Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешетка полупроводниковая(8880)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Архитектура | Количество выходов | Количество программируемых входов/выходов | Количество входов | Тактовая частота | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Количество логических ячеек | Программируемый тип | Количество выделенных входов | Количество условий продукта | JTAG BST | Источник напряжения — внутренний | Время задержки tpd(1) Макс. | Количество логических элементов/блоков |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LC4032ZC-5TN48I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000Z | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 250 МГц | 50 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 1,8 В | Без свинца | 48 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 48 | да | EAR99 | ДА | 50 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4032 | 48 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 32 | ЭСППЗУ | 5 нс | 208 | 800 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,7 В~1,9 В | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064ZE-5MN64C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000ZE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 277,78 МГц | 80 мкА | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4032ze7tn48c-datasheets-8771.pdf | 64-ТФБГА, КСПБГА | 5 мм | 5 мм | 1,8 В | Без свинца | 64 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | EAR99 | ДА | не_совместимо | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 0,5 мм | LC4064 | 64 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 48 | ЭСППЗУ | 5,8 нс | 5,8 нс | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 4 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,7 В~1,9 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064ZE-5MN144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000ZE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 80 мкА | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4032ze7tn48c-datasheets-8771.pdf | 144-ТФБГА, КСПБГА | 7 мм | 7 мм | 1,8 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 144 | EAR99 | ДА | 241 МГц | не_совместимо | 80 мкА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 0,5 мм | LC4064 | 144 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 5,8 нс | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 4 | В системном программировании | 10 | ДА | 1,7 В~1,9 В | 5,8 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064ZE-4TN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000ZE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 80 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4032ze7tn48c-datasheets-8771.pdf | 100-LQFP | 1,8 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 100 | EAR99 | ДА | 241 МГц | 80 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,8 В | 0,5 мм | LC4064 | 100 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 4 | В системном программировании | 10 | ДА | 1,7 В~1,9 В | 4,7 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А5-32/32-10ВНИ48 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 5В | Без свинца | 48 | 10 недель | 5,5 В | 4,5 В | 48 | да | EAR99 | ДА | Нет | 100 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,5 мм | М4А5-32 | 48 | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | 32 | ЭСППЗУ | 10 нс | 10 нс | 516 | 1250 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 4,5 В~5,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064ZE-5TN100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000ZE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 277,78 МГц | 80 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4032ze7tn48c-datasheets-8771.pdf | 100-LQFP | 1,8 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 100 | EAR99 | ДА | Нет | 80 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,8 В | 0,5 мм | LC4064 | 100 | Программируемые логические устройства | 64 | ЭСППЗУ | 5,8 нс | 5,8 нс | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 4 | В системном программировании | 10 | ДА | 1,7 В~1,9 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064ZC-75TN100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000Z | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 80 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 1,8 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 657,000198мг | 1,9 В | 1,7 В | 100 | да | EAR99 | ДА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4064 | 100 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 3,7 нс | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 10 | ДА | 1,7 В~1,9 В | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LAMXO1200E-3TN144E | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LA-MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lamxo256c3tn100e-datasheets-9604.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 1,26 В | 1,14 В | 144 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | 18 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛАМСО1200 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 113 | СРАМ | 5,1 нс | 113 | 25 МГц | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | 150 | В системном программировании | 1,14 В~1,26 В | 5,1 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛА4032В-75ТН44Е | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЛА-испМАХ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 168 МГц | 11,8 мА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-la4032zc75tn48e-datasheets-5352.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | Без свинца | 44 | 8 недель | 3,6 В | 3В | 44 | да | EAR99 | ДА | 11,8 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | LA4032 | 44 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 30 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 32 | МАКРОКЛЕТКА | 2 | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛА4128В-75ТН128Е | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЛА-испМАХ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-la4032zc75tn48e-datasheets-5352.pdf | 128-LQFP | 14 мм | 14 мм | Без свинца | 128 | 8 недель | 3,6 В | 3В | да | EAR99 | ДА | 168 МГц | 12 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,4 мм | ЛА4128 | 128 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 92 | ЭСППЗУ | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 8 | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 7,5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LAMXO640E-3FTN256E | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LA-MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lamxo256c3tn100e-datasheets-9604.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 1,26 В | 1,14 В | 256 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 14 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | ЛАМСО640 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 768Б | 159 | СРАМ | 4,9 нс | 159 | 25 МГц | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | 80 | 640 | В системном программировании | 1,14 В~1,26 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| М4А3-256/192-10ФАНК | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,1 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | 256 | 3,6 В | 3В | да | EAR99 | ДА | 100 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 3,3 В | 1 мм | М4А3-256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 192 | ЭСППЗУ | 10 нс | 160 | 10000 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256V-5TN176I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12,5 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 176-LQFP | 24 мм | 24 мм | 3,3 В | Без свинца | 176 | 8 недель | 3,6 В | 3В | 176 | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 12,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | LC4256 | 176 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 5 нс | 48 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | ДА | 3В~3,6В | 5нс | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||
