Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешетка полупроводниковая(8880)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Оценочный комплект | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Скорость передачи данных | Количество входов/выходов | Тип памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Архитектура | Количество выходов | Мощность — Выход | Количество программируемых входов/выходов | Содержание | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Тактовая частота | Количество ворот | Количество макроячеек | Тип антенны | Выходная функция | Программируемый тип | Количество выделенных входов | Количество условий продукта | JTAG BST | Источник напряжения — внутренний | Время задержки tpd(1) Макс. | Количество логических элементов/блоков |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ГАЛ20РА10Б-10ЛП | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®20РА10 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~75°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 71,4 МГц | 5,334 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 24-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 31,75 мм | 7,62 мм | 5В | Без свинца | 24 | 5,25 В | 4,75 В | 24 | EAR99 | РЕГИСТРАЦИЯ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ЗАГРУЗКИ; СБРОС ПРИ ВКЛЮЧЕНИИ ПИТАНИЯ | Нет | 8542.39.00.01 | 100 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДВОЙНОЙ | 5В | 2,54 мм | ГАЛ20РА10 | 24 | Программируемые логические устройства | 5В | 10 | 10 нс | 10 нс | PAL-ТИП | 10 | 10 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 10 | 80 | 4,75 В~5,25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М5ЛВ-384/160-12ЙИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МАШ® 5 | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1995 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m51286810yc1-datasheets-1323.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | EAR99 | ДА | 71,4 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | М5ЛВ-384 | 208 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | S-PQFP-G208 | 160 | ЭСППЗУ | 12 нс | 48 | 15000 | 384 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ22В10Д-10ЛПНИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®22В10 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 125 МГц | 5,334 мм | Соответствует RoHS | 1996 год | /files/latticesemiconductorcorporation-gal22v10d15qp-datasheets-1713.pdf | 24-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 31,75 мм | 7,62 мм | 5В | Без свинца | 24 | 5,5 В | 4,5 В | 24 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | 160 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 5В | 2,54 мм | ГАЛ22В10 | 24 | Программируемые логические устройства | 5В | 10 | 10 нс | 10 нс | PAL-ТИП | 10 | 10 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 11 | 132 | 4,5 В~5,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ22ЛВ10К-10ЛДЖН | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®22LV10 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~75°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 111 МГц | 4,572 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 11,5062 мм | 11,5062 мм | Без свинца | 28 | 3,6 В | 3В | 28 | EAR99 | неизвестный | 8542.39.00.01 | 75 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | ГАЛ22LV10 | 28 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 10 | 10 нс | 10 нс | PAL-ТИП | 10 | 10 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 11 | 132 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ26CV12C-10LJI | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®26CV12 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 105 МГц | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 11,5062 мм | 11,5062 мм | 5В | Содержит свинец | 28 | 5,5 В | 4,5 В | 28 | EAR99 | РЕГИСТРАЦИЯ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ЗАГРУЗКИ; СБРОС ПРИ ВКЛЮЧЕНИИ ПИТАНИЯ | Нет | 8542.39.00.01 | 150 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 5В | 1,27 мм | ГАЛ26CV12 | 28 | Программируемые логические устройства | 5В | 12 | 10 нс | 10 нс | PAL-ТИП | 12 | 12 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 13 | 122 | 4,5 В~5,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 1024-90ЛДЖ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000 | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi102460lji-datasheets-3870.pdf | 68-LCC (J-вывод) | 68 | EAR99 | неизвестный | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 225 | 5В | 1,27 мм | ИСПЛСИ 1024 | 68 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQCC-N68 | 48 | 17 нс | 58,8 МГц | 4000 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 2 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 12нс | 24 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2064А-125ЛДЖН84 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000A | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 4,572 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2064a80lt100i-datasheets-2044.pdf | 84-LCC (J-вывод) | 84 | 10 недель | да | EAR99 | ДА | совместимый | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 5В | 1,27 мм | ИСПЛСИ 2064 | 84 | 5,25 В | 4,75 В | 40 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQCC-J84 | 64 | 10 нс | 100 МГц | 2000 г. | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 7,5 нс | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2032ВЭ-110ЛДЖ44 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000VE | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2032ve110lt44-datasheets-1935.pdf | 44-LCC (J-вывод) | 44 | нет | EAR99 | ДА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | ИСПЛСИ 2032 | 44 | 3,6 В | 3В | 30 | Программируемые логические устройства | 3,3 В | Не квалифицирован | S-PQCC-J44 | 32 | 13 нс | 77 МГц | 1000 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | НЕТ | 3В~3,6В | 10 нс | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОД6210 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Коробка | 1 (без ограничений) | 59 ГГц~65 ГГц | Модуль | 10 недель | 3,3 В | 6 Гбит/с | 3 дБм | СиБим | I2C, USB | ОК | Интегрированный, Трассировка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ26В12К-10ЛДЖ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®26В12 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~75°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 125 МГц | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 11,5062 мм | 11,5062 мм | 5В | 28 | 5,25 В | 4,75 В | 28 | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | 130 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 1,27 мм | ГАЛ26В12 | 28 | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | 12 | 10 нс | 10 нс | PAL-ТИП | 12 | 12 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 12 | 122 | 4,75 В~5,25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Р9531АН | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ16В8Д-15QJ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®16В8 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~75°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | КМОП | 62,5 МГц | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/latticesemiconductorcorporation-gal16v8d7lp-datasheets-9519.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 5В | Без свинца | 20 | 99 недель | 5,25 В | 4,75 В | 20 | нет | EAR99 | Нет | 55 мА | е0 | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 1,27 мм | ГАЛ16В8 | 20 | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | 8 | 15 нс | 15 нс | PAL-ТИП | 8 | 8 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 8 | 64 | 4,75 В~5,25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PCI-T64-XM-U6 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pcit64x2u6-datasheets-4506.pdf | 1 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М5ЛВ-384/160-10ЙИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МАШ® 5 | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1995 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m51286810yc1-datasheets-1323.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | EAR99 | ДА | 83,3 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | М5ЛВ-384 | 208 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | S-PQFP-G208 | 160 | ЭСППЗУ | 10 нс | 48 | 15000 | 384 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВТЕРБ-БЛК-Х2-УТ4 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-vterbblkpmut4-datasheets-4601.pdf | 1 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ16В8Д-15ЛДЖИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®16В8 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | КМОП | 62,5 МГц | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-gal16v8d7lp-datasheets-9519.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 5В | Без свинца | 20 | 5,5 В | 4,5 В | 20 | нет | EAR99 | Нет | 130 мА | е0 | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 1,27 мм | ГАЛ16В8 | 20 | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | 8 | 15 нс | 15 нс | PAL-ТИП | 8 | 8 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 8 | 64 | 4,5 В~5,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СПИ-42-Е3-У3 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/latticesemiconductorcorporation-spi42e3u3-datasheets-4739.pdf | 1 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-35EA-HMI-ДКН | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПЛИС | ЕСР3 | Коробка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe335eahmidkn-datasheets-8353.pdf | 12 В | Без свинца | 4 недели | Да | Плата(ы), Источник питания | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТУРБО-ДЕКО-П2-УТ3 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | ispLeverCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-turbodecoe2ut3-datasheets-4747.pdf | 1 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256ZE-B-EVN | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CPLD | ispMACH®4000ZE | Коробка | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256zebevn-datasheets-0848.pdf | 3,3 В | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | USB | Да | Плата(ы), Кабель(и) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PCI-T64-E2-UT6 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pcit64x2u6-datasheets-4506.pdf | 1 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3D-9400HC-D-EVN | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПЛИС | МахаXO3D | Коробка | 1 (без ограничений) | 8 недель | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DLACE-X2-UT1 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HW-VID-KIT | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПЛИС | ЕСП2 | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-hwvidkit-datasheets-2252.pdf | Да | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДАФИР-ГЕН-ПМ-У1 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/latticesemiconductorcorporation-dafirgenxmut2-datasheets-4593.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ORT82G5-G2-PAC-EV | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПЛИС | ORCA® Серия 4 | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ort82g5g2pacev-datasheets-2407.pdf | Да | Плата(ы), кабель(и), блок питания | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМА-МС-О4-Н2 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | ispLeverCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-dmamco4n2-datasheets-8776.pdf | 1 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC20E-L-EV | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПЛИС | ЕС | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | Да | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DDRCT-NP-XM-N3 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | ispLeverCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ddrctahbo4n1-datasheets-8723.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISPLSI2032VE-110LB49I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | Соответствует RoHS |
