Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактTT Electronics/Optek Technology (4930)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Тип ввода | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение - рейтинг DC | Пакет / корпус | Емкость | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Форма | Глубина | Время выполнения завода | Достичь SVHC | Количество булавок | PBFREE CODE | Тип разъема | Ориентация | Дополнительная функция | Жилищный материал | Радиационное упрочнение | HTS -код | Количество функций | Рейтинг питания | Полярность | Максимальная диссипация власти | Количество каналов | Рассеяние власти | Время ответа | Количество элементов | Пакет устройства поставщика | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Сенсорный экран | Выходная мощность | Выходное напряжение | Вперед | Впередное напряжение | Вывод типа | Изоляционное напряжение | Вперед тока-макс | Угол просмотра | Стиль объектива | Время подъема | Время падения (тип) | Конфигурация | Тестовый ток | Напряжение - изоляция | Сила - Макс | Обратное напряжение разбивки | Максимальное напряжение | Обратное напряжение | Диод тип | Максимальное обратное напряжение (DC) | Напряжение разбивки излучателя коллекционера | Напряжение насыщения насыщения коллекционера | Напряжение излучателя коллекционера (VCEO) | Макс Коллекторный ток | Напряжение - вперед (vf) (тип) | Время подъема / падения (тип) | Current - DC Forward (if) (max) | Обратное напряжение (DC) | Выходной ток на канал | Коэффициент передачи тока | Длина волны | Пиковая длина волны | Ток - выход / канал | Темный ток | Размер | Спектральная полоса пропускания | Инфракрасный диапазон | Напряжение - выход (макс) | Сияющая интенсивность (т.е.) min @ if | Напряжение - DC Reverse (VR) (MAX) | Спектральный диапазон | Ток - темный (тип) | Световой ток-ном | Коэффициент переноса тока (мин) | Коэффициент передачи тока (макс) | Включите / выключите время (тип) | Vce насыщение (макс) | Напряжение - разбивка излучателя коллекционера (макс) | Current - Collector (IC) (макс) | Current - Dark (id) (макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| OPA82T35BZ | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Инфракрасный (IR) | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2009 | /files/ttelectronicsoptektechnology-opa80sm5az-datasheets-0412.pdf | Модуль | КРУГЛЫЙ | 3 | да | Вид на верх | 8541.40.20.00 | 1 | 0,05а | 18 ° | СЛОЖНЫЙ | 5 В | 50 мА | 850 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OPA83SM5DZ | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Инфракрасный (IR) | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2009 | /files/ttelectronicsoptektechnology-opa80sm5az-datasheets-0412.pdf | Модуль | КРУГЛЫЙ | 2 | да | Вид на верх | 1 | 0,05а | 25 ° | СЛОЖНЫЙ | 5 В | 50 мА | 850 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OP265AC | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Инфракрасный (IR) | OP265AA | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 100 ° C TA | Масса | Непригодный | ROHS COMPARINT | 2010 год | /files/optek-op265ac-datasheets-1719.pdf | Радиал | КРУГЛЫЙ | да | Вид на верх | 8541.40.20.00 | 1 | 100 МВт | 0,05а | 18 ° | Циркуляр | ОДИНОКИЙ | 1,8 В. | 50 мА | 850 нм | 3 мм | 11,5 МВт/см2 @ 20ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OPR2800T | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Инфракрасный (IR) | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 100 ° C. | -40 ° C. | ROHS COMPARINT | 2008 | /files/ttelectronicsoptektechnology-opro2800t-datasheets-1841.pdf | 4-SMD, нет свинцовой прокладки | 3,1 мм | 2,79 мм | 12 недель | Нет SVHC | 2 | Вид на верх | Нет | 130 МВт | 130 МВт | 1 | 50 мА | 1,5 В. | 100 ° | Циркуляр | 500NS | 20 мА | 30 В | 1,5 В макс | 50 мА | 875 нм | 875 нм | 0,2 МВт/см2 при 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OP145A | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Инфракрасный (IR) | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 100 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -40 ° C. | ROHS COMPARINT | 1997 | /files/ttelectronicsoptektechnology-op140d-datasheets-3980.pdf | Радиал | 4,57 мм | Свободно привести | 2,67 мм | 10 недель | 2 | Вид сбоку | Пластик | 100 МВт | 1 | 50 мА | 1,6 В. | 40 ° | Цветной | 1 мкс | 20 мА | 2 В | 1,6 В. | 50 мА | 935 нм | 0,4 МВт/см2 при 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OP140C | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Инфракрасный (IR) | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 100 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -40 ° C. | ROHS COMPARINT | 2012 | /files/ttelectronicsoptektechnology-op140d-datasheets-3980.pdf | Радиал | 4,57 мм | 2,54 мм | 12 недель | 2 | Вид сбоку | 100 МВт | 100 МВт | 1 | 50 мА | 1,6 В. | 40 ° | Цветный, купол | 1 мкс | 500 нс | 20 мА | 2 В | 1,6 В. | 50 мА | 935 нм | 0,2 МВт/см2 при 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OP133W | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Инфракрасный (IR) | Через дыру | Через дыру | -65 ° C ~ 125 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 125 ° C. | -65 ° C. | ROHS COMPARINT | 2007 | /files/ttelectronicsoptektechnology-op132w-datasheets-0245.pdf | TO-46-2 Металлическая банка | Свободно привести | 10 недель | Нет SVHC | 2 | Вид на верх | 200 МВт | 100 мА | 1,75 В. | 50 ° | Циркуляр | 1 мкс | 1,75 В. | 100 мА | 935 нм | 935 нм | 5 МВт/см2 @ 100ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OP266AB | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Инфракрасный (IR) | OP266AA | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 100 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -40 ° C. | ROHS COMPARINT | 2013 | /files/ttelectronicsoptektechnology-op266aa-datasheets-4145.pdf | Радиал | 10 недель | Вид на верх | Инфракрасный (IR) | 1,8 В. | 18 ° | 1,8 В. | 50 мА | 850 нм | 7,5 МВт/см2 @ 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OP294 | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Инфракрасный (IR) | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 100 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -40 ° C. | ROHS COMPARINT | 2008 | /files/ttelectronicsoptektechnology-op296b-datasheets-3953.pdf | T 1 3/4 | 5,97 мм | Свободно привести | 5,97 мм | 12 недель | Неизвестный | 2 | Вид на верх | Пластик | Нет | 180 МВт | 180 МВт | 1 | 100 мА | 1,5 В. | 50 ° | Купол | 500NS | 250 нс | 10 мА | 5 В | 1,5 В. | 100 мА | 890 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OP993 | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Печата, через отверстие | Через дыру | -40 ° C ~ 100 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -40 ° C. | ROHS COMPARINT | 2007 | /files/ttelectronicsoptektechnology-op999-datasheets-0125.pdf | 60 В | До 18 | 5,72 мм | 1MA | 7,62 мм | 5,72 мм | Свободно привести | 8 недель | Нет SVHC | 2 | 1 | 100 МВт | 5NS | 60 В | 1MA | 1,2 В. | 90 ° | 5NS | 5 нс | 60 В | 60 В | ПРИКОЛОТЬ | 60 В | 890 нм | 1NA | 60 В | 500 нм ~ 1100 нм | 1NA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OP910W | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -65 ° C ~ 125 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2001 | /files/ttelectronicsoptektechnology-op910w-datasheets-0881.pdf | На 46 | КРУГЛЫЙ | 2 | да | Нет | 8541.40.60.50 | 1 | 250 МВт | 1,2 В. | 80 ° | 10NS | 10 нс | ОДИНОКИЙ | 60 В | 60 В | ПРИКОЛОТЬ | 100 В | 935 нм | 1NA | ДА | 600 нм ~ 1100 нм | 0,0024 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OPF1414T | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | ROHS COMPARINT | 2007 | /files/ttelectronicsoptektechnology-opf1414t-datasheets-1279.pdf | Сма | 55pf | 2.1 В. | Свободно привести | 62 недели | Нет SVHC | 8 | Ул | 100 мА | 2.09 В. | 4ns | 1,8 В. | 2.09 В. | 100 мА | 1,8 В. | 840 нм | 840 нм | 1,8 