - | Шоткий | - | 5 В | 220 нм ~ 370 нм | 0,08 мм2 | 1На (макс) | 0,18 а/w при 350 нм | Ультрафиолето (ультрафиолетовое) | Genicom Co., Ltd. | |||||
| GUVV-C20SD | Genicom Co., Ltd. | Мин: 1 Mult: 1 | - | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 85 ° C. | 2-SMD, нет лидерства | - | - | Шоткий | - | 5 В | 240 нм ~ 395 нм | 0,08 мм2 | 1На (макс) | 0,17 A/W при 360 нм | Ультрафиолето (ультрафиолетовое) | Genicom Co., Ltd. | |||||
| Guva-S12sd | Genicom Co., Ltd. | Мин: 1 Mult: 1 | - | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 85 ° C. | 2-SMD, J-Lead | - | - | Шоткий | - | 5 В | 240 нм ~ 370 нм | 0,076 мм2 | 1На (макс) | 0,14 a/w @ 350nm | Ультрафиолето (ультрафиолетовое) | Genicom Co., Ltd. | |||||
| GUVC-T10GD-L | Genicom Co., Ltd. | Мин: 1 Mult: 1 | - | Через дыру | -30 ° C ~ 85 ° C. | TO-46-2 Металлическая банка | - | - | Шоткий | - | 2 V. | 220 нм ~ 280 нм | 1,54 мм2 | 20На (макс) | 0,05 a/w @ 254 нм | Ультрафиолето (ультрафиолетовое) | Genicom Co., Ltd. |
