Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактAlpha & Omega Semiconductor Inc. (5074)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Операционный режим | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Количество терминаций | Время выполнения завода | Количество булавок | Код ECCN | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | Максимальная диссипация власти | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Подсчет штифтов | Время@Пиковой температуру (я) | Рассеяние власти | Количество элементов | Подкатегория | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток дренажа (ID) | Веревка к источническому напряжению (VGS) | Материал транзистора | Конфигурация | Случайный соединение | Приложение транзистора | Слейте до источника напряжения (VDS) | DS Breakdown Trastage-Min | Технология FET | Сила - Макс | Power Dissipation-Max | Дренажный ток-ток (ABS) (ID) | Дренажный источник на сопротивлении-макс | Обратная связь Cap-Max (CRSS) | Рейтинг Evalanche Energy (EAS) | Тип FET | Входная емкость (ciss) (max) @ vds | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C | Заряд затвора (qg) (max) @ vgs | FET функция | RDS на макс | Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) | VGS (макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AON6906A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2010 год | /files/alphaomegasemonductor-aon6906a-datasheets-8950.pdf | 8-powervdfn | 18 недель | 8 | 2W | FET Общее назначение власти | 10а | 30 В | Металлический полупроводник | 1,9 Вт 2 Вт | 2 N-канала (половина моста) | 670pf @ 15v | 14,4 м ω @ 9.1a, 10v | 2,4 В @ 250 мкА | 9.1a 10a | 9NC @ 10V | Логический уровень затвора | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON3810 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | /files/alphaomegasemononductorinc-aon3810-datasheets-5003.pdf | 8-SMD, плоский свинец | неизвестный | 2,5 Вт | 20 В | 2 N-канальный (двойной) общий канализация | 280pf @ 10 В. | 24 м ω @ 7a, 10 В | 1 В @ 250 мкА | 5,2NC @ 4,5 В. | Логический уровень затвора | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOE6936 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,61 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 8-VDFN открытая площадка | 18 недель | 8-DFN (5x6) | 30 В | 24 Вт 39 Вт | 2 N-канальный (двойной) асимметричный | 1150pf @ 15v 2270pf @ 15v | 5mohm @ 20a, 10v, 2mohm @ 20a, 10v | 2,2 В при 250 мкА, 2,1 В при 250 мкА | 55A TC 85A TC | 15NC @ 4,5 В, 25NC @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4614BL_201 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 40 В | 2W | N и P-канал | 650pf @ 20v 1175pf @ 20v | 30m ω @ 6a, 10v, 45m ω @ 5a, 10v | 3V @ 250 мкА | 6A TA 5A TA | 10,8NC @ 10V, 22NC @ 10V | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSD32338C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 30 В | 2 Вт та | 2 N-канал (двойной) | 310pf @ 15v | 30 м ω @ 6a, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 6а та | 6,3NC @ 10 В. | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4821 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2010 год | /files/alphaomegasemononductor-ao4821-datasheets-1809.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 8 | 2W | 2W | 2 | Другие транзисторы | 9а | 8 В | 12 В | Металлический полупроводник | 9а | 2 P-канал (двойной) | 2100PF @ 6V | 19 м ω @ 9a, 4,5 В | 850 мВ при 250 мкА | 23NC @ 4,5 В. | Логический уровень затвора | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON7820 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2011 год | /files/alphaomegasemonductor-aon7820-datasheets-1830.pdf | 8-powervdfn | 3,1 Вт | FET Общее назначение власти | 20 В | Металлический полупроводник | 35а | 2 N-канальный (двойной) общий канализация | 2065pf @ 10 В. | 1 В @ 250 мкА | 22NC @ 4,5 В. | Логический уровень затвора | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6936 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Digi-Reel® | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2011 год | 8-powervdfn | 8 | 4,3 Вт | 40a | 30 В | 3,6 Вт 4,3 Вт | 2 N-канала (половина моста) | 984PF @ 15V | 4,9 метра ω @ 20a, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 22a 40a | 24nc @ 10v | Логический уровень затвора | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6971 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Srfet ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2011 год | /files/alphaomegasemononductorinc-aon6971-datasheets-6012.pdf | 8-powerwdfn | 8 | 4,1 Вт | FET Общее назначение власти | 40a | 30 В | Металлический полупроводник | 5 Вт 4,1 Вт | 2 N-канала (половина моста) | 1010pf @ 15v | 5,7 мм ω @ 20a, 10 В | 2,2 В при 250 мкА | 23а 40а | 23NC @ 10V | Логический уровень затвора | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4807_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | ROHS COMPARINT | 2011 год | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 2W | 8 такого | 760pf | 6A | 30 В | 2W | 2 P-канал (двойной) | 760pf @ 15v | 35mohm @ 6a, 10v | 2,4 В @ 250 мкА | 6A | 16NC @ 10V | Логический уровень затвора | 35 МОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO6604L_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,34 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | ROHS COMPARINT | 2010 год | SC-74, SOT-457 | 1,1 Вт | 6-stop | 320pf | 2.5A | 20 В | 1,1 Вт | N и P-канал дополняет | 320pf @ 10 В. | 60mohm @ 3,4a, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 3.4a 2.5a | 3.8NC @ 4,5 В. | Логический уровень затвора | 60 МОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON2801L#A. | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | ROHS COMPARINT | 6-WDFN открытая площадка | 1,5 Вт | 6-dfn (2x2) | 700pf | 3A | 20 В | 1,5 Вт | 2 P-канал (двойной) | 700pf @ 10 В. | 120mohm @ 3a, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 3A | 6,5NC @ 4,5 В. | Логический уровень затвора | 120 МОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO7600_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 2015 | 6-tssop, SC-88, SOT-363 | 20 В | 300 МВт | N и P-канал дополняет | 120pf @ 10 В. | 300 м ω @ 900 мА, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 900 мА | 1.9NC @ 4,5 В. | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOTF27S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 1,90 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Amos ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2009 | До 220-3 полная упаковка | 16 недель | До-220-3f | 1.294nf | 27а | 600 В. | 50 Вт TC | N-канал | 1294pf @ 100v | 160mohm @ 13.5a, 10v | 4 В @ 250 мкА | 27a tc | 26NC @ 10V | 160 МОм | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO6415 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2011 год | SC-74, SOT-457 | 6 | 1,25 Вт | 1 | 3.3a | 12 В | 20 В | 1,25 Вт TA | P-канал | 620pf @ 10 В. | 75 м ω @ 3,3а, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 3.3a ta | 6NC @ 4,5 В. | 2,5 В 10 В. | ± 12 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSS32334C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | До 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 18 недель | 30 В | 1,3 Вт та | N-канал | 600pf @ 15v | 20 м ω @ 6,2а, 10 В | 2,3 В при 250 мкА | 6.2a ta | 20NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON7534 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Digi-Reel® | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2011 год | /files/alphaomegasemonductor-aon7534-datasheets-2290.pdf | 8-powervdfn | 5 | 18 недель | 8 | Двойной | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 23 Вт | 1 | S-PDSO-F5 | 30A | 20 В | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 30 В | 30 В | 3 Вт TA 23W TC | 26 MJ | N-канал | 1037pf @ 15v | 5m ω @ 20a, 10v | 2,2 В при 250 мкА | 20А TA 30A TC | 22NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||
| Aons32304 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 8-powervdfn | 18 недель | 30 В | 6,2 Вт TA 78W TC | N-канал | 5970pf @ 15v | 2,3 мм ω @ 20a, 10 В | 2.1 В @ 250 мкА | 40A TA 140A TC | 130NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD256 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,29 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Digi-Reel® | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2011 год | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | 18 недель | 19а | 150 В. | 2,5 Вт TA 83W TC | N-канал | 1165pf @ 75V | 85m ω @ 10a, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 3A TA 19A TC | 22NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4411 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Вырезать ленту (CT) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2005 | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 8 | 16 недель | 8 | Ear99 | Двойной | Крыло Печата | 8 | 1 | Не квалифицирован | 8а | Кремний | Сингл со встроенным диодом | Переключение | 30 В | 30 В | 3,1 Вт ТА | 8а | 0,032ohm | 135 пф | P-канал | 760pf @ 15v | 32 м ω @ 8a, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 8а та | 16NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||
| AOD2N60A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -50 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2011 год | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | 18 недель | FET Общее назначение власти | 2A | Одинокий | 600 В. | 57W TC | 2A | N-канал | 295pf @ 25V | 4,7 ω @ 1a, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 2A TC | 11NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOW66616 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Alphasgt ™ | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | До 262-3 Long Hads, i2pak, до 262AA | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60 В | 6,2 Вт TA 125W TC | N-канал | 2870pf @ 30v | 3,2 метра ω @ 20a, 10 В | 3,4 В @ 250 мкА | 33A TA 140A TC | 60NC @ 10 В. | 6 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4486 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,42 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemonductor-ao4486-datasheets-2593.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 16 недель | 8 | 3,1 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | 4.2a | 20 В | Одинокий | 100 В | 3,1 Вт ТА | N-канал | 942pf @ 50v | 79 м ω @ 3a, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 4.2a ta | 20NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO3407 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,07 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2003 | До 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 18 недель | 30 В | 1,4 Вт та | P-канал | 520pf @ 15v | 52 м ω @ 4.1a, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 4.1a ta | 11NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO7405 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,12 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2011 год | 6-tssop, SC-88, SOT-363 | 1.4a | 30 В | 350 МВт ТА | P-канал | 409pf @ 15v | 150 м ω @ 1.6a, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 1.4A TA | 5,06NC @ 4,5 В. | 2,5 В 10 В. | ± 12 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOT9N40 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2011 год | До 220-3 | 18 недель | 400 В. | 132W TC | N-канал | 760pf @ 25V | 800 м ω @ 4a, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 8A TC | 16NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD296A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,30 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Alphasgt ™ | Поверхностное крепление | Вырезать ленту (CT) | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6298 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,68 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2011 год | 8-Powersmd, плоские отведения | 18 недель | 8 | Нет | 78 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | 46а | 20 В | Одинокий | 100 В | 7,4 Вт TA 78W TC | N-канал | 1307pf @ 50v | 16,5 мм ω @ 20a, 10 В | 3,4 В @ 250 мкА | 14.5A TA 46A TC | 23NC @ 10V | 6 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOH3254 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | До 261-4, до 261AA | 18 недель | 150 В. | 4,1 Вт ТА | N-канал | 675pf @ 75V | 63 м ω @ 5a, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 5а та | 20NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD294A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 11,20 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Вырезать ленту (CT) | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 28 недель |