| М4А5-96/48-7ВНЦ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | Без свинца | 100 | 10 недель | 5,25 В | 4,75 В | да | EAR99 | ДА | 182 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,5 мм | М4А5-96 | 100 | 40 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G100 | 48 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 3750 | 96 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | ДА | 4,75 В~5,25 В | 7,5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064B-10TN100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12 мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 2,5 В | Без свинца | 100 | 2,7 В | 2,3 В | 100 | да | EAR99 | ДА | 400 МГц | 12 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LC4064 | 100 | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 10 нс | 208 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 4 | В системном программировании | 10 | ДА | 2,3 В~2,7 В | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256B-75FTN256AI | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12,5 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 2,5 В | Без свинца | 256 | 2,7 В | 2,3 В | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 12,5 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 1 мм | LC4256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 160 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 16 | В системном программировании | 4 | ДА | 2,3 В~2,7 В | 7,5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256B-75TN176C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 12,5 мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 176-LQFP | 24 мм | 24 мм | 2,5 В | Без свинца | 176 | 2,7 В | 2,3 В | 176 | да | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | 12,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LC4256 | 176 | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 52 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 2,3 В~2,7 В | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064C-75TN44I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 2мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 1 мм | 10 мм | 1,8 В | Без свинца | 44 | 1,95 В | 1,65 В | 44 | да | EAR99 | ДА | 2мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | LC4064 | 44 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 30 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 272 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 2 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256C-5FTN256AC | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,5 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 1,8 В | Без свинца | 256 | 1,95 В | 1,65 В | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 2,5 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 1 мм | LC4256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 5 нс | 160 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 5нс | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064C-5TN44I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2мА | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 1,8 В | Без свинца | 44 | 1,95 В | 1,65 В | 44 | да | EAR99 | ДА | 400 МГц | 2мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | LC4064 | 44 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 30 | ЭСППЗУ | 5 нс | 256 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 2 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 5нс | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256C-10TN100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 125 МГц | 2,5 мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,8 В | Без свинца | 100 | 1,95 В | 1,65 В | 100 | да | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | 2,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4256 | 100 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 10 нс | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 16 | В системном программировании | 10 | ДА | 1,65 В~1,95 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4512C-5TN176C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 176-LQFP | 24 мм | 24 мм | 1,8 В | Без свинца | 176 | 1,95 В | 1,65 В | 176 | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 4мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4512 | 176 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 5 нс | 100 | 512 | МАКРОКЛЕТКА | 32 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 5нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| M4A5-32/32-10JNC | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 4,572 мм | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 44-LCC (J-вывод) | 16,5862 мм | 16,5862 мм | 5В | Без свинца | 44 | 5,25 В | 4,75 В | 44 | да | EAR99 | ДА | Нет | 182 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 5В | 1,27 мм | М4А5-32 | 44 | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | 32 | ЭСППЗУ | 10 нс | 10 нс | 1250 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 4,75 В~5,25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC5768MV-75FN256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPLD® 5000МВ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 200 МГц | 40 мА | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc5512mc75q208c-datasheets-2433.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 3,6 В | 3В | 256 | да | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | 40 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 3,3 В | 1 мм | LC5768 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 193 | ЭСППЗУ, ОЗУ | 48КБ | 7,5 нс | 768 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А5-64/32-7ДЖНИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 44-LCC (J-вывод) | Без свинца | 10 недель | 5,5 В | 4,5 В | 44 | да | EAR99 | 182 МГц | 8542.39.00.01 | М4А5-64 | 44 | 32 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 2500 | 64 | В системном программировании | 4,5 В~5,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГАЛ22В10АС-5ЛНИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispGAL™22V10 | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ispgal22v10av23ln-datasheets-2694.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 240 | 1,8 В | 0,5 мм | ИСПГАЛ22В10А | 32 | 1,95 В | 1,65 В | 30 | Программируемые логические устройства | 1,8 В | Не квалифицирован | S-XQCC-N32 | 10 | 5 нс | PAL-ТИП | 10 | 22 | 143 МГц | 10 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 11 | 132 | 1,65 В~1,95 В | 5нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 1032-60ЛТИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000 | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi103260lti-datasheets-2726.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 100 | нет | EAR99 | ДА | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 1032 | 100 | 5,5 В | 4,5 В | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G100 | 64 | 25 нс | 38 МГц | 6000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | НЕТ | 4,5 В~5,5 В | 20нс | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 1032EA-125LT100 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000EA | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi1032ea125lt100-datasheets-2826.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 100 | нет | EAR99 | ДА | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 1032 | 100 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | Программируемые логические устройства | 3,3/55 В | Не квалифицирован | S-PQFP-G100 | 64 | 7,5 нс | 100 МГц | 6000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 2 | ДА | 4,75 В~5,25 В | 7,5 нс | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 1048EA-100LT128 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000EA | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi1048ea170lq128-datasheets-2883.pdf | 128-LQFP | 14 мм | 14 мм | 128 | нет | EAR99 | ДА | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,4 мм | ИСПЛСИ 1048 | 128 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | Программируемые логические устройства | 3,3/55 В | Не квалифицирован | S-PQFP-G128 | 96 | 12,5 нс | 77 МГц | 8000 | 192 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 8 | ДА | 4,75 В~5,25 В | 10 нс | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2032А-80ЛТН44И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000A | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2032a110lj44-datasheets-1904.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 44 | да | EAR99 | ДА | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | ИСПЛСИ 2032 | 44 | 5,5 В | 4,5 В | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G44 | 32 | 57 МГц | 1000 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | НЕТ | 4,5 В~5,5 В | 15 нс | 8 |
