Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТТ Электроникс/Оптек Технология(4930)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Рабочий ток питания | Текущий - Поставка | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/кейс | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Материал | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Материал корпуса | Радиационная закалка | Максимальное напряжение питания (постоянный ток) | Минимальное напряжение питания (постоянный ток) | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Количество каналов | Рассеяние мощности | Время ответа | Количество элементов | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный входной ток | Время подъема | Осень (тип.) | Выходной ток высокого уровня | Расстояние срабатывания | Конфигурация выхода | Обратное напряжение пробоя | Максимальное напряжение пробоя | Обратное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Длина волны | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ОПБ990Л11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Фотологик® | Крепление на шасси, винт | Крепление на шасси | -40°C~70°C ТА | 1 (без ограничений) | 70°С | -40°С | 15 мА | 15 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb991n51z-datasheets-3589.pdf | Модуль, предварительно смонтированный | Пересечение луча | 10 В | 5 | 4,75 В~5,25 В | 200мВт | 70нс | 1 | 40 мА | 70нс | 70 нс | 0,125 (3,18 мм) | Тотемный столб, Буфер | 2В | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ991Т51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Фотологик® | Крепление на шасси, винт | Крепление на шасси | -40°C~70°C ТА | 1 (без ограничений) | 70°С | -40°С | 12 мА | 12 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb991n51z-datasheets-3589.pdf | Модуль, предварительно смонтированный | Пересечение луча | 5 | 4,5 В~16 В | 300мВт | 70нс | 1 | 40 мА | 70нс | 70 нс | 0,125 (3,18 мм) | NPN — открытый коллектор, буфер | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ991Л11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Фотологик® | Крепление на шасси, винт | Крепление на шасси | -40°C~70°C ТА | 1 (без ограничений) | 70°С | -40°С | 12 мА | 12 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb991n51z-datasheets-3589.pdf | Модуль, предварительно смонтированный | Пересечение луча | 5 | 4,5 В~16 В | 300мВт | 70нс | 1 | 40 мА | 70нс | 70 нс | 0,125 (3,18 мм) | NPN — открытый коллектор, буфер | 2В | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ992Т51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Фотологик® | Крепление на шасси, винт | Крепление на шасси | -40°C~70°C ТА | 1 (без ограничений) | 70°С | -40°С | 15 мА | 15 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb991n51z-datasheets-3589.pdf | Модуль, предварительно смонтированный | Пересечение луча | 5 | 4,75 В~5,25 В | 300мВт | 70нс | 1 | 40 мА | 70нс | 70 нс | 0,125 (3,18 мм) | Тотемный столб, перевернутый | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ913Л55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Фотологик® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | 15 мА | 15 мА | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb900w55-datasheets-4024.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение луча | 10 недель | 5 | 4,75 В~5,25 В | 70нс | Инфракрасный (ИК) | 1,7 В | 70нс | 70 нс | 0,375 (9,53 мм) | NPN — открытый коллектор, инвертированный | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ492Т11З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Фотологик® | Панель, сквозное отверстие | Крепление на шасси, вывод провода | -40°C~85°C ТА | 1 (без ограничений) | Свинцовый провод | 85°С | -40°С | 7,5 мА | 7,5 мА | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb460l11-datasheets-4056.pdf | Модуль, предварительно смонтированный | Пересечение луча | 16В | 10 недель | 5 | 4,5 В~16 В | 275 МВт | 50 нс | 1 | 35В | Инфракрасный (ИК) | 35В | 40 мА | 1,7 В | 20 мА | 50 нс | 50 нс | 0,125 (3,18 мм) | Подтягивающий резистор, инвертированный | 2В | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ481L11Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Фотологик® | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | 7,5 мА | 7,5 мА | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb460l11-datasheets-4056.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение луча | Без свинца | 12 недель | 5 | 4,5 В~16 В | 275 МВт | 50 нс | 1 | 40 мА | 50 нс | 50 нс | 0,125 (3,18 мм) | NPN — открытый коллектор, буфер | 2В | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ960Т55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Фотологик® | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~70°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | -40°С | 15 мА | 15 мА | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb961p51-datasheets-4929.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение луча | 18В | 12 недель | 5 | Нет | 4,75 В~5,25 В | 300мВт | 70нс | 1 | 40 мА | 70нс | 70 нс | 0,125 (3,18 мм) | Тотемный столб, Буфер | 2В | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ912W55Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Фотологик® | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°C~85°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | 15 мА | 15 мА | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb900w55-datasheets-4024.pdf | Модуль, предварительно смонтированный | Пересечение луча | Без свинца | 12 недель | 5 | 4,75 В~5,25 В | 300мВт | 70нс | Инфракрасный (ИК) | 40 мА | 1,7 В | 70нс | 70 нс | 100 мкА | 0,375 (9,53 мм) | Тотемный столб, перевернутый | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ990L55Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Фотологик® | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°C~70°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | -40°С | 15 мА | 15 мА | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb961p51-datasheets-4929.pdf | Модуль, предварительно смонтированный | Пересечение луча | 12 недель | 5 | 4,75 В~5,25 В | 70нс | 40 мА | 70нс | 70 нс | 0,125 (3,18 мм) | Тотемный столб, Буфер | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ980Т11З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Фотологик® | Крепление на шасси, винт | Крепление на шасси | -40°C~70°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | -40°С | 15 мА | 15 мА | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb961p51-datasheets-4929.pdf | Модуль, предварительно смонтированный | Пересечение луча | Без свинца | 8 недель | 5 | Нет | 4,75 В~5,25 В | 300мВт | 70нс | 1 | 40 мА | 70нс | 70 нс | 0,125 (3,18 мм) | Тотемный столб, Буфер | 2В | 2В | 850 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ990Т11З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Фотологик® | Крепление на шасси, печатная плата, винт | Крепление на шасси | -40°C~70°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 70°С | -40°С | 15 мА | 15 мА | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb961p51-datasheets-4929.pdf | Модуль, предварительно смонтированный | Пересечение луча | 10 недель | Нет СВХК | 5 | 16В | 4,5 В | 4,75 В~5,25 В | 300мВт | 70нс | 1 | Инфракрасный (ИК) | 40 мА | 1,7 В | 70нс | 70 нс | 0,125 (3,18 мм) | Тотемный столб, Буфер | 2В | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ492L11Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Фотологик® | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | 7,5 мА | 7,5 мА | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb460l11-datasheets-4056.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение луча | 12 недель | 5 | 4,5 В~16 В | 275 МВт | 50 нс | 1 | 40 мА | 50 нс | 50 нс | 0,125 (3,18 мм) | Подтягивающий резистор, инвертированный | 2В | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ963Н11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Фотологик® | Панель, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~70°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | -40°С | 15 мА | 15 мА | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb961p51-datasheets-4929.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение луча | 18В | Без свинца | 12 недель | 5 | 4,75 В~5,25 В | 300мВт | 70нс | 1 | 40 мА | 70нс | 70 нс | 0,125 (3,18 мм) | NPN — открытый коллектор, инвертированный | 2В | 2В | 850 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ983П11З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Фотологик® | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°C~70°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | -40°С | 15 мА | 15 мА | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb961p51-datasheets-4929.pdf | Модуль, предварительно смонтированный | Пересечение луча | 12 недель | 5 | 4,75 В~5,25 В | 70нс | 40 мА | 70нс | 70 нс | 0,125 (3,18 мм) | NPN — открытый коллектор, инвертированный | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ880Т51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль, предварительно смонтированный | Пересечение луча | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ881Н55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Неусиленный | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль, предварительно смонтированный | Пересечение луча | 4 | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30В | 30 мА | 50 мА | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ890Н55З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Неусиленный | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль, предварительно смонтированный | Пересечение луча | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ892L55Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение луча | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ892П55З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль, предварительно смонтированный | Пересечение луча | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ860Т51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение луча | Без свинца | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ825Р | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb825r-datasheets-8024.pdf | Модуль, прорезной | Пересечение луча | 10 недель | 4 | Инфракрасный (ИК) | 0,160 (4,06 мм) | Фототранзистор | 30В | 30 мА | 50 мА | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ620 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | Припой | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb621-datasheets-0525.pdf | 30В | Монтаж на печатной плате | Пересечение луча | 10,16 мм | 1 мА | 9,52 мм | 10,16 мм | 1,6 В | Без свинца | 8 недель | Неизвестный | 4 | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 30 мА | Инфракрасный (ИК) | 30В | 10 мА | 1,6 В | 40 мкс | 0,190 (4,83 мм) | Транзистор, резистор база-эмиттер | 3В | 24В | 400мВ | 24В | 30 мА | 50 мА | 3В | 890 нм | 24В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||
| ОПБ840W11Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без ограничений) | Свинцовый провод | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Модуль, предварительно смонтированный | Пересечение луча | 23,75 мм | 50 мА | 10,54 мм | 23,75 мм | Без свинца | Пластик | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Пластик | Нет | 1 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30В | 50 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 2В | 880 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ840Л51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение луча | 23,75 мм | 50 мА | 10,54 мм | 23,75 мм | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | НПН | 1 | 100мВт | 1 | 30В | 50 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ826С | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb822sd-datasheets-8211.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение луча | 12 недель | 8 | Нет | 100мВт | 2 | Инфракрасный (ИК) | 30 мА | 40 мА | 1,7 В | 0,090 (2,29 мм) | 2 НПН | 2В | 30В | 30В | 30В | 30 мА | 40 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ890П11З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль, предварительно смонтированный | Пересечение луча | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ852А2 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb853a3-datasheets-8387.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение луча | Без свинца | 12 недель | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 40 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 40 мА | 890 нм | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ380Т11З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение луча | 20 мА | 12 недель | Нет СВХК | 4 | 1 | 100мВт | 1 | 30В | 20 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ390L51Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение луча | 20 мА | 12 недель | 4 | Нет | 1 | 100мВт | 1 | 30В | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА |
