IXYS / Литтелфуз(10406)

Имя	Производитель	Количество	Статус детали	Тип	Ряд	Устанавливать	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Размер / Размер	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Технология	Режим работы	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Напряжение — номинальный постоянный ток	Текущий рейтинг	Пакет/кейс	Длина	Высота	Ширина	Без свинца	Количество окончаний	Время выполнения заказа на заводе	ДОСТИГНУТЬ СВХК	Сопротивление	Количество контактов	Количество водителей	Код Pbfree	ECCN-код	Дополнительная функция	Радиационная закалка	Достичь кода соответствия	Номинальный ток питания	Код JESD-609	Терминал отделки	Приложения	Поверхностный монтаж	Максимальная рассеиваемая мощность	Терминальная позиция	Терминальная форма	Пиковая температура оплавления (Цел)	Базовый номер детали	Количество контактов	Конфигурация элемента	Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	Рассеяние мощности	Количество элементов	Подкатегория	Количество цепей	Статус квалификации	Код JESD-30	Пакет устройств поставщика	Выходное напряжение	Выходной ток	Включить время задержки	Время подъема	Осень (тип.)	Время задержки выключения	Непрерывный ток стока (ID)	Напряжение от затвора до источника (Vgs)	Материал транзисторного элемента	Конфигурация	Соединение корпуса	Применение транзистора	Напряжение стока к источнику (Vdss)	DS Напряжение пробоя-мин.	Технология полевых транзисторов	Пороговое напряжение	Рассеиваемая мощность-Макс.	Удерживать ток	Код JEDEC-95	Время восстановления	Напряжение @ Pmpp	Мощность (Вт) — Макс.	Текущий @ Pmpp	Напряжение – разомкнутая цепь	Ток – короткое замыкание (Isc)	Тип триггерного устройства	Напряжение – прерывание	Напряжение – зажим	Максимальный ток стока (Abs) (ID)	Максимальный импульсный ток стока (IDM)	Источник стока при максимальном сопротивлении	Рейтинг лавинной энергии (Eas)	Напряжение пробоя стока к источнику	Тип полевого транзистора	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Особенность полевого транзистора	Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено)	ВГС (Макс)
IXFH60N50P3	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		HiPerFET™, Polar3™	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует ROHS3	2012 год	/files/ixys-ixfh60n50p3-datasheets-1724.pdf			ТО-247-3	16,26 мм	21,46 мм	5,3 мм	Без свинца	3	30 недель	Нет СВХК		3			EAR99	ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ	Нет												3	Одинокий		1,04 кВт	1	Полевой транзистор общего назначения							18 нс	16 нс	8 нс	37 нс	60А	30 В	КРЕМНИЙ		ОСУШАТЬ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ				5В	1040 Вт Тс		ТО-247АД														500В	N-канал	6250пФ при 25 В	100 мОм при 30 А, 10 В	5 В при 4 мА	60А Тс	96 нК при 10 В		10 В	±30 В
IXTP96P085T	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ТренчП™	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует ROHS3	2010 год	/files/ixys-ixth96p085t-datasheets-1752.pdf			ТО-220-3				Без свинца	3	24 недели			3		да		ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ	Нет			е3	ЧИСТОЕ ОЛОВО								3	Одинокий		298 Вт	1	Другие транзисторы											96А	15 В	КРЕМНИЙ		ОСУШАТЬ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ	85В				298 Вт Тс		ТО-220АБ														-85В	P-канал	13100пФ при 25В	13 мОм при 48 А, 10 В	4 В @ 250 мкА	96А Тц	180 нК при 10 В		10 В	±15 В
MCB60P1200TLB-TRR	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать				Поверхностный монтаж														9-PowerSMD						28 недель																																										1200В																					4 N-канала (полумост)						Стандартный
ВВМ350-0075П	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать			Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°C~175°C, ТДж	Масса		1 (без ограничений)				РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует RoHS	2003 г.	/files/ixys-vwm3500075p-datasheets-4282.pdf			В2-ПАК					24							EAR99					е3	Матовый олово (Sn)				ВЕРХНИЙ	НЕУКАЗАНО	260				35		6			Не квалифицирован	Р-XUFM-X24								340А		КРЕМНИЙ	МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ	ИЗОЛИРОВАННЫЙ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ	75В	75В	МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК																0,0033Ом			6 N-каналов (3-фазный мост)		3,3 мОм при 250 А, 10 В	4 В @ 2 мА		450 нК при 10 В	Стандартный
GWM160-0055X1-SLSAM	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать			Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-55°C~175°C ТДж	Трубка		1 (без ограничений)					Соответствует RoHS	2011 г.	/files/ixys-gwm1600055x1sl-datasheets-5784.pdf			17-SMD, плоские выводы																									GWM160																	150А						55В																					6 N-каналов (3-фазный мост)		3,3 мОм при 100 А, 10 В	4,5 В при 1 мА		105 нК при 10 В	Стандартный
MTI85W100GC-СМД	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать				Поверхностный монтаж	-55°C~175°C ТДж							РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ						17-СМД, Крыло Чайки					17	28 недель						EAR99								ДА		ДВОЙНОЙ								6				Р-ПДСО-G17										КРЕМНИЙ	МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ	ИЗОЛИРОВАННЫЙ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ	100В	100В	МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК														110А		0,00395Ом			6 N-каналов (3-фазный мост)		4 м Ом при 80 А, 10 В	3,5 В при 150 мкА	120А Тс	88 нК при 10 В	Стандартный
GMM3X160-0055X2-СМД	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать			Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-55°C~175°C ТДж	Трубка		1 (без ограничений)				РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует ROHS3	2011 г.	/files/ixys-gmm3x1600055x2smdsam-datasheets-0376.pdf			24-СМД, Крыло Чайки					24							EAR99						Олово (984) Над никелем (39)				ДВОЙНОЙ				24				6	Полевой транзистор общего назначения		Не квалифицирован	Р-ПДСО-Г24								150А		КРЕМНИЙ	3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ	ИЗОЛИРОВАННЫЙ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ	55В	55В	МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК																0,0031Ом			6 N-каналов (3-фазный мост)			4 В при 1 мА		110 нК при 10 В	Стандартный
ВВМ270-0075X2	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать			Крепление на шасси	Крепление на шасси	-40°C~175°C, ТДж	Масса		1 (без ограничений)				РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует ROHS3	2011 г.	/files/ixys-vwm2700075x2-datasheets-0582.pdf			В2-ПАК					17				17			EAR99										ВЕРХНИЙ	НЕУКАЗАНО	НЕ УКАЗАН		24		НЕ УКАЗАН		6	Полевой транзистор общего назначения		Не квалифицирован									270А		КРЕМНИЙ	МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ	ИЗОЛИРОВАННЫЙ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ	75В	75В	МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК																0,0021 Ом			6 N-каналов (3-фазный мост)		2,1 мОм при 100 А, 10 В	4 В @ 500 мкА		360 нК при 10 В	Стандартный
IXFK180N25T	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ГигаМОС™	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует ROHS3	2009 год	/files/ixys-ixfk180n25t-datasheets-4968.pdf			ТО-264-3, ТО-264АА				Без свинца	3	30 недель			3		да	EAR99	ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ		неизвестный		е1	ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ				ОДИНОКИЙ		НЕ УКАЗАН		3		НЕ УКАЗАН		1	Полевой транзистор общего назначения		Не квалифицирован									180А		КРЕМНИЙ	ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ	ОСУШАТЬ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ	250 В	250 В			1390 Вт Тс													500А	0,0129Ом			N-канал	28000пФ при 25В	12,9 мОм при 60 А, 10 В	5 В @ 8 мА	180А Тс	345 нК при 10 В		10 В	±20 В
IXTQ22N50P	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ПоларХВ™	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует ROHS3	2006 г.	/files/ixys-ixtq22n50p-datasheets-2023.pdf	500В	22А	ТО-3П-3, СК-65-3				Без свинца	3	5 недель			3		да		ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ				е3	Матовый олово (Sn)						НЕ УКАЗАН		3	Одинокий	НЕ УКАЗАН	350 Вт	1	Полевой транзистор общего назначения		Не квалифицирован						27нс	21 нс	75 нс	22А	30 В	КРЕМНИЙ		ОСУШАТЬ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ					350 Вт Тс													50А	0,27 Ом	750 мДж	500В	N-канал	2630пФ при 25В	270 мОм при 11 А, 10 В	5,5 В @ 250 мкА	22А Тк	50 нК при 10 В		10 В	±30 В
IXTP120P065T	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ТренчП™	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует ROHS3	2013 год	/files/ixys-ixtp120p065t-datasheets-5518.pdf			ТО-220-3				Без свинца	3	24 недели			3		да	EAR99	ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ				е1	Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu)						НЕ УКАЗАН		3	Одинокий	НЕ УКАЗАН	298 Вт	1	Другие транзисторы		Не квалифицирован						28нс	21 нс	38 нс	120А	15 В	КРЕМНИЙ		ОСУШАТЬ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ	65В				298 Вт Тс		ТО-220АБ										0,12 А		0,01 Ом	1000 мДж	-65В	P-канал	13200пФ при 25В	10 м Ом при 500 мА, 10 В	4 В @ 250 мкА	120А Тс	185 нК при 10 В		10 В	±15 В
СМ940К12Л	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Монокристаллический	ИКСОЛАР™			-40°К~90°К	Масса	1,65 x 1,38 x 0,08 в 42,0 x 35,0 x 2,0 мм	Непригодный					Соответствует ROHS3		/files/ixys-sm940k12l-datasheets-5460.pdf			Клетки						9 недель																																																		6,7 В	245 МВт	36,6 мА	8,29 В	39мА
IXFN300N10P	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Полар™	Крепление на шасси	Крепление на шасси	-55°C~175°C ТДж	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует ROHS3	2008 год	/files/ixys-ixfn300n10p-datasheets-5694.pdf			СОТ-227-4, миниБЛОК					4	30 недель					да	EAR99	ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL					Никель (Ni)				ВЕРХНИЙ	НЕУКАЗАНО	НЕ УКАЗАН		4		НЕ УКАЗАН		1	Полевой транзистор общего назначения		Не квалифицирован	Р-ПУФМ-X4								295А		КРЕМНИЙ	ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ	ИЗОЛИРОВАННЫЙ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ	100В	100В			1070 Вт Тс													900А	0,0055Ом	3000 мДж		N-канал	23000пФ при 25В	5,5 мОм при 50 А, 10 В	5 В @ 8 мА	295А Тс	279 нК при 10 В		10 В	±20 В
СМ710К12Л	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Монокристаллический	ИКСОЛАР™			-40°К~90°К	Масса	1,28Дx1,30Ш x 0,08В 32,5x33,0x2,0 мм	Непригодный					Соответствует ROHS3		/files/ixys-sm710k12l-datasheets-5615.pdf			Клетки						9 недель																																																		6,7 В	184 МВт	27,4 мА	8,29 В	29,2 мА
IXFX360N15T2	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ГигаМОС™	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°C~175°C ТДж	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует ROHS3	2009 год	/files/ixys-ixfk360n15t2-datasheets-2200.pdf			ТО-247-3				Без свинца	3	30 недель			247	1	да	EAR99	ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ		неизвестный	100А	е1	ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ				ОДИНОКИЙ		НЕ УКАЗАН		3		НЕ УКАЗАН		1	Полевой транзистор общего назначения		Не квалифицирован	Р-ПСИП-Т3		150 В	360А	50 нс	170 нс	265 нс	115 нс	360А		КРЕМНИЙ	ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ	ОСУШАТЬ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ					1670 Вт Тс													900А	0,004 Ом			N-канал	47500пФ при 25В	4 м Ом при 60 А, 10 В	5 В @ 8 мА	360А Тк	715 нК при 10 В		10 В	±20 В
KXOB25-01X8F-TR	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Монокристаллический	ИКСОЛАР™			-40°К~90°К	Лента и катушка (TR)	0,87Дx0,28Ш x 0,07В 22,0x7,0x1,8 мм	3 (168 часов)					Соответствует ROHS3		/files/ixys-kxob2501x8f-datasheets-5502.pdf			Клетки						9 недель																																																		4,46 В	24,5 мВт	5,5 мА	5,53 В	5,9 мА
IXFX120N25P	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		PolarHT™ HiPerFET™	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°C~175°C ТДж	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует ROHS3	2006 г.	/files/ixys-ixfx120n25p-datasheets-7049.pdf			ТО-247-3				Без свинца	3	30 недель		24МОм	3		да	EAR99	ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ				е1	Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu)						НЕ УКАЗАН		3	Одинокий	НЕ УКАЗАН	700 Вт	1	Полевой транзистор общего назначения		Не квалифицирован						33нс	33 нс	130 нс	120А	20 В	КРЕМНИЙ		ОСУШАТЬ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ					700 Вт Тс															2500 мДж	250 В	N-канал	8000пФ при 25В	24 мОм при 60 А, 10 В	5 В при 4 мА	120А Тс	185 нК при 10 В		10 В	±20 В
CPC1822N	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Фотоэлектрический		Поверхностный монтаж		-40°К~85°К	Трубка	0,193Дx0,154Ш x 0,061В 4,90x3,90x1,55 мм	3 (168 часов)					Соответствует RoHS	2012 год	/files/ixysintegratedcircuitsdivision-cpc1822n-datasheets-5993.pdf			8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)				Без свинца					8						неизвестный																																												4,5 В	50 мкА
IXFK360N10T	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		GigaMOS™ HiPerFET™	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°C~175°C ТДж	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует ROHS3	2011 г.	/files/ixys-ixfk360n10t-datasheets-7419.pdf			ТО-264-3, ТО-264АА				Без свинца	3	30 недель					да	EAR99	ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ		неизвестный		е1	ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ				ОДИНОКИЙ		НЕ УКАЗАН		3		НЕ УКАЗАН		1	Полевой транзистор общего назначения		Не квалифицирован	Р-ПСФМ-Т3								360А		КРЕМНИЙ	ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ	ОСУШАТЬ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ	100В	100В			1250 Вт Тс													900А	0,0029Ом	3000 мДж		N-канал	33000пФ при 25В	2,9 мОм при 100 А, 10 В	5 В при 3 мА	360А Тк	525 нК при 10 В		10 В	±20 В
SLMD480H12	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Монокристаллический	ИКСОЛАР™				Трубка	1,378Д x 0,276 Ш x 0,079 В	1 (без ограничений)					Соответствует RoHS	2011 г.	/files/ixys-slmd121h08l-datasheets-5691.pdf			Ячейка (12)				Без свинца							да										109 МВт																																			6,06 В		18 мА	7,56 В	20 мА
IXFH26N50P3	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		HiPerFET™, Polar3™	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)		Соответствует ROHS3	2013 год	/files/ixys-ixfp26n50p3-datasheets-1510.pdf			ТО-247-3	16,26 мм	21,46 мм	5,3 мм			30 недель			3			EAR99		Нет													Одинокий		500 Вт	1								21 нс			38 нс	26А	30 В					500В				500 Вт Тс																	N-канал	2220пФ при 25В	230 мОм при 13 А, 10 В	5 В при 4 мА	26А Тк	42 нК при 10 В		10 В	±30 В
СЛМД360Х10Л	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Монокристаллический	ИКСОЛАР™				Масса	1,33 x 0,63 x 0,08 в 33,7 x 16,1 x 2,0 мм	1 (без ограничений)					Соответствует RoHS		/files/ixys-slmd360h10l-datasheets-6277.pdf			Клетки															совместимый																																									5,01 В	67мВт	13,4 мА	6,3 В	15 мА
IXFH9N80	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		HiPerFET™	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует ROHS3	1997 год	/files/ixys-ixfh9n80-datasheets-3591.pdf			ТО-247-3					3	8 недель			3		да		ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ											НЕ УКАЗАН		3	Одинокий	НЕ УКАЗАН	180 Вт	1	Полевой транзистор общего назначения		Не квалифицирован						15 нс	35 нс	70 нс	9А	20 В	КРЕМНИЙ		ОСУШАТЬ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ					180 Вт Тс			250 нс									9А		0,9 Ом		800В	N-канал	2600пФ при 25В	900 мОм при 500 мА, 10 В	4,5 В @ 2,5 мА	9А Тц	130 нК при 10 В		10 В	±20 В
IXBOD2-05	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать				Сквозное отверстие		Масса		1 (без ограничений)					Соответствует ROHS3	2013 год	/files/ixys-ixbod208-datasheets-8430.pdf			Радиальный						10 недель																								1																							20 мА								БЛОКИРОВКА РВС	500В
IXTQ82N25P	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		PolarHT™	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует ROHS3	2006 г.	/files/ixys-ixtq82n25p-datasheets-3903.pdf			ТО-3П-3, СК-65-3				Без свинца	3	24 недели			3		да	EAR99	ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ				е3	Матовый олово (Sn)						НЕ УКАЗАН		3	Одинокий	НЕ УКАЗАН	500 Вт	1			Не квалифицирован						20нс	22 нс	78 нс	82А	20 В	КРЕМНИЙ		ОСУШАТЬ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ					500 Вт Тс													200А		1000 мДж	250 В	N-канал	4800пФ при 25В	35 мОм при 41 А, 10 В	5 В @ 250 мкА	82А Тс	142 нК при 10 В		10 В	±20 В
IXBOD1-30R	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать			Сквозное отверстие	Печатная плата, сквозное отверстие		Трубка		1 (без ограничений)	125°С	-40°С	Смешанная технология		Соответствует ROHS3	2000 г.	/files/ixys-ixbod110-datasheets-4181.pdf		900 мА	Радиальный									2										Высокое напряжение													3			БПК																		30 мА										3000В 3кВ
IXTQ44N50P	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ПоларХВ™	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует ROHS3	2006 г.	/files/ixys-ixtq44n50p-datasheets-4077.pdf			ТО-3П-3, СК-65-3					3	24 недели			3		да		ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ		неизвестный		е3	Матовый олово (Sn)						НЕ УКАЗАН		3	Одинокий	НЕ УКАЗАН	650 Вт	1			Не квалифицирован						27нс	21 нс	75 нс	44А	30 В	КРЕМНИЙ		ОСУШАТЬ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ					658 Вт Тс													110А	0,14 Ом	1700 мДж	500В	N-канал	5440пФ при 25В	140 мОм при 22 А, 10 В	5 В @ 250 мкА	44А Тк	98 нК при 10 В		10 В	±30 В
IXBOD1-16RD	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать			Сквозное отверстие	Печатная плата, сквозное отверстие		Масса		1 (без ограничений)	125°С	-40°С	Смешанная технология		Соответствует ROHS3	2000 г.	/files/ixys-ixbod110-datasheets-4181.pdf		1,25 А	Радиальный						10 недель			2										Высокое напряжение													2			БПК																		30 мА										1600В 1,6кВ
IXFK120N30T	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ГигаМОС™	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ	Соответствует ROHS3	2009 год	/files/ixys-ixfk120n30t-datasheets-4284.pdf			ТО-264-3, ТО-264АА					3	30 недель					да	EAR99	ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ		неизвестный		е1	ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ				ОДИНОКИЙ		НЕ УКАЗАН		3		НЕ УКАЗАН		1	Полевой транзистор общего назначения		Не квалифицирован	Р-ПСФМ-Т3								120А		КРЕМНИЙ	ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ	ОСУШАТЬ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ	300В	300В			960 Вт Тс													330А	0,024 Ом	2500 мДж		N-канал	20000пФ при 25В	24 мОм при 60 А, 10 В	5 В при 4 мА	120А Тс	265 нК при 10 В		10 В	±20 В
IXBOD1-40R	IXYS / Литтльфус	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать			Сквозное отверстие	Печатная плата, сквозное отверстие		Масса		1 (без ограничений)	125°С	-40°С	Смешанная технология		Соответствует ROHS3	2000 г.	/files/ixys-ixbod110-datasheets-4181.pdf		700 мА	Радиальный									2										Высокое напряжение													4			БПК																		30 мА										4000В 4кВ

IXYS / Литтелфуз(10406)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии