Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактAlpha & Omega Semiconductor Inc. (5074)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Операционный режим | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Высота | Свободно привести | Количество терминаций | Время выполнения завода | Количество булавок | PBFREE CODE | Код ECCN | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Подсчет штифтов | Количество каналов | Время@Пиковой температуру (я) | Рассеяние власти | Количество элементов | Подкатегория | Квалификационный статус | Максимальная температура соединения (TJ) | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Входная емкость | Включить время задержки | Отключить время задержки | Непрерывный ток дренажа (ID) | Веревка к источническому напряжению (VGS) | Материал транзистора | Конфигурация | Случайный соединение | Приложение транзистора | Слейте до источника напряжения (VDS) | DS Breakdown Trastage-Min | Пороговое напряжение | Сила - Макс | Power Dissipation-Max | Дренажный ток-ток (ABS) (ID) | Импульсный ток сливного тока (IDM) | Дренажный источник на сопротивлении-макс | Слив до источника напряжения разбивки | Тип FET | Входная емкость (ciss) (max) @ vds | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C | Заряд затвора (qg) (max) @ vgs | FET функция | RDS на макс | Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) | VGS (макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AO5804EL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 2008 | SOT-563, SOT-666 | соответствие | 20 В | 280 МВт | 2 N-канал (двойной) | 45pf @ 10 В. | 550 м ω @ 500 мА, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 500 мА | 1nc @ 4,5 В. | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOB27S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 1,52 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Amos ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2011 год | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | Свободно привести | 16 недель | 357 Вт | 1 | Фет общего назначения | 27а | 30 В | Одинокий | 600 В. | 357W TC | N-канал | 1294pf @ 100v | 160 м ω @ 13,5a, 10v | 4 В @ 250 мкА | 27a tc | 26NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSS62934 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Alphasgt ™ | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | До 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 18 недель | 100 В | 1,4 Вт та | N-канал | 250pf @ 50 В. | 140 м ω @ 2a, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 2а та | 3.8NC @ 10 В. | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO3401A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Вырезать ленту (CT) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2011 год | До 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 1,25 мм | Свободно привести | 3 | 3 | да | Ear99 | Нет | Двойной | Крыло Печата | 3 | 1 | 1,4 Вт | 1 | 150 ° C. | 6,5 нс | 41 нс | -4a | 12 В | Кремний | Сингл со встроенным диодом | Переключение | 30 В | -900 мВ | 1,4 Вт та | 4а | 0,05om | -30 В. | P-канал | 1200pf @ 15v | 44 м ω @ 4,3а, 10 В | 1,3 В @ 250 мкА | 4а та | 12.2nc @ 4,5 В. | 2,5 В 10 В. | ± 12 В. | ||||||||||||||||||||||||
| AOD514 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,56 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2011 год | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | Свободно привести | 16 недель | 3 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | FET Общее назначение власти | 54а | Одинокий | 30 В | 2,5 Вт TA 50W TC | 46а | N-канал | 951pf @ 15v | 6,5 мм ω @ 20a, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 17A TA 46A TC | 22.5nc @ 10v | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD21357 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 В | 78W TC | P-канал | 2830pf @ 15v | 8m ω @ 20a, 10 В | 2,3 В при 250 мкА | 70A | 70NC @ 10V | 10 В | ± 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Aous66616 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Alphasgt ™ | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 3-Powersmd, плоские отведения | 18 недель | 60 В | 6,2 Вт TA 92,5W TC | N-канал | 2870pf @ 30v | 3,3 мм ω @ 20a, 10 В | 3,4 В @ 250 мкА | 33A TA 92A TC | 60NC @ 10 В. | 6 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOB29S50L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 2,80 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Amos ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Digi-Reel® | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2011 год | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 18 недель | 29а | 500 В. | 357W TC | N-канал | 1312pf @ 100v | 150 м ω @ 14.5a, 10 В | 3,9 В @ 250 мкА | 29A TC | 26.6nc @ 10v | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6510 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 25,53 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | Rohs Compliant | 2011 год | 8-Powersmd, плоские отведения | 16 недель | 8-DFN (5x6) | 2.16nf | 32а | 30 В | 5 Вт TA 46W TC | N-канал | 2160PF @ 15V | 4,4mohm @ 20a, 10v | 2,2 В при 250 мкА | 28A TA 32A TC | 42NC @ 10V | 4,4 МОм | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOTF66920L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Alphasgt ™ | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | До 220-3 полная упаковка | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 100 В | 8,3 Вт TA 27,5W TC | N-канал | 2500pf @ 50 В. | 8,2 мм ω @ 20a, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 22.5A TA 41A TC | 50NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOB190A60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,54 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 600 В. | 208W TC | N-канал | 1935pf @ 100v | 190m ω @ 7,6a, 10 В | 4,6 В при 250 мкА | 20А TC | 34NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON1605 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemonductor-aon1605-datasheets-3701.pdf | 3-ufdfn | 18 недель | 3 | 3-DFN (1,0 х 0,60) | 50pf | 700 мА | 20 В | 900 МВт ТА | P-канал | 50pf @ 10 В. | 710MOHM @ 400MA, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 700 мА та | 750NC @ 4,5 В. | 710 МОм | 1,5 В 4,5 В. | ± 8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON7752 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,11 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Digi-Reel® | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2013 | 8-powervdfn | Свободно привести | FET Общее назначение власти | 15A | Одинокий | 30 В | 3,1 Вт TA 20W TC | 16A | N-канал | 605pf @ 15v | 8,2 мм ω @ 16a, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 15A TA 16A TC | 15NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOTF3N90 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,35 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemonductor-aotf3n90-datasheets-4423.pdf | До 220-3 полная упаковка | 18 недель | До-220-3f | 540pf | 2.4a | 900 В. | 35W TC | N-канал | 540pf @ 25V | 6,7 Ом @ 1,5A, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 2.4a tc | 16NC @ 10V | 6,7 Ом | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOT2910L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 3,93 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2010 год | До 220-3 | 18 недель | 30A | 100 В | 2,1 Вт TA 50W TC | N-канал | 1190pf @ 50v | 24 м ω @ 20a, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 6A TA 30A TC | 25NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4407A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2013 | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | Свободно привести | 8 | 8 | Ear99 | Нет | Двойной | Крыло Печата | 8 | 3,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 12A | 25 В | Кремний | Сингл со встроенным диодом | Переключение | 30 В | 30 В | 3,1 Вт ТА | P-канал | 2600pf @ 15v | 11m ω @ 12a, 20В | 3V @ 250 мкА | 12а та | 39NC @ 10V | 6 В 20 В. | ± 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4296 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Alphasgt ™ | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 18 недель | 100 В | 3,1 Вт ТА | N-канал | 3130pf @ 50v | 8,3 мм ω @ 13.5a, 10 В | 2,3 В при 250 мкА | 13.5a ta | 60NC @ 10 В. | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD468 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,63 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -50 ° C ~ 175 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2011 год | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | 18 недель | 150 Вт | 1 | 11,5а | 30 В | 300 В. | 150 Вт TC | N-канал | 790pf @ 25V | 420 мм ω @ 6a, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 11.5A TC | 16NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOTF2606L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,60 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2009 | До 220-3 полная упаковка | 18 недель | До-220-3f | 4.05nf | 13а | 60 В | 2.1W TA 36,5W TC | N-канал | 4050PF @ 30 В. | 6,5mohm @ 20a, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 13A TA 54A TC | 75NC @ 10V | 6,5 МОм | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOY2610E | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Alphasgt ™ | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | TO-251-3 LEADS, IPAK | 18 недель | 60 В | 59,5 Вт TC | N-канал | 1100pf @ 30v | 9,5 мм ω @ 20a, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 19а та | 13NC @ 4,5 В. | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6578 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2011 год | 8-Powersmd, плоские отведения | 18 недель | 8-DFN (5x6) | 1.34nf | 70A | 30 В | 5,6 Вт TA 35W TC | N-канал | 1340pf @ 15v | 4,4mohm @ 20a, 10v | 2,4 В @ 250 мкА | 28A TA 70A TC | 30NC @ 10V | 4,4 МОм | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOI8N25 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 13,59 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2011 год | TO-251-3 LEADS, IPAK | 18 недель | 8а | 250 В. | 78W TC | N-канал | 306pf @ 25V | 560 м ω @ 1,5А, 10 В | 4,3 В @ 250 мкА | 8A TC | 7.2NC @ 10 В. | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOI444 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2010 год | /files/alphaomegasemononductor-aoi444-datasheets-7386.pdf | TO-251-3 LEADS, IPAK | 3 | 18 недель | 3 | да | Ear99 | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 20 Вт | 1 | 12A | 20 В | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 60 В | 60 В | 2,1 Вт TA 20W TC | 0,06 Ом | N-канал | 540pf @ 30v | 60 м ω @ 12a, 10 В | 3V @ 250 мкА | 4A TA 12A TC | 10NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||
| AOI4185 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2011 год | /files/alphaomegasemonductor-aoi4185-datasheets-7585.pdf | TO-251-3 LEADS, IPAK | 3 | 18 недель | Ear99 | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | R-PSIP-T3 | 40a | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | 40 В | 40 В | 2,5 Вт TA 62,5W TC | 50а | 115а | 0,015om | P-канал | 2550pf @ 20v | 15m ω @ 20a, 10 В | 3V @ 250 мкА | 40a tc | 55NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSX21319C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 6-tssop, SC-88, SOT-363 | 18 недель | 30 В | 1,1 Вт ТА | P-канал | 320pf @ 15v | 100 м ω @ 2,6a, 10 В | 2,2 В при 250 мкА | 2.6A TA | 12NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON7422G | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2016 | 8-powervdfn | 18 недель | 30 В | 28 Вт TC | N-канал | 2300PF @ 15V | 4,6 мм ω @ 20a, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 32A TC | 60NC @ 10 В. | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6586 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2011 год | 8-Powersmd, плоские отведения | 18 недель | 8-DFN (5x6) | 1.15nf | 35а | 30 В | 5 Вт TA 41W TC | N-канал | 1150pf @ 15v | 7,5mohm @ 20a, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 20а TA 35A TC | 30NC @ 10V | 7,5 МОм | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD4286 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,26 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductor-aod4286-datasheets-7982.pdf | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | 18 недель | FET Общее назначение власти | 14а | Одинокий | 100 В | 2,5 Вт TA 30W TC | N-канал | 390pf @ 50v | 68 м ω @ 5a, 10v | 2,9 В при 250 мкА | 4A TA 14A TC | 10NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6162 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Alphasgt ™ | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 8-Powersmd, плоские отведения | 18 недель | 60 В | 215W TC | N-канал | 4850pf @ 30v | 2,1 млн. Ω @ 20a, 10 В | 3,2 В при 250 мкА | 100a Tc | 100nc @ 10v | 6 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOT2904 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Alphasgt ™ | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2013 | До 220-3 | 18 недель | 100 В | 326W TC | N-канал | 7085PF @ 50V | 4,4 мм ω @ 20a, 10 В | 3,3 В @ 250 мкА | 120A TC | 135NC @ 10V | 6 В 10 В. | ± 20 В. |
