Alpha & Omega Semiconductor Inc.
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (5074)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цены (доллар) Количество Вес (кг) Размер (LXWXH) Статус частично Ряд Устанавливать Монтажный тип Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности влаги (MSL) Максимальная рабочая температура МИН рабочая температура Технология Операционный режим Статус ROHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет / корпус Время выполнения завода Количество булавок Радиационное упрочнение Достичь кода соответствия Поверхностное крепление Рассеяние власти Количество элементов Подкатегория Пакет устройства поставщика Входная емкость Непрерывный ток дренажа (ID) Веревка к источническому напряжению (VGS) Конфигурация Слейте до источника напряжения (VDS) Power Dissipation-Max Дренажный ток-ток (ABS) (ID) Тип FET Входная емкость (ciss) (max) @ vds Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C Заряд затвора (qg) (max) @ vgs FET функция RDS на макс Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) VGS (макс)
AOC2415 AOC2415 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-aoc2415-datasheets-0735.pdf 4-SMD, нет лидерства 3.5a 20 В 550 МВт ТА P-канал 1685pf @ 10v 33 м ω @ 1,5А, 4,5 В 1 В @ 250 мкА 3.5A TA 28NC @ 4,5 В. 1,5 В 4,5 В. ± 8 В
AON6536 AON6536 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2011 год 8-Powersmd, плоские отведения 16 недель 55а 30 В 5,5 Вт TA 35,5 Вт TC N-канал 1210pf @ 15V 7m ω @ 20a, 10 В 2,5 В при 250 мкА 22A TA 55A TC 30NC @ 10V 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AON6544 AON6544 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Алфамос Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Вырезать ленту (CT) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS COMPARINT 2011 год 8-Powersmd, плоские отведения 8 FET Общее назначение власти 85а Одинокий 30 В 7,4 Вт TA 83W TC N-канал 5910pf @ 15v 1,4 мм ω @ 20a, 10 В 2,2 В при 250 мкА 60A TA 85A TC 120NC @ 10V 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AOW20C60 AOW20C60 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS COMPARINT 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-aow298-datasheets-0480.pdf До 262-3 Long Hads, i2pak, до 262AA FET Общее назначение власти 20А Одинокий 600 В. 463W TC N-канал 3440pf @ 100v 250 м ω @ 10a, 10 В 5 В @ 250 мкА 20А TC 74NC @ 10V 10 В ± 30 В
AON7440 AON7440 Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 0,40
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 150 ° C. -55 ° C. МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2014 8-powerwdfn 8 8-DFN-EP (3,3x3,3) 2.82NF 50а 30 В 4,2 Вт TA 42W TC N-канал 2820pf @ 15v 2,8mohm @ 20a, 10v 2,3 В при 250 мкА 28A TA 50A TC 75NC @ 10V 2,8 МОм 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AOT20C60PL AOT20C60PL Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) 150 ° C. -55 ° C. МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf До 220-3 16 недель До-220 3.607nf 20А 600 В. 463W TC N-канал 3607pf @ 100v 260mohm @ 10a, 10v 5 В @ 250 мкА 20А TC 80NC @ 10V 260 МОм 10 В ± 30 В
AOL1458 AOL1458 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать SDMOS ™ Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 175 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemonductor-aol1458-datasheets-4034.pdf 3-Powersmd, плоские отведения 14а 30 В 2W TA 43W TC N-канал 2440pf @ 15v 5,6 метра ω @ 20a, 10 В 3V @ 250 мкА 14A TA 46A TC 42NC @ 10V 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AOT440 AOT440 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать SDMOS ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 175 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS COMPARINT 2010 год До 220-3 FET Общее назначение власти 105а Одинокий 40 В 2,1 Вт TA 150W TC N-канал 5600pf @ 20 В. 4,7 мм ω @ 20a, 10 В 2,3 В при 250 мкА 15,5A TA 105A TC 90NC @ 10V 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AOW418 Aow418 Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 14,02
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать SDMOS ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 175 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) 175 ° C. -55 ° C. МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-aow298-datasheets-0480.pdf До 262-3 Long Hads, i2pak, до 262AA До 262 5.2nf 105а 100 В 2,1 Вт TA 333W TC N-канал 5200PF @ 50 В. 10mohm @ 20a, 10 В 3,9 В @ 250 мкА 9.5A TA 105A TC 83NC @ 10V 10 МОм 7 В 10 В. ± 25 В
AOU1N60 Aou1n60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 14,58
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Через дыру Через дыру -50 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) 150 ° C. -50 ° C. МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2010 год До 251-3 короткие лиды, ipak, до 251AA 16 недель 3 Нет 45 Вт 1 До 251-3 160pf 1.3a 30 В 600 В. 45W TC N-канал 160pf @ 25v 9om @ 650ma, 10 В 4,5 В при 250 мкА 1.3a tc 8NC @ 10V 9 Ом 10 В ± 30 В
AO4484_101 AO4484_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Масса 1 (неограниченный) 150 ° C. -55 ° C. МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2010 год 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) 8 лет 1.95NF 10а 40 В 1,7 Вт та N-канал 1950pf @ 20v 10 мом @ 10a, 10 В 3V @ 250 мкА 10а та 37NC @ 10V 10 МОм 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AO7414_001 AO7414_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Масса 1 (неограниченный) 150 ° C. -55 ° C. МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2011 год SC-70, SOT-323 SC-70-3 320pf 2A 20 В 350 МВт ТА N-канал 320pf @ 10 В. 62mohm @ 2a, 4,5 В 1 В @ 250 мкА 2а та 3.8NC @ 4,5 В. 62 МОм 1,8 В 4,5 В. ± 8 В
AOI516_002 AOI516_002 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 175 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) 175 ° C. -55 ° C. МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2011 год TO-251-3 LEADS, IPAK До 251b 1.229nf 46а 30 В 2,5 Вт TA 50W TC N-канал 1229pf @ 15v 5mohm @ 20a, 10 В 2,2 В при 250 мкА 18A TA 46A TC 33NC @ 10V 5 МОм 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AON1606_001 AON1606_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Масса 1 (неограниченный) 150 ° C. -55 ° C. МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2011 год 3-ufdfn 3 3-DFN (1,0 х 0,60) 62,5PF 700 мА 20 В 900 МВт ТА N-канал 62,5PF @ 10 В. 275MOM @ 400MA, 4,5 В 1 В @ 250 мкА 700 мА та 850NC @ 4,5 В. 275 МОм 1,5 В 4,5 В. ± 8 В
AOTF10N60_003 AOTF10N60_003 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) 150 ° C. -55 ° C. МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2011 год До 220-3 полная упаковка До-220-3f 1,6NF 10а 600 В. 50 Вт TC N-канал 1600pf @ 25v 750mohm @ 5a, 10 В 4,5 В при 250 мкА 10a tc 40nc @ 10v 750 МОм 10 В ± 30 В
AON7403L_001 AON7403L_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Масса 1 (неограниченный) 150 ° C. -55 ° C. МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2011 год 8-powervdfn 8-DFN (3x3) 1.4nf 29а 30 В 4,1 Вт TA 25W TC P-канал 1400pf @ 15v 18mohm @ 8a, 10v 3V @ 250 мкА 11A TA 29A TC 24nc @ 15v 18 МОм 5 В 10 В. ± 25 В
AOD240_001 AOD240_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 175 ° C TJ Масса 1 (неограниченный) 175 ° C. -55 ° C. МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2010 год TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 До 252, (d-pak) 4.3nf 70A 40 В 2,7 Вт TA 150W TC N-канал 4300PF @ 20 В. 3mohm @ 20a, 10v 2,2 В при 250 мкА 23A TA 70A TC 60NC @ 10 В. 3 МОм 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AO6411 AO6411 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Алфамос Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) 2015 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-ao6411-datasheets-2513.pdf SC-74, SOT-457 20 В 2,7 Вт TA P-канал 1025pf @ 10 В. 900 мВ при 250 мкА 7а та 18NC @ 4,5 В. 1,8 В 4,5 В. ± 8 В
AON6970_001 AON6970_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Поверхностное крепление Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 2016 8-powerwdfn
AO7413_030 AO7413_030 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) 2011 год SC-70, SOT-323 20 В 350 МВт ТА P-канал 400pf @ 10 В. 113 м ω @ 1,4a, 10 В 1,2 В при 250 мкА 1.4A TA 4,5NC @ 4,5 В. 2,5 В 10 В. ± 12 В.
AON2705_001 AON2705_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Поверхностное крепление Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 6-WDFN открытая площадка
AON7450L AON7450L Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный)
AOD4T60 AOD4T60 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS COMPARINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-aod4t60-datasheets-3142.pdf TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 соответствие ДА FET Общее назначение власти Одинокий 600 В. 83W TC 4а N-канал 460pf @ 100v 2,1 Ом @ 1a, 10 В 5 В @ 250 мкА 4A TC 15NC @ 10V 10 В ± 30 В
AOTF7T60 AOTF7T60 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS COMPARINT 2015 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-aotf7t60l-datasheets-3198.pdf До 220-3 полная упаковка соответствие НЕТ FET Общее назначение власти Одинокий 600 В. 38W TC 7A N-канал 962pf @ 100v 1,1 Ом @ 3,5А, 10 В 5 В @ 250 мкА 7A TC 24nc @ 10v 10 В ± 30 В
AOD4185_DELTA AOD4185_Delta Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный)
AOD4185_003 AOD4185_003 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный)
AON6758_103 AON6758_103 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Алфамос Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-aon6758103-datasheets-4427.pdf 8-VDFN открытая площадка 30 В 4,1 Вт TA 41W TC N-канал 1975pf @ 15v 3,6 метра ω @ 20a, 10 В 2,4 В @ 250 мкА 27A TA 32A TC 40nc @ 10v Диод Шоттки (тело) 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AOTF8T50P_001 AOTF8T50P_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-aotf8t50p001-datasheets-4636.pdf До 220-3 полная упаковка 500 В. 38W TC N-канал 905pf @ 100v 810M ω @ 4a, 10 В 5 В @ 250 мкА 8A TC 19NC @ 10V 10 В ± 30 В
AO3406L_106 AO3406L_106 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) До 236-3, SC-59, SOT-23-3 30 В 1,4 Вт та N-канал 375pf @ 15v 65m ω @ 3,6a, 10 В 3V @ 250 мкА 3.6A TA 8,5NC @ 10V 4,5 В 10 В. ± 20 В.
AO4423L_102 AO4423L_102 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

 скачать Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) 30 В 3,1 Вт ТА P-канал 5560PF @ 15V 7 м ω @ 15a, 20 В 3,5 В при 250 мкА 15а та 98NC @ 10V 6 В 20 В. ± 25 В
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)