| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Высота | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Количество контактов | ECCN-код | Радиационная закалка | Текущий | Идентификатор упаковки производителя | Напряжение — вход (макс.) | Приложения | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Тип выхода | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Пороговое напряжение | Конфигурация выхода | Напряжение – изоляция | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальное напряжение пробоя | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Топология | Напряжение - Выход (Макс.) | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Напряжение — выход | Затемнение | Внутренний переключатель(и) | Напряжение-питание (мин) | Напряжение-питание (макс.) | Ток - Выход | Напряжение — выход (мин./фикс.) | Напряжение пробоя стока к источнику | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Количество регуляторов | Падение напряжения (макс.) | ПССР | Условия испытания | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОЗ8132ДИ-26 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ1948АИ#А | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Контроллер постоянного тока | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Подсветка, Освещение | 8-СОИК | 1 | Понижение (Бак) | ШИМ | Нет | 8В | 16В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ1977АИ | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Контроллер постоянного тока | EZBoost™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100 кГц 350 кГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 30В | Подсветка | 1 | Повышение (Усиление) | 16В | ШИМ | Нет | 8В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АИМ5Д05К060М2С | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | Модуль 23-PowerDIP (0,748, 19,00 мм) | 18 недель | 5А | 600В | 3-фазный инвертор | 2000 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ1117TI-AAL_2 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoz1117tiaal2-datasheets-4761.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 14 В | ТО-252 (ДПАК) | Регулируемый | Позитивный | 5В | 1А | 1,25 В | 1 | 1,4 В при 1 А | 60 дБ (120 Гц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ20Б65М1 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | 227 Вт | ТО-220 | 227 Вт | 322 нс | 650В | 2,15 В | 40А | 650В | 40А | 400В, 20А, 15Ом, 15В | 2,15 В @ 15 В, 20 А | 46 нК | 60А | 26 нс/122 нс | 470 мкДж (вкл.), 270 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК75B65H1 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | 18 недель | 556 Вт | 295 нс | 650В | 150А | 400 В, 75 А, 4 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 75 А | 109 нК | 225А | 47 нс/175 нс | 3,77 мДж (вкл.), 2,04 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ15Б65М1 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | 214 Вт | ТО-263 (Д2Пак) | 214 Вт | 650В | 317 нс | 650В | 2,15 В | 30А | 650В | 30А | 400В, 15А, 20Ом, 15В | 2,15 В при 15 В, 15 А | 32 нК | 45А | 13 нс/116 нс | 290 мкДж (вкл.), 200 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ20Б65М2 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 | 18 недель | 45 Вт | ТО-220 | 45 Вт | 292 нс | 650В | 2,15 В | 40А | 650В | 40А | 400В, 20А, 15Ом, 15В | 2,15 В @ 15 В, 20 А | 46 нК | 60А | 26 нс/123 нс | 580 мкДж (вкл.), 280 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4818B | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 8 | 2 Вт | 8,5 А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 8А | 18 нК @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН3611 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aon3611-datasheets-0970.pdf | 8-SMD, плоский вывод | 18 недель | 8 | 2,5 Вт | Другие транзисторы | 6А | N-КАНАЛ И P-КАНАЛ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,1 Вт 2,5 Вт | 6А | N и P-каналы, общий сток | 170пФ при 15В | 50 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 5А 6А | 10 нК @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4614Б | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 8 | 2 Вт | 2 Вт | 2 | 5А | 20 В | 40В | N и P-канал | 650пФ при 20В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А 5А | 10,8 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6290 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | Без свинца | 18 недель | 8 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 208 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 85А | 20 В | Одинокий | 100В | 7,3 Вт Та 208 Вт Тс | N-канал | 4600пФ при 50В | 4,6 мОм при 20 А, 10 В | 3,4 В при 250 мкА | 28А Та 85А Тс | 90 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД403 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 3 | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 90 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 70А | 25 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 30В | 2,5 Вт Та 90 Вт Тс | 200А | 0,008 Ом | P-канал | 5300пФ при 15В | 6 м Ом при 20 А, 20 В | 3,5 В @ 250 мкА | 15А Та 70А Тс | 120 нК при 10 В | 10 В 20 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3413 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 18 недель | 3 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,4 Вт | 1 | 3А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 1,4 Вт Та | 0,08 Ом | P-канал | 540пФ при 10В | 97 мОм при 3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3А Та | 6,1 нК @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО7800 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/alphaomegasemiconductor-ao7800-datasheets-8763.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 18 недель | 6 | 300мВт | 300мВт | 2 | 900 мА | 8В | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 120пФ при 10В | 300 мОм при 900 мА, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 1,9 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOTE32136C | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 20 В | 1,5 Вт Та | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 660пФ при 10 В | 20 мОм при 7 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 7А Та | 14 нК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOCA24108E | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 6-SMD, без свинца | 18 недель | 12 В | 2,2 Вт Та | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 7,5 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 14А Та | 15 нК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7934 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-WDFN Открытая площадка | 16 недель | 2,5 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 15А | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 18А | 2 N-канала (полумост) | 485пФ при 15В | 10,2 мОм при 13 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 13А 15А | 11 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО7600 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1,1 мм | 6 | Нет | СК-70-6Л | 300мВт | 300мВт | 2 | 150°С | 600 мА | 8В | 500мВ | 20 В | N и P-канал | 120пФ при 10В | 300 мОм при 900 мА, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 900 мА 600 мА | 1,9 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6810 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 8-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 18 недель | 4,1 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 25А | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,1 Вт | 20А | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1720пФ при 15В | 4,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 34 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD607_DELTA | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2008 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-aod607001-datasheets-1138.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | 30В | 25 Вт Тс | Дополняющие N и P-каналы | 1250пФ при 15В 1100пФ при 15В | 25 мОм при 12 А, 10 В, 37 м Ом при 12 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА, 2,4 В при 250 мкА | 12А Тс | 12,5 нК при 4,5 В, 11,7 нК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4616L_103 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30В | 2 Вт | N и P-канал | 1250пФ при 15В 1573пФ при 15В | 20 мОм при 8,1 А, 10 В, 25 м Ом при 7,1 А, 10 В | 3 В при 250 мкА, 2,7 В при 250 мкА | 8,1 А Та 7,1 А Та | 19,2 нК при 10 В, 30,9 нК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7900 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-PowerWDFN | 8 | 1,8 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 13А | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40А | 2 N-канала (полумост) | 710пФ при 15 В | 21 мОм при 8 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 8А 13А | 11 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7902 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerWDFN | 8 | 1,8 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 13А | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40А | 2 N-канала (полумост) | 710пФ при 15 В | 21 мОм при 8 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 8А 13А | 11 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД2Н60 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 18 недель | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 56,8 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 2А | 30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 56,8 Вт Тс | 2А | 8А | N-канал | 325пФ при 25В | 4,4 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 11 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6934А | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aon6934a-datasheets-2609.pdf | 8-PowerVDFN | 16 недель | 8 | 4,3 Вт | 30А | 30В | 3,6 Вт 4,3 Вт | 2 N-канала (полумост) | 1037пФ при 15В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 22А 30А | 22 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4801HL | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4821Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-ao4821l-datasheets-6693.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 9А | 12 В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 2100пФ при 6В | 19 мОм при 9 А, 4,5 В | 850 мВ при 250 мкА | 23 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4818BL_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 8-СО | 888пФ | 8А | 30В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 8А | 18 нК @ 10 В | Ворота логического уровня | 19 мОм |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.