Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 187 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Энергетическая интеграция

Интеграции мощности (3270)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цены (доллар) Количество Вес (кг) Размер (LXWXH) Статус частично Ряд Устанавливать Монтажный тип Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности влаги (MSL) Максимальная рабочая температура МИН рабочая температура Технология Частота Тип ввода Высота сидя (максимум) Статус ROHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет / корпус Длина Высота Ширина Свободно привести Максимальный ток снабжения Количество терминаций Время выполнения завода Достичь SVHC Сопротивление Количество булавок Интерфейс Количество водителей PBFREE CODE Код ECCN Дополнительная функция Радиационное упрочнение HTS -код Количество функций Рейтинг питания Максимальное входное напряжение Номинальный ток снабжения Максимальное напряжение снабжения (AC) Код JESD-609 Особенность Терминальная отделка Приложения Поверхностное крепление Максимальная диссипация власти Напряжение - поставка Терминальная позиция Терминальная форма Пиковая температура отвоз (CEL) Напряжение снабжения Терминал Подсчет штифтов Аналоговый IC - другой тип Конфигурация элемента Время@Пиковой температуру (я) Рассеяние власти Количество элементов Подкатегория Квалификационный статус Код JESD-30 Пакет устройства поставщика Максимальный выходной ток Мин входное напряжение Выходная мощность Выходное напряжение Выходной ток Вперед Впередное напряжение Напряжение - нагрузка Мин напряжения питания (переменного тока) Максимальный ток Surge Случайный соединение Функция Приложение Сила (ватты) Количество выходов Скорость Выходная конфигурация Защита от неисправностей Входное напряжение-ном Входное напряжение (макс) Диодный элемент материал Максимальный переадресный ток (IFSM) Пик обратный ток Максимальное повторяющее обратное напряжение (VRRM) Пик без повторного тока всплеска Обратное напряжение Время восстановления обратного восстановления Время восстановления Диод тип Максимальное обратное напряжение (DC) Средний выпрямленный ток Количество этапов Вывод тока-макс Время подъема / падения (тип) Ток - пиковой выход Высокий боковой драйвер Тип канала Топология Максимальный рабочий цикл Работник Режим Напряжение - разбивка Режим управления Техника управления Конфигурация коммутатора Внутренний переключатель (ы) Мин входного напряжения (переменного тока) Максимальное входное напряжение (AC) Управляемая конфигурация Тип ворот Ток - пик вывода (источник, раковина) Высокое боковое напряжение - макс (начальная загрузка) Логическое напряжение - vil, vih Емкость @ vr, f Функции управления Напряжение - Поставка (VCC/VDD) Rds на (тип) Тип нагрузки Ток - обратная утечка @ vr Напряжение - вперед (vf) (max) @ if Частота - переключение Рабочая температура - соединение Конфигурация диода Выходная изоляция
2SC0435T2H0-17 2SC0435T2H0-17 Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Scale ™ -2 Поверхностное крепление -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 2016 /files/powerIntegrations-2sc0435t2h017-datasheets-6796.pdf Модуль 8 недель 2 14,5 В ~ 15,5 В. Модуль 20ns 20ns Независимый Высокий или низкий уровень IGBT, N-канал, P-канальный MOSFET 35a 35a 3300 В.
2SP0320T2C0-12 2SP0320T2C0-12 Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Scale ™ -2 Поверхностное крепление -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 1 (неограниченный) Не совместимый с ROHS 2016 /files/powerintegrations-2sp0320t2c012-datasheets-0758.pdf Модуль 12 недель 2 14,5 В ~ 15,5 В. 7ns 25ns Независимый Полу моста Igbt 20а 20а 1200 В.
2SP0320T2A0-17 2SP0320T2A0-17 Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Scale ™ -2 Поверхностное крепление -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 1 (неограниченный) Не совместимый с ROHS 2012 /files/powerintegrations-2sp0320v2a017-datasheets-1479.pdf Модуль 12 недель 2 14,5 В ~ 15,5 В. 7ns 25ns Независимый Полу моста Igbt 20а 20а 1700В
2SD300C17A3 2SD300C17A3 Энергетическая интеграция $ 102,65
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Scale ™ -2 Поверхностное крепление -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/powerintegrations-2sd300c17a3-datasheets-7558.pdf Модуль 16 недель 2 14 В ~ 16 В. Аналоговая схема Полу моста Igbt 30а 30а
1SD312F2-DIM600NSM45-F000 1SD312F2-DIM600NSM45-F000 Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Scale ™ -1 Шасси -40 ° C ~ 85 ° C TA Масса Непригодный 2016 /files/powerintegrations-1sd312f2dim600nsm45f000-datasheets-2863.pdf Модуль 9 недель 1 15,5 В ~ 16,8 В. 100ns 100ns Одинокий Полу моста IGBT, N-канал, P-канальный MOSFET 12а 12а
1SD418F2-CM800E2C-66H 1SD418F2-CM800E2C-66H Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Scale ™ -1 Шасси -40 ° C ~ 85 ° C TA Коробка 1 (неограниченный) 2016 /files/powerintegrations-1sd418f2cm800e2c66h-datasheets-2965.pdf Модуль 1 14,5 В ~ 15,5 В. 100ns 100ns Одинокий Полу моста IGBT, N-канал, P-канальный MOSFET
2SB315B-2MBI800U4G-170 2SB315B-2MBI800U4G-170 Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Scale ™ -1 Шасси Масса 1 (неограниченный) 2009 /files/powerintegrations-2sb315b2mbi800u4g170-datasheets-3019.pdf Модуль 2 0 В ~ 16 В. Одинокий Полу моста IGBT, N-канал, P-канальный MOSFET
2SB315A-FF800R12KE3 2SB315A-FF800R12KE3 Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Scale ™ -1 Шасси Масса 1 (неограниченный) 2016 /files/powerintegrations-2sb315aff800r12ke3-datasheets-3148.pdf Модуль 2 0 В ~ 16 В. Одинокий Полу моста IGBT, N-канал, P-канальный MOSFET
IHD260NT1 Ihd260nt1 Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Scale ™ -1 Через дыру -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос Не инвертинг /files/powerintegrations-ihd660ic2-datasheets-3278.pdf Модуль 36-DIP, 24 свинца 9 недель 2 14 В ~ 16 В. 100ns 80ns Независимый Полу моста IGBT, N-канальный MOSFET
IGD515EI-34 IGD515EI-34 Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Scale ™ -1 Через дыру -40 ° C ~ 85 ° C. Поднос 1 (неограниченный) Не совместимый с ROHS 2009 /files/powerintegrations-igd515ei34-datasheets-3445.pdf Модуль 36-DIP, 24 свинца 16 недель 1 12 В ~ 16 В. 40ns 40ns Одинокий Высокий или низкий уровень IGBT, N-канал, P-канальный MOSFET 15а 15а 0,9 В 3,8 В.
CHY103DG Chy103dg Энергетическая интеграция $ 2,17
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать ChipHy ™ Поверхностное крепление -40 ° C ~ 105 ° C TA 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) USB USB -зарядное устройство Выше температуры, превышение напряжения, короткий замыкание
LCS700HG LCS700HG Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperlcs ™ Через дыру Через дыру -40 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) Силовая МОСФЕТ ROHS COMPARINT 2012 /files/powerintegrations-lcs701lg-datasheets-3006.pdf 16-SIP, 13 проводков, открытая прокладка, сформированные свинки 5,2 мА 13 4 недели Нет SVHC 1,53 гм 16 ВКЛ/OFF Ear99 1 110 Вт 4 мА E3 Автозапуск, контролируемый скоростью Матовая олова Общее назначение 11,4 В ~ 15 В. Зигзаг НЕ УКАЗАН 12 В 0,97 мм НЕ УКАЗАН Не квалифицирован R-Pzip-T13 4.2a 4.2a 11,4 В ~ 15 В. 2 Половина моста Ограничение тока, выше температуры, превышение напряжения, короткий замыкание, UVLO 5.2a ДА 1,53 Ом Индуктивный
PFS7624L PFS7624L Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperpfs ™ -4 Через дыру -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка Непригодный 123 кГц ROHS COMPARINT /files/powerintegrations-pfs7629h-datasheets-7749.pdf 16-SIP, 13 проводков, открытая прокладка, сформированные свинки 6 недель 10,2 В ~ 15 В. ESIP-16G Непрерывная проводимость (CCM) 22 кГц ~ 123 кГц
PFS708EG PFS708EG Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperpfs ™ Через дыру Через дыру -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (неограниченный) 95 кГц ROHS COMPARINT 2012 /files/powerintegrations-pfs723eg-datasheets-8412.pdf 7-sip, 6 проводников, открытая прокладка, сформированные отведения 10,16 мм 2 мм 6 6 недель Нет SVHC 7 Ear99 Нет 8542.39.00.01 1 E3 Матовая олова (SN) 10 В ~ 12 В. Зигзаг 7/6 Контроллер коэффициента мощности R-Pzip-T6 12 В 530 В. Непрерывная проводимость (CCM) СПОСОБСТВОВАТЬ РОСТУ 24 кГц ~ 95 кГц
PFS728EG PFS728EG Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperpfs ™ Через дыру Через дыру -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (неограниченный) 95 кГц ROHS COMPARINT 2012 /files/powerintegrations-pfs723eg-datasheets-8412.pdf 7-sip, 6 проводников, открытая прокладка, сформированные отведения 10,16 мм 2 мм 6 6 недель Нет SVHC 7 Ear99 Нет 8542.39.00.01 1 E3 Матовая олова (SN) 10 В ~ 12 В. Зигзаг 7/6 Контроллер коэффициента мощности R-Pzip-T6 12 В 530 В. Непрерывная проводимость (CCM) СПОСОБСТВОВАТЬ РОСТУ 24 кГц ~ 95 кГц
PFS7635H PFS7635H Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperpfs ™ -4 Через дыру -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (неограниченный) 123 кГц ROHS COMPARINT /files/powerintegrations-pfs7629h-datasheets-7749.pdf 16-SIP, 13 проводков, открытая прокладка, сформированные свинки 6 недель да 10,2 В ~ 15 В. Контроллер коэффициента мощности Непрерывная проводимость (CCM) 22 кГц ~ 123 кГц
LQA20N200C LQA20N200C Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Qspeed ™ Поверхностное крепление Поверхностное крепление Вырезать ленту (CT) 2 (1 год) 150 ° C. -55 ° C. Шоткий ROHS COMPARINT 2013 /files/powerintegrations-lqa20n200c-datasheets-8008.pdf TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 2 84 недели 3 Ear99 Бесплатный диод колеса, PD-Case, мягкий коэффициент составляет 0,41 Нет 8541.10.00.80 E3 Матовая олова (SN) ОДИНОКИЙ Крыло Печата Общий катод 41,7 Вт 2 R-PSSO-G2 20А 100А ЭФФЕКТИВНОСТЬ Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Кремний 500 мкА 200 В 350а 200 В 16 нс 16 нс Стандартный 200 В 10а 1 500 мкА @ 200 В 1.15V @ 10a -55 ° C ~ 150 ° C. 1 пара общий катод
LQA12B300C LQA12B300C Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Qspeed ™ Поверхностное крепление Поверхностное крепление Лента и катушка (TR) 2 (1 год) 150 ° C. -55 ° C. ROHS COMPARINT 2011 год /files/powerintegrations-lqa12b300c-datasheets-3357.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 2 4 недели 3 Ear99 Бесплатный диод колеса Нет 8541.10.00.80 ОДИНОКИЙ Крыло Печата 260 3 Общий катод 40 2 R-PSSO-G2 12A ЭФФЕКТИВНОСТЬ Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Кремний 25 мкА 300 В. 350а 11,5 нс Шоткий 300 В. 6A 1 6A 25 мкА @ 300 В. 1,9 В @ 6a 150 ° C Макс 1 пара общий катод
LQA03TC600 LQA03TC600 Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Qspeed ™ Через дыру Через дыру Трубка 1 (неограниченный) 150 ° C. -55 ° C. Шоткий ROHS COMPARINT 2011 год /files/powerintegrations-lqa03tc600-datasheets-2326.pdf До-220-2 2 4 недели 2 Ear99 Нет 8541.10.00.80 E3 Матовая олова 3 Одинокий 32 Вт 1 3A 30A Изолирован ЭФФЕКТИВНОСТЬ Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Кремний 20 мкА 600 В. 30A 600 В. 13 нс 9,3 нс Стандартный 600 В. 3A 1 3A 20 мкА @ 600V 3.1V @ 3A 150 ° C Макс
QH12BZ600 QH12BZ600 Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Qspeed ™ Поверхностное крепление Поверхностное крепление Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 150 ° C. -55 ° C. Шоткий ROHS COMPARINT 2015 /files/powerintegrations-qh12bz600-datasheets-5471.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 2 4 недели 3 Ear99 PD-Case, мягкий коэффициент равен 0,6 Нет 8541.10.00.80 61 Вт Крыло Печата Одинокий 1 R-PSSO-G2 12A 2,65 В. Изолирован ЭФФЕКТИВНОСТЬ Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Кремний 350а 250 мкА 600 В. 350а 11,6 нс Стандартный 600 В. 12A 1 34pf @ 10 В 1 МГц 250 мкА @ 600V 3,1 В @ 12a -55 ° C ~ 150 ° C.
LNK354GN-TL LNK354GN-TL Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Linkswitch®-HF Поверхностное крепление -40 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 4 (72 часа) 3,98 мм ROHS COMPARINT 2004 /files/powerintegrations-lnk3544gntl-datasheets-8255.pdf 8-SMD (7 проводков), крыло чайки 9,575 мм 6,35 мм Свободно привести 7 14 недель да Ear99 Требуется поставка переменного тока от 85 до 265 В Нет 8542.39.00.01 1 280 мкА 265V E3 Матовая олова (SN) ДА 5 Вт Двойной 260 2,54 мм 8 Переключение регулятора 40 R-PDSO-G7 5,8 В. 85 В 5 Вт Ограничение тока, открытая петля, над температурой, короткий замыкание 0,4а Летающий 63 % 700 В. Модуляция ширины пульса ОДИНОКИЙ Да 200 кГц Изолирован
TOP258PG TOP258PG Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать TopSwitch®-HX Через дыру Через дыру -40 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) 150 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2012 /files/powerintegrations-top256gntl-datasheets-8639.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 мм), 7 свинц 4 недели 7 Нет 35 Вт 48 Вт Dip-8c 48 Вт Ограничение тока, выше температуры, выше напряжения Летающий 78% 700 В. Да 66 кГц Изолирован
TOP247R-TL TOP247R-TL Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Topswitch®-GX Поверхностное крепление -40 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 4 (72 часа) CMOS 4,7 мм Не совместимый с ROHS 2005 /files/powerintegrations-top243rtl-datasheets-8742.pdf TO-263-7, D2PAK (6 LEADS + TAB), до 263CB 10,29 мм 8,405 мм Содержит свинец 6 6 недель нет Ear99 Нет 8542.39.00.01 1 2,2 мА 265V E0 Олово/свинец (SN/PB) ДА 70 Вт ОДИНОКИЙ Крыло Печата 1,27 мм 4 Переключение регулятора Регулятор переключения или контроллеры R-PSSO-G6 12 В 85 В Ограничение тока, выше температуры, выше напряжения 5.76A Летающий 83 % 66,5% 700 В. Режим напряжения Модуляция ширины пульса ОДИНОКИЙ Да Контроль частоты 66 кГц ~ 132 кГц Изолирован
LNK605DG LNK605DG Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Linkswitch®-II Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) 66 кГц ROHS COMPARINT 2010 год /files/powerintegrations-lnk614dgtl-datasheets-8301.pdf 8 Soic (0,154, ширина 3,90 мм), 7 свинц 4,9 мм 1,65 мм 3,9 мм 8 Нет SVHC 8 Нет 1 5,1 Вт 265V 480 мкА 265V E3 Матовая олова 5,1 Вт Двойной Крыло Печата 260 8 Аналоговая схема 40 85 В 5,1 Вт 5 В 555 мА 85 В 1 Ограничение тока, открытая петля, над температурой, короткий замыкание Летающий 55 % 700 В. Да 85 В 265V До 85 кГц Изолирован
INN2105K Inn2105K Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Innoswitch ™ -ce Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 105 ° C TA Трубка 3 (168 часов) ROHS COMPARINT 2015 /files/powerintegrations-in2124k-datasheets-3441.pdf 16-псевдоновожая (0,350, ширина 8,89 мм), 15 проводников 4 недели Нет SVHC 16 да Ear99 8542.39.00.01 25 Вт 265V 20 Вт НЕ УКАЗАН Переключение регулятора НЕ УКАЗАН 85 В Выше температуры, выше напряжения Flayback, второстепенная сторона Sr 60% 650 В. Да 100 кГц Изолирован
TNY286KG-TL TNY286KG-TL Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Tinyswitch®-4 Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 2,49 мм ROHS COMPARINT 2015 /files/powerintegrations-tny287kg-datasheets-7628.pdf 12-besop (0,350, ширина 8,89 мм), 11 свинц, открытая площадка 10,16 мм 8,89 мм 11 4 недели 11 Seated_ht рассчитывается Нет 8542.39.00.01 1 E3 Матовая олова 19w Двойной Крыло Печата 260 1,78 мм Аналоговая схема 40 10 Вт Ограничение тока, открытая петля, над температурой, над напряжением, короткий замыкание Летающий 67% 725V Да Поступка 124 кГц ~ 140 кГц Изолирован
INN2605K-TL Inn2605K-TL Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Innoswitch ™ -EP Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 105 ° C TA Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) ROHS COMPARINT 2016 /files/powerintegrations-in2605k-datasheets-7773.pdf 16-псевдоновожая (0,350, ширина 8,89 мм), 15 проводников 4 недели 16 Ear99 970 мкА 35 Вт НЕ УКАЗАН Переключение контроллера НЕ УКАЗАН 1 Ограничение тока, выше температуры, выше напряжения Летающий 60% 725V Да 100 кГц Изолирован
LNK4013S-TL LNK4013S-TL Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Linkswitch ™ -4 -25 ° C ~ 125 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT /files/powerintegrations-lnk4023dtl-datasheets-9434.pdf 4 недели да Ear99 8542.39.00.01 Переключение регулятора 8 Вт Выше температуры, превышение напряжения, короткий замыкание Летающий Нет 5 В ~ 16,5 В. 65 кГц Изолирован
LNK363DG-TL LNK363DG-TL Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Linkswitch®-ST Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 2008 /files/powerintegrations-lnk362dn-datasheets-8467.pdf 8 Soic (0,154, ширина 3,90 мм), 7 свинц 4 недели 7 Ear99 Нет 8542.39.00.01 7,5 Вт Переключение регулятора Ограничение тока, открытая петля, над температурой, короткий замыкание Летающий 60% 700 В. Да 132 кГц Изолирован
LNK306GN-TL LNK306GN-TL Энергетическая интеграция
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Linkwitch®-TN Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 150 ° C TJ Лента и катушка (TR) 4 (72 часа) 3,68 мм ROHS COMPARINT 2008 /files/powerintegrations-lnk302gn-datasheets-8393.pdf 8-SMD (7 проводков), крыло чайки 9,575 мм 6,35 мм Свободно привести 8 4 недели да Ear99 Требуется поставка переменного тока от 85 до 256 В Нет 1 68 мкА 265V E3 Матовая олова (SN) 12 МВт Двойной 2,54 мм 8 Переключение регулятора R-PDSO-G8 12 В 225 мА 85 В 1 Ограничение тока, открытая петля, над температурой, короткий замыкание Бак, Бак-Бёст, обратный обратный вызов 72 % 69% 700 В. Модуляция ширины пульса Да 66 кГц Неизолированный

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.