ТТ Электроникс/Оптек Технология

ТТ Электроникс/Оптек Технология(4930)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Пакет/кейс Метод измерения Входной ток Высота Рабочее напряжение питания Без свинца Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Материал корпуса Радиационная закалка Полярность Максимальная рассеиваемая мощность Количество каналов Рассеяние мощности Время ответа Количество элементов Максимальный выходной ток Сенсорный экран Потребляемая мощность Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Прямое напряжение Угол обзора Время подъема Осень (тип.) Расстояние срабатывания Конфигурация выхода Обратное напряжение пробоя Максимальное напряжение пробоя Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) Макс. ток коллектора Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Обратное напряжение (постоянный ток) Длина волны Пиковая длина волны Темный ток Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
OPB880N51 ОПБ880Н51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Свободное подвешивание Свободное подвешивание -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30 мА 50 мА 30В 30 мА
OPB880N55 ОПБ880Н55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Свободное подвешивание Свободное подвешивание -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30 мА 50 мА 30В 30 мА
OPB890T11 ОПБ890Т11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30 мА 50 мА 30В 30 мА
OPB891T55 ОПБ891Т55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 1,7 В 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 30В 30 мА
OPB866N51 ОПБ866Н51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, сквозное отверстие Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 10 недель 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB860T55 ОПБ860Т55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 10 недель 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB100-SZ ОПБ100-СЗ ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Прикрепить Оснастка -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb100sz-datasheets-7450.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча Без свинца 8 недель Нет СВХК 2 Нет НПН 250мВт 250мВт 1 250мВт 30В 100 мА 1,7 В 25° 12 (304,8 мм) Фототранзистор 30В 30В 400мВ 30В 50 мА 100 мА 880 нм 30В 50 мА
OPB800W51Z ОПБ800W51Z ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без ограничений) 80°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 20 мА Без свинца 8 недель Нет СВХК 4 Нет НПН 100мВт 1 30 мА 30В 30 мА 50 мА 1,7 В 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 30В 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB855 ОПБ855 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Печатная плата, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) Припой 85°С -40°С Соответствует RoHS 2009 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb855-datasheets-8006.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 20 мА 7,11 мм Без свинца 8 недель 4 Пластик 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 30В 50 мА 1,3 В 0,205 (5,21 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 935 нм 30В 30 мА
OPB847 ОПБ847 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2009 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb847-datasheets-8235.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 12 недель 4 Нет 100мВт 12 мкс, 12 мкс 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 20 мкс 20 мкс 0,100 (2,54 мм) Фототранзистор 30В 30В 30В 50 мА 890 нм 30В
OPB390T51Z ОПБ390Т51З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Печатная плата, винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) Припой 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 20 мА Без свинца 8 недель Нет СВХК 4 Нет 1 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 30В 50 мА 1,3 В 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB420AZ ОПБ420АЗ ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ОПБ420 Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb420bz-datasheets-8277.pdf Модуль, выводы проводов, тип слота Пересечение луча 20 мА 12 недель 4 100мВт 1,7 В 1,7 В Фототранзистор 30В 30В 10 мА 20 мА 880 нм 30В 10 мА
OPS693 ОПС693 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без ограничений) 100°С -40°С Соответствует RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-ops665-datasheets-6896.pdf Радиальный Пересечение луча 12 недель 2 НПН 100мВт 100мВт 1 Фототранзистор 30В 30В 400мВ 30В 50 мА 935 нм 100 нА 30В
OPB350L062 ОПБ350L062 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ОПБ350 Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2009 год /files/ttelectronicsoptektechnology-ocb350l187z-datasheets-5332.pdf 30В Монтаж на печатной плате Жидкость Без свинца 8 недель 4 Нет 100мВт 1 50 мА 0,063 (1,6 мм) Фототранзистор 30В 30В 50 мА 50 мА 890 нм 890 нм 30В 50 мА
OPB870P55 ОПБ870П55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча Без свинца 12 недель 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB870N55 ОПБ870Н55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, сквозное отверстие Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча Без свинца 12 недель 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB820S3 ОПБ820С3 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3z-datasheets-8249.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 12 недель 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,080 (2,03 мм) Фототранзистор 30В 30В 50 мА 890 нм 30В
OPB876N55 ОПБ876Н55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, сквозное отверстие Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 12 недель 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB881L51Z ОПБ881L51Z ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2016 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 12 недель 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB360P51 ОПБ360П51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 4 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB360T11 ОПБ360Т11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча Без свинца 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB390N11Z ОПБ390Н11З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB380N55 ОПБ380Н55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30 мА 50 мА 30В 30 мА
OPB832L51 ОПБ832Л51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 НПН 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB831W55 ОПБ831W55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без ограничений) 80°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 30В 30 мА
OPB827C ОПБ827С ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb827b-datasheets-2009.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB848TX ОПБ848TX ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb847tx-datasheets-0720.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 12 мкс, 12 мкс Инфракрасный (ИК) 0,100 (2,54 мм) Фототранзистор 30В 50 мА 30В
OPB861L51 ОПБ861Л51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30В 30 мА 50 мА 890 нм 30В 30 мА
OPB870N51TX ОПБ870Н51ТХ ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb870t51tx-datasheets-0773.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 4 Инфракрасный (ИК) 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30 мА 50 мА 30В 30 мА
OPB870N55TX ОПБ870Н55ТХ ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb870t51tx-datasheets-0773.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 12 недель 4 Инфракрасный (ИК) 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30В 30 мА 50 мА 30В 30 мА

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.