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OPF397C | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | ROHS COMPARINT | 2013 | /files/ttelectronicsoptektechnology-opf397c-datasheets-1369.pdf | До 18 | Ул | 50 мА | 12,5 мкВт | 2 В | 1V | 2 В | 100 мА | 850 нм | 35 нм | 1V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OPF340C | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2011 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opf340b-datasheets-1336.pdf | На 46 | 7 недель | 2 В | 1V | 2 В | 100 мА | 850 нм | 35 нм | 1V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OPF673-2 | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2012 | /files/ttelectronicsoptektechnology-opf6721-datasheets-1468.pdf | На 46 | Ул | 2,1 В макс | 100 мА | 850 нм | 35 нм | 1V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OPI110C | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление через отверстие | Через дыру | -40 ° C ~ 85 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | Ток | ROHS COMPARINT | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-opi110-datasheets-4882.pdf | Осевая, может - 4 свинца | 20 мА | Свободно привести | 8 недель | Неизвестный | 4 | Нет | 100 МВт | 1 | 100 МВт | 1 | Осевой | 30 В | 30 В | 40 мА | 1,6 В. | Транзистор | 10000 В. | 2 В | 400 мВ | 30 В | 1,6 В макс | 40 мА | 30 В | 100% @ 10ma | 400 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3C92CTXV | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 125 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 2015 | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN CAN | 20 недель | 1 | До 72-4 | 50 В | Транзистор | 1000 В | 400 мВ | 1,2 В макс | 50 мА | 30 мА | 30 мА | 50 В | 30% @ 10ma | 200% @ 10ma | 9 мкс, 6 мкс (макс) | 400 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4n48utx | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 125 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | Ток | Не совместимый с ROHS | 2010 год | 6-SMD, нет лидерства | 10 недель | 1 | 6-LCC (6,22x4,32) | 40 В | Транзистор с базой | 1000 В | 300 мВ | 1,5 В макс | 20 мкс 20 мкс | 40 мА | 50 мА | 50 мА | 45 В. | 100% @ 2MA | 300 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Opia500btu | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -55 ° C. | Ток | ROHS COMPARINT | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-opia5010atue-datasheets-3908.pdf | 6 Soic (0,173, ширина 4,40 мм), 5 проводников | 16ma | 5 | 100 МВт | 1 | 100 МВт | 1 | 5-Sop | 400 мВ | 15 В | 25 мА | Транзистор | 3750vrms | 5 В | 1,7 В. | 25 мА | 19% @ 16ma | 50% @ 16ma | 200NS, 400NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Opia2110Dtue | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление через отверстие | Через дыру | -55 ° C ~ 125 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS COMPARINT | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-opia5010atue-datasheets-3908.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 8 | да | Одобрен UL, одобрен VDE | 150 МВт | 1 | 100 МВт | 1 | 60 В | 25 мА | Транзистор | 20 мкс | 20 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 дюймов | 5 В | 300 мВ | 60 В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 40% @ 10ma | 400% @ 10ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Opia2110atre | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 125 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Ток | ROHS COMPARINT | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-opia5010atue-datasheets-3908.pdf | 6-SMD, Крыло Чайки | 50 мА | 8 | UL признан, одобрен VDE | 150 МВт | 1 | 100 МВт | 1 | 60 В | 25 мА | Транзистор | 20 мкс | 20 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 дюймов | 5 В | 300 мВ | 60 В | 50 мА | 1,2 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 40% @ 10ma | 400% @ 10ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OP316B | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 