Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешетка полупроводниковая(8880)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Количество выходов | Количество программируемых входов/выходов | Тактовая частота | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Количество логических ячеек | Программируемый тип | Количество выделенных входов | JTAG BST | Источник напряжения — внутренний | Время задержки tpd(1) Макс. | Количество логических элементов/блоков |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LAMXO640C-3TN100E | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LA-MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lamxo256c3tn100e-datasheets-9604.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 3,465 В | 1,71 В | 100 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | 17 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | ЛАМСО640 | 100 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 768Б | 74 | СРАМ | 4,9 нс | 4,9 нс | 74 | 25 МГц | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | 80 | 640 | В системном программировании | 1,71 В~3,465 В | |||||||||||||||||||||||||
| LAMXO640C-3FTN256E | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LA-MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lamxo256c3tn100e-datasheets-9604.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 3,465 В | 1,71 В | 256 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 17 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 1 мм | ЛАМСО640 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 768Б | 159 | СРАМ | 4,9 нс | 159 | 25 МГц | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | 80 | 640 | В системном программировании | 1,71 В~3,465 В | 4,9 нс | |||||||||||||||||||||||
| LC4128ZC-75TN100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000Z | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 168 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 1,4 мм | 14 мм | 1,8 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 100 | да | EAR99 | ДА | 168 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4128 | 100 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 10 | ДА | 1,7 В~1,9 В | 8 | |||||||||||||||||||||||||
| LC4128ZE-5UMN132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000ZE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 168 мкА | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4032ze7tn48c-datasheets-8771.pdf | 132-ВФБГА | 6 мм | 6 мм | 1,8 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 132 | EAR99 | ДА | 200 МГц | не_совместимо | 168 мкА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 0,4 мм | LC4128 | 132 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 96 | ЭСППЗУ | 64 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 8 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,7 В~1,9 В | 5,8 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| М4А3-128/64-55ВНЦ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | 100 | 10 недель | 3,6 В | 3В | 100 | да | EAR99 | ДА | 167 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | М4А3-128 | 100 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 5,5 нс | 5,5 нс | 224 | 5000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 2 | ДА | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||
| М4А3-256/128-7YNC | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 208 | 3,6 В | 3В | 208 | да | EAR99 | ДА | 182 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 3,3 В | 0,5 мм | М4А3-256 | 208 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 10000 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 14 | ДА | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256V-75FTN256AI | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12,5 мА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 3,6 В | 3В | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 12,5 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 1 мм | LC4256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 160 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | ДА | 3В~3,6В | 7,5 нс | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||
| М4А5-128/64-10ЙНИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,4 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 100-БКФП | 20 мм | 14 мм | Без свинца | 100 | 10 недель | 5,5 В | 4,5 В | да | EAR99 | ДА | 182 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 5В | 0,65 мм | М4А5-128 | 100 | 40 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | 64 | ЭСППЗУ | 10 нс | 5000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 2 | ДА | 4,5 В~5,5 В | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LC4064B-10TN44I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12 мА | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 2,5 В | Без свинца | 44 | 2,7 В | 2,3 В | 44 | да | EAR99 | ДА | 400 МГц | 12 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,8 мм | LC4064 | 44 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 30 | ЭСППЗУ | 10 нс | 208 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 4 | В системном программировании | 2 | ДА | 2,3 В~2,7 В | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| LC4128C-75TN128C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 128-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,8 В | Без свинца | 128 | 1,95 В | 1,65 В | да | EAR99 | ДА | 333 МГц | 2мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,4 мм | LC4128 | 128 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 92 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 484 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 264 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 7,5 нс | 8 | ||||||||||||||||||||||||||
| LC4256B-5FTN256AI | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12,5 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 2,5 В | Без свинца | 256 | 2,7 В | 2,3 В | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 12,5 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 1 мм | LC4256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 5 нс | 160 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | ДА | 2,3 В~2,7 В | 5нс | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LC4128C-10TN128I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 125 МГц | 2мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 128-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,8 В | Без свинца | 128 | 1,95 В | 1,65 В | да | EAR99 | ДА | 2мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,4 мм | LC4128 | 128 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 92 | ЭСППЗУ | 10 нс | 484 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 8 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| LC4512B-5FTN256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 14 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 2,5 В | Без свинца | 256 | 2,7 В | 2,3 В | 256 | да | EAR99 | ДА | 227,27 МГц | 8542.39.00.01 | 14 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 1 мм | LC4512 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 208 | ЭСППЗУ | 5 нс | 512 | МАКРОКЛЕТКА | 32 | В системном программировании | 4 | ДА | 2,3 В~2,7 В | 5нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| LC4512C-35TN176C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 176-LQFP | 24 мм | 24 мм | 1,8 В | Без свинца | 176 | 1,95 В | 1,65 В | 176 | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 4мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4512 | 176 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 3,5 нс | 48 | 512 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 3,5 нс | 32 | |||||||||||||||||||||||||
| LC4256C-5FTN256BI | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,5 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 1,8 В | Без свинца | 256 | 1,95 В | 1,65 В | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 2,5 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 1 мм | LC4256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 160 | ЭСППЗУ | 5 нс | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 5нс | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| M4A5-32/32-7JNC | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 4,572 мм | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 44-LCC (J-вывод) | 16,5862 мм | 16,5862 мм | Без свинца | 44 | 10 недель | 5,25 В | 4,75 В | 64 | да | EAR99 | ДА | 182 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 5В | 1,27 мм | М4А5-32 | 44 | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQCC-J44 | 32 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 32 | 1250 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 4,75 В~5,25 В | 7,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| LC5512MV-45QN208C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPLD® 5000МВ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 333 МГц | 33 мА | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc5512mc75q208c-datasheets-2433.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 3,3 В | Без свинца | 208 | 3,6 В | 3В | 208 | да | EAR99 | ДА | Нет | 8542.39.00.01 | 33 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 3,3 В | 0,5 мм | LC5512 | 208 | 40 | Программируемые логические устройства | 149 | ЭСППЗУ, ОЗУ | 32 КБ | 4,5 нс | 4,5 нс | 256 | 512 | МАКРОКЛЕТКА | 16 | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||
| LC4128B-75TN128C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12 мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 128-LQFP | 14 мм | 14 мм | 2,5 В | Без свинца | 128 | 2,7 В | 2,3 В | да | EAR99 | ДА | 333 МГц | 12 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,4 мм | LC4128 | 128 | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 92 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 484 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | ДА | 2,3 В~2,7 В | 7,5 нс | 8 | |||||||||||||||||||||||||||
| LC4256C-10FTN256BI | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,5 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 1,8 В | Без свинца | 256 | 1,95 В | 1,65 В | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 2,5 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 1 мм | LC4256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 160 | ЭСППЗУ | 10 нс | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 16 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4384B-5FTN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 13,5 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 2,5 В | Без свинца | 256 | 2,7 В | 2,3 В | 256 | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 13,5 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 1 мм | LC4384 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 192 | ЭСППЗУ | 5 нс | 384 | МАКРОКЛЕТКА | 24 | В системном программировании | 4 | ДА | 2,3 В~2,7 В | 5нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 1016-80LT44 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000 | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi101690lt44-datasheets-2733.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 44 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Оловянный свинец | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | ИСПЛСИ 1016 | 44 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G44 | 32 | 20 нс | 50 МГц | 2000 г. | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 1 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 15нс | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LC5256MB-4FN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPLD® 5000 МБ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 26 мА | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc5512mc75q208c-datasheets-2433.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Без свинца | 256 | 2,7 В | 2,3 В | да | EAR99 | ДА | 300 МГц | 26 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 2,5 В | 1 мм | LC5256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 141 | ЭСППЗУ, ОЗУ | 100 | 75000 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 8 | В системном программировании | ДА | 2,3 В~2,7 В | 4нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 1032EA-100LT100 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000EA | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi1032ea125lt100-datasheets-2826.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 100 | нет | EAR99 | ДА | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 1032 | 100 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | Программируемые логические устройства | 3,3/55 В | Не квалифицирован | S-PQFP-G100 | 64 | 10 нс | 77 МГц | 6000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 2 | ДА | 4,75 В~5,25 В | 10 нс | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2032А-80ЛТН48И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000A | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2032a110lj44-datasheets-1904.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 48 | да | EAR99 | ДА | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 2032 | 48 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | 32 | 57 МГц | 1000 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | НЕТ | 4,5 В~5,5 В | 15нс | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2032Э-110ЛТ48 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000E | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2032e180lt48-datasheets-3096.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 48 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 2032 | 48 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | Программируемые логические устройства | 3,3/55 В | Не квалифицирован | 32 | 13 нс | 77 МГц | 1000 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 10 нс | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2064А-80ЛТН100И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000A | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2064a80lt100i-datasheets-2044.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 100 | да | EAR99 | ДА | совместимый | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 2064 | 100 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G100 | 64 | 18,5 нс | 57 МГц | 2000 г. | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | НЕТ | 4,5 В~5,5 В | 15нс | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2096E-180LQ128 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000E | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2096e180lt128-datasheets-3352.pdf | 128-БКФП | 28 мм | 28 мм | 128 | нет | EAR99 | НАСТРАИВАЕМАЯ РАБОТА ВВОДА/ВЫВОДА С НАПРЯЖЕНИЕМ 3,3 В ИЛИ 5 В | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 0,8 мм | ИСПЛСИ 2096 | 128 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | Программируемые логические устройства | 3,3/55 В | Не квалифицирован | S-PQFP-G128 | 96 | 5 нс | 125 МГц | 4000 | 96 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 3 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 5нс | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2064ВЭ-135ЛТН100И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000VE | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2064ve100lt44-datasheets-2029.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 100 | да | EAR99 | ДА | совместимый | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 2064 | 100 | 3,6 В | 3В | 40 | Программируемые логические устройства | 3,3 В | Не квалифицирован | S-PQFP-G100 | 64 | 7,5 нс | 100 МГц | 2000 г. | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | НЕТ | 3В~3,6В | 7,5 нс | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2128ВЭ-250ЛБ100 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000VE | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,5 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2128ve135lt176-datasheets-2255.pdf | 100-LFBGA | 10 мм | 10 мм | 100 | EAR99 | ДА | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 240 | 3,3 В | 0,8 мм | ИСПЛСИ 2128 | 100 | 3,6 В | 3В | 30 | Программируемые логические устройства | 3,3 В | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б100 | 64 | 6 нс | 158 МГц | 6000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | НЕТ | 3В~3,6В | 4нс | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2096E-135LQ128 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000E | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2096e180lt128-datasheets-3352.pdf | 128-БКФП | 28 мм | 28 мм | 128 | нет | EAR99 | НАСТРАИВАЕМАЯ РАБОТА ВВОДА/ВЫВОДА С НАПРЯЖЕНИЕМ 3,3 В ИЛИ 5 В | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 0,8 мм | ИСПЛСИ 2096 | 128 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | Программируемые логические устройства | 3,3/55 В | Не квалифицирован | S-PQFP-G128 | 96 | 7,5 нс | 100 МГц | 4000 | 96 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 3 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 7,5 нс | 24 |