3 (168 часов) | ROHS COMPARINT | 2014 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OPI210 | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 125 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | 125 ° C. | -55 ° C. | Ток | ROHS COMPARINT | 2007 | 4-SMD, нет лидерства | 10 недель | 4 | Нет | 1 | 100 МВт | 1 | 4-SMD | 35 В. | 50 мА | 1,6 В. | Транзистор | 10 мкс | 10 мкс | 1000 В | 3В | 300 мВ | 300 мВ | 1,6 В макс | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 200 % | 35 В. | 50% @ 10ma | 300 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OPI1280-080 | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -20 ° C ~ 75 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | 75 ° C. | -20 ° C. | Ток | ROHS COMPARINT | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-opi1280040-datasheets-0122.pdf | Нестандартный, 4 лидерства | 20 мА | 10 недель | 4 | Npn | 1 | 33 В | 30 В | 2,3 В. | Транзистор | 10 кВ | 33 В | 33 В | 2,3 В макс | 33 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv4n24 | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 125 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | 125 ° C. | -55 ° C. | Ток | ROHS COMPARINT | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-jan4n24-datasheets-5267.pdf | TO-78-6 Металлическая банка | 20 недель | 1 | До 78-6 | 40 В | 1,5 В. | Транзистор с базой | 1000 В | 300 мВ | 1,5 В макс | 20 мкс 20 мкс макс | 40 мА | 50 мА | 50 мА | 40 В | 100% @ 10ma | 300 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4n47u | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 125 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | 125 ° C. | -55 ° C. | Ток | Не совместимый с ROHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/optek-4n47u-datasheets-2128.pdf | 6-SMD, нет лидерства | 15 недель | 6 | 300 МВт | 1 | 6-LCC (6,22x4,32) | 40 В | 10 мА | Транзистор с базой | 1000 В | 300 мВ | 300 мВ | 1,5 В макс | 20 мкс 20 мкс | 40 мА | 50 мА | 50 % | 45 В. | 50% @ 2MA | 300 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv4n49 | TT Electronics/Optek Technology | $ 75,60 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 125 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | 125 ° C. | -55 ° C. | Ток | ROHS COMPARINT | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-jan4n24-datasheets-5267.pdf | TO-78-6 Металлическая банка | 20 недель | 1 | До 78-6 | 40 В | 1,5 В. | Транзистор с базой | 1000 В | 300 мВ | 1,5 В макс | 20 мкс 20 мкс макс | 40 мА | 50 мА | 50 мА | 40 В | 200% @ 1MA | 1000% @ 1MA | 300 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv4n23 | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 125 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | 125 ° C. | -55 ° C. | Ток | ROHS COMPARINT | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-jan4n24-datasheets-5267.pdf | TO-78-6 Металлическая банка | 22 недели | 1 | До 78-6 | 40 В | 1,5 В. | Транзистор с базой | 1000 В | 300 мВ | 1,5 В макс | 20 мкс 20 мкс макс | 40 мА | 50 мА | 50 мА | 40 В | 60% @ 10ma | 300 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv4n23u | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 125 ° C. | Поднос | 1 (неограниченный) | Ток | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-jantx4n49u-datasheets-0393.pdf | 6-LCC | 1 | 6-LCC (4,32x6,22) | Транзистор с базой | 1000 В | 1,3 В макс | 15 мкс 15 мкс макс | 50 мА | 6ma | 35 В. | 60% @ 10ma | 300 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OP555A | TT Electronics/Optek Technology | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 100 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 100 ° C. | -40 ° C. | ROHS COMPARINT | 1997 | /files/ttelectronicsoptektechnology-op555a-datasheets-1863.pdf | Радиал | 12 недель | 2 | Вид сбоку | Npn | 100 МВт | 100 МВт | 1 | 56 ° | 100 МВт | 30 В | 30 В | 400 мВ | 30 В | 4,7 мА | 935 нм | 100NA | 30 В | 4,7 мА | 100NA |